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Gaoya dianqi, 1995 我厂在引进法国MG公司HB7—126型封闭组合电器的高压负荷开关的技术基础上,设计研制成功的FN□—110（145）型负荷开关,填补了国内高压负荷开关该电压等级的空白。 FN□—110（145）型高压负荷开关与我厂生产的ZF5—110型SF6封闭组合电器元件一起可组成各种简化结线的GIS,有效和安全地使用于毋需开断短路电流的间隔中,具有使GIS总体布置简化、运行安全方便、
杨成汉, 刘根根
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Mechanism of electric fatigue in PLZE ceramics [PDF]
, 2004 【中文摘要】探讨了PLZT铁电陶瓷的电疲劳特性及疲劳机理，测量并比较了室温下电疲劳前后材料的介电温谱及电滞回线以及疲劳试样在高于Curie温度之上保温数小时之后其室温下的介电温谱及电滞回线。测试结果表明疲劳试样在高于Curie温度之上保温数小时之后其室温下的介电温谱及电滞回线明显不同于电疲劳前试样的介电温谱及电滞回线。SEM分析表明疲劳前样品的断裂模式主要为穿晶断裂, 而疲劳后样品的断口模式主要为沿晶断裂。利用原位XRD分析得出样品在交流电场下由90°畸变导致的畸变应变高达0.1 ...
CHEN Zhiwu +5 more
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Gaoya dianqi, 2018 为了更好地研究直流电压下油纸绝缘系统针板电极局部放电的电荷分布特性,文中基于流体动力学扩散—漂移方程和双极电荷传输方程搭建仿真模型用以模拟空间电荷的分布,研究了电荷产生的和流注发展的过程与放电特性,得到了局部放电过程中电荷,电场和电势的发展趋势。研究表明:油纸绝缘针板电极的局放过程分为流注击穿油隙与电荷在纸板上积累两个阶段,油隙的击穿过程中,流注头部的电场强度与净电荷密度会不断增加,形成自持放电;当流注到达绝缘纸板表面并在纸面积累电荷,将形成屏蔽层,导致流注的电场分布与电荷分布减弱,逐渐形成零电场区域 ...
姚竣严 +4 more
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Fabrication and Induction Mechanism of Piezoelectric PVDF Micro/Nano-Fibrous Membranes by Electrospinning [PDF]
, 2012 聚偏氟乙烯(Polyvinylidenefluoride,PVDF)是目前唯一获得广泛应用的柔性压电材料，也是迄今为止发现的压电性最高的聚合物材料。PVDF至少存在五种晶相，即α、β、γ、δ和ε相，其中以β相的压电性能最好而引起人们的广泛关注。拉伸极化是获得PVDF压电薄膜的最基本工艺，但传统的冷拉伸高温强电场极化难以实现高含量β相，且存在工艺复杂、耗时、浪费资源等缺点，限制了其应用范围。静电纺丝是一个兼有机械拉伸和电极化一体化的技术，近年来已成为制备PVDF压电薄膜的研究热点。然而 ...
雷廷平
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Gaoya dianqi全氟己酮是一种新型高沸点清洁灭火剂，满足阀厅灭火喷射距离远、介质绝缘性好和无污染的要求。文中研究了雾径约719.0 μm的全氟己酮雾滴和气态全氟己酮对棒—板短空气间隙放电特性的影响。4 cm棒—板间隙下，流量由0.27 L/min上升至1.94 L/min时，全氟己酮雾滴—空气两相体间隙击穿场强由11.85 kV/cm上升至14.35 kV/cm，最高较空气间隙提升1.69倍；当气态全氟己酮体积分数由0.44%增加至10.25%，全氟己酮气体—空气的击穿场强由10.50 kV/cm上升至18.68 kV/
邓捷 +6 more
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Dianci bileiqi, 2003 研究了BaTiO3基多层陶瓷电容器（MLCs）直流击穿与温度的关系。测量了从室温到250℃范围内BaTiO3基多层陶瓷电容器的直流击穿场强（BDFs）,通过分析直流预压对BDFs的影响,发现空间电荷的同性效应对MLCs的室温和居里温度区的直流击穿有很大的影响;而在高温区,MLCs的直流击穿主要是热击穿。最后根据结构控制Schottky电导理论,联系热离子反射过程和势垒高度对空间电荷积累的影响,从而得出居里温度区具有极小击穿场强的直流击穿特性与BaTiO3基陶瓷绝缘体相转变导致的势垒高度的增加相一致的结论。
周远翔 +4 more
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Monolithically Integrated Optical Receiver with Spatially Modulated Optical Detector in CMOS Technology [PDF]
, 2009 设计了与标准CMOS工艺兼容的850 nM空间调制(SPATIAlly MOdulATEd,SM)结构光电探测器,在分析器件物理模型的基础上,建立了SPECTrE环境中等效电路的新模型。提出标准CMOS工艺下SM探测器与前置放大电路单片集成的电路设计。仿真结果表明,在850 nM光照下,SM探测器带宽达到400 MHz,并提供62 MA/W的响应度。整个集成芯片的工作速率为400 Mb/S,增益为0.81 kV/W,功耗为91 MW。A monolithically integrated optical
卞剑涛 +4 more
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Gaoya dianqi, 2004 通过电压-电流波形和电压-电荷李萨育图的测量,研究了空气中多针-平板电极介质阻挡放电特性,比较了这种放电和平板-平板电极介质阻挡放电的区别,并通过接触角测量比较了这两种形式放电对聚四氟乙烯（PTFE）进行表面改性的效果。结果表明:在相同的条件下,与平板-平板电极介质阻挡放电相比,多针-平板电极介质阻挡放电空间能产生更多的活性粒子;用这种放电对PTFE进行表面改性,能在更短的时间内获得和平板-平板电极介质阻挡放电相同的效果。
王辉, 方志, 邱毓昌
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Measurement of the Static Optoelectronic Characteristics of InGaAs/InP Avalanche Photodiode [PDF]
, 2008 建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10～100量级。A measurement ...
归强 +6 more
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Gaoya dianqi, 2018 电晕特性是特高压直流输电线路设计的关键技术问题之一。电晕放电物理过程复杂,影响因素多,基于电晕放电物理过程建立数值模型进行计算是研究电晕问题的有效手段。电晕流体模型在电晕等离子的仿真计算中得到广泛的应用。大部分电晕流体模型的计算中使用Kaptzov假设作为边界条件,没有考虑二次电子发射机制,并且当电晕电流较大时,没有充分考虑的电子扩散、电荷复合和空间光电离等因素的影响。文中基于简化的电晕等离子体流体模型,进一步考虑电子扩散、电荷复合、空间光电离和二次电子发射机制提出完整模型,采用4阶龙格 ...
王黎明, 陈正颖, 怡勇
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