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半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制

open access: yes, 2006
综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途径 ...
董志远   +4 more
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蠕动式绝缘子串劣化检测机器人

open access: yes, 2021
本实用新型涉及绝缘子检测机器人技术领域,特别涉及一种蠕动式绝缘子串劣化检测机器人。包括控制箱体、蠕动式移动机构、检测机构、上下串机构、可见光检测模块、导向杆组以及绝缘子电阻检测仪;其中蠕动式移动机构和可见光检测模块设置于控制箱体的顶部,检测机构设置于蠕动式移动机构上,用于对绝缘子串进行检测;上下串机构为两组且对称设置于控制箱体的两侧,用于环抱绝缘子串;导向杆组连接在两组上下串机构之间,绝缘子电阻检测仪设置于导向杆组上。本实用新型适应性强,爬行平稳,检测效率高,安全可靠 ...
吕鹏, 王洪光, 张天宇, 潘新安
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深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响

open access: yes, 2007
对铁掺杂和高温退火非掺杂磷化铟制备的两种半绝缘材料的电学补偿和深能级缺陷进行了分析和比较.根据热激电流谱(TSC)测得的深能级缺陷结果,分析了这两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响.在掺铁半绝缘InP材料中,由于存在高浓度的深能级缺陷参与电学补偿。降低了材料的补偿度和电学性能.相比之下,利用磷化饫气氛下高温退火非掺InP获得的半绝缘材料的深能级缺陷浓度很低,通过扩散掺入晶格的铁成为唯一的深受主补偿中心钉扎费米能级,材料表现出优异的电学性质 ...
王博   +5 more
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融合多尺度特征的轻量级YOLOv7绝缘子缺陷检测算法

open access: yesDianci bileiqi, 2023
针对目前绝缘子缺陷检测算法检测精度与速度不平衡以及对小目标绝缘子缺陷检测效果不佳等问题,提出一种融合多尺度特征的轻量级YOLOv7绝缘子缺陷检测算法。以YOLOv7为基础框架,使用CA-GhostNet作为主干网络;将头部预测网络中的残差卷积替换为深度可分离卷积;在颈部网络设计Light-SPPCSPC特征提取模块;在特征金字塔部分将不同尺度的特征图融合。实验结果表明,所提算法实现了精度与速度的平衡,降低了绝缘子缺陷的漏检率。
党宏社, 许勃, 张选德
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InP中深能级缺陷的产生与抑制现象

open access: yes, 2007
研究了原生和高温退火处理后非掺n型和半绝缘InP单晶材料中产生的缺陷.在磷气氛下退火后,n型和半绝缘InP单晶中均明显产生相当数量的深能级缺陷,而在磷化铁气氛下退火后,InP的缺陷数量明显减少.在退火过程中缺陷的产生与磷和铁的内扩散有直接关系.向内扩散的磷原子和铁原子占据晶格中铟位后,分别产生反位缺陷和铁深受主.实验结果表明,铁通过扩散充分占据了铟位,抑制了铟空位、磷反位等缺陷的形成,而磷气氛下退火后产生的缺陷有铟空位、磷反位等 ...
董志远, 赵有文
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单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算

open access: yes, 1999
本文采用集团模型和推广的Hucket分子轨道理论(EHMO)计算c-Si中Er点缺陷及Er-O复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果,解释了Er有c ...
薛俊明   +6 more
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一种蠕动式绝缘子串劣化检测机器人

open access: yes, 2021
本发明涉及绝缘子检测机器人技术领域,特别涉及一种蠕动式绝缘子串劣化检测机器人。包括控制箱体、蠕动式移动机构、检测机构、上下串机构、可见光检测模块、导向杆组以及绝缘子电阻检测仪;其中蠕动式移动机构和可见光检测模块设置于控制箱体的顶部,检测机构设置于蠕动式移动机构上,用于对绝缘子串进行检测;上下串机构为两组且对称设置于控制箱体的两侧,用于环抱绝缘子串;导向杆组连接在两组上下串机构之间,绝缘子电阻检测仪设置于导向杆组上。本发明适应性强,爬行平稳,检测效率高,安全可靠 ...
吕鹏, 王洪光, 张天宇, 潘新安
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GIS盆式绝缘子典型缺陷的电场仿真

open access: yesGaoya dianqi, 2018
气体绝缘金属封闭开关设备(gas insulated switchgear,GIS)是电力系统中的重要设备,盆式绝缘子作为GIS设备核心绝缘组件,对于GIS设备的安全稳定运行至关重要。盆式绝缘子故障是导致GIS无法正常运行的主要原因,文中设计了气隙缺陷、嵌件毛刺缺陷、单金属颗粒缺陷以及金属颗粒群缺陷四种典型放电缺陷类型,利用有限元静电场数值计算方法建立了252 kV盆式绝缘子的仿真模型。研究了不同典型缺陷模型的电场分布情况,分析了不同缺陷对电场的畸变情况。根据仿真结果设计了四种典型模型的缺陷尺寸参数 ...
常文治   +6 more
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半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究

open access: yes, 2000
利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态。通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面而形成载流子浓度梯度引起的,通过实验表明SPV是一种对SI ...
江德生   +4 more
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多尺度特征增强融合绝缘子小目标缺陷检测方法

open access: yesDianci bileiqi
为了解决传统绝缘子缺陷检测方法存在的绝缘子缺陷识别精度低,且存在误检、漏检等问题,提出一种多尺度特征增强融合绝缘子小目标缺陷检测网络。为了提高网络缺陷目标处的区域信息关注力度,提出一种多尺度特征增强模块,增强了网络对绝缘子缺陷小目标特征提取能力;提出一种动态特征融合模块,实现不同尺度绝缘子缺陷特征的高效融合;在网络头部应用Focaler-IoU损失函数,增强网络对绝缘子缺陷的定位检测能力。构建绝缘子小目标缺陷数据集并进行对比、消融实验,验证所提出算法对复杂环境下的绝缘子小目标缺陷能够实现精确检测。
经少康   +6 more
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