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Power system insulator string defect detection method
, 2021 本发明涉及工业物联网与边缘计算领域，具体涉及一种电力系统绝缘子串缺陷检测方法。包括以下步骤：无人机获取场景的图像信息，并将含有绝缘子串的图像发回地面服务器并通过U‑Net网络对图像进行分割，得到结果图像SE；当SE中只包含单一的绝缘子串时，利用缺陷检测算法得到缺失位置；当SE中包含一对或多对绝缘子串时，将SE输入到缺陷检测算法中，把SE中每对绝缘子串划分成两部分图像，并分别对两部分图像进行峰值点或谷值点检测，得到峰值点和谷值点列表P；对P位置分布进行分析，得到存在缺陷位置的区间并标记出绝缘子串缺失的位置。
宋纯贺 +6 more
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Dianci bileiqi, 2018 分析了地震后支柱绝缘子的缺陷特征,对震后支柱瓷绝缘子进行现场检测,得到了地震位置与时间变化对缺陷影响的规律。结果表明:1)地震引发的故障缺陷以裂纹为主,发生在瓷套根部区域;2)支柱绝缘子缺陷数目随着与震中距离呈现下降趋势;3)瓷体中的微裂纹会随着时间的推移逐步扩大成显性裂纹。研究成果为支柱瓷绝缘子震后处理提供技术支撑。
韩晓言 +5 more
doaj
, 2013 为了研究铝合金焊接力学性能及焊接缺陷，采用THDW-6 真空电子束焊机对6061 铝合金试样进行焊接试验研究，采用工作距离110mm、工作电用70kV、电子束流40mA、聚焦电流638mA、焊接速度540mm/min进行穿透焊，接头的抗拉强度为母材的92% ，接头的显微硬度有明显的软化，约为母材的79%。并对焊接中常产生的塌陷和顶尖缺陷、裂纹与气孔缺陷、飞溅缺陷进行了分析，提出了铝合金真空电子束焊接时相应的工艺措施 ...
乔红超, 赵吉宾, 于彦凤
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Dianci bileiqi近几年来复合绝缘子缺陷、故障问题频发，其中影响最大的就是复合绝缘子芯棒酥朽断裂问题。为进一步研究串型、温升与绝缘子内部缺陷的关联性，文中以华中地区某两条500 kV架空线路57支发热复合绝缘子为研究对象，开展了实验室红外检测、数字X射线检测（DR检测）、剖检等11项综合性试验。结果表明，该批次复合绝缘子存在严重的护套与芯棒粘接不良家族性缺陷，该缺陷是导致绝缘子异常发热的根本原因。同时紧凑型V串绝缘子受力和高场强影响，缺陷率相对I串较高。此外，通过对比分析多项试验所检出的缺陷情况和缺陷位置 ...
袁一钧 +8 more
doaj
Gaoya dianqi, 2015 气体绝缘组合电器（gas insulated switchgear,GIS）在电力系统中占有重要地位,盆式绝缘子是GIS内部重要的部件,其表面放电是影响GIS安全运行的重要因素,文中在盆式绝缘子表面设置了典型的绝缘缺陷模型,利用紫外成像仪记录了其表面放电引起紫外光子发射的整个过程,分析了典型放电缺陷模型下的放电电压与光子数之间的关系,对绝缘子表面放电进行了探索,取得的结论:1表面放电紫外光子数随着缺陷尺寸的增大有增大趋势,但是多次重复性实验表明存在饱和特性 ...
王鹏皓, 闫杰, 王天正
doaj
, 2020 本实用新型涉及输电线检修设备技术领域，特别涉及一种绝缘子攀爬机构。包括上夹爪、蠕动框架、下夹爪及平移驱动机构，其中上夹爪和平移驱动机构设置于蠕动框架上，下夹爪设置于平移驱动机构上，平移驱动机构用于驱动下夹爪沿靠近或远离上夹爪的方向运动；上夹爪和下夹爪交替抱持绝缘子串上，同时通过下夹爪与上夹爪之间的相对平移运动，实现绝缘子串上的蠕动爬行。本实用新型减少了驱动电机的数量，提高了可靠性，降低了控制难度 ...
王洪光 +4 more
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, 2006 比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的"踢出-替位"机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高 ...
王博 +5 more
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Dianci bileiqi, 1982 尽管玻璃悬式绝缘子生产范围的扩大和最近几年聚合材料结构元件的出现,瓷质悬式绝缘子仍然是各种电压等级的输电线路广泛推广的绝缘元件。这种绝缘子的主要缺点之一,是在介质中可能出现缺陷,从而在运行过程中导致完全丧失电气强度。造成这种缺陷的原因是各种各样的,除了工厂的缺陷外,绝缘子有可能在运输、安装、增大了外部机械负荷作用 ...
КолкерД.Г., 龙淑范
doaj
, 2013 本发明提供半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法，属于半导体测试领域。装置包括样品台、原子力显微镜导电探针、电压源、压电激振陶瓷、光学显微镜系统、单色仪、光电探测器和锁相放大器，电压源、压电激振陶瓷均与原子力显微镜导电探针相连，单色仪相连、光电探测器、锁相放大器顺次相连；其方法步骤为：将待测样品放置样品台上；针尖产生一周期性的机械振动；待测样品的裸露表面产生一周期性的光；将待测样品所发出的光聚集至单色仪处进行分光；测量发光信号。本发明解决了现有技术中对测量半导体表面缺陷中电致发光光谱测量存在的问题，
钟海舰 +8 more
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