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, 2006 用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的寿命值．电子辐照能使这种缺陷的浓度增大，使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps．低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb．掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa，284 ...
唐方圆, 王柱, 邵云东, 赵有文
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, 2006 通过改进时域有限差分(FDTD)法,计算和分析了二维光子晶体的缺陷模式。运用一维时域有限差分算法和线性插值法在总场散射场(TF-SF)连接边界引入入射平面波,采用完全匹配层(PML)技术对外行波进行了有效吸收。计算和分析结果表明,在光子晶体非对称方向入射的平面波能激发所有的缺陷模式,选取合适的探测点位置收集电场值,经快速傅里叶变换(FFT)能得到所有的共振峰值。另外,采用该方法研究了二维正方介质柱光子晶体缺陷模的共振频率与缺陷介质柱半径和介电常量之间的关系 ...
全宇军 +5 more
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绝缘子ZnS:Cu/BaTiO3复合涂层的闪络强度和缺陷自检测特性研究
Gaoya dianqi绝缘子是电力设备的重要组成部分，但表面绝缘缺陷极易导致突发性沿面闪络事故。为了提高对表面绝缘缺陷的检测能力和绝缘子的沿面闪络强度，文中制备了ZnS:Cu/BaTiO3掺杂的绝缘缺陷自检测复合涂层，将ZnS:Cu电致发光材料引入绝缘系统实现缺陷自检测功能，通过引入高介电常数BaTiO3填料均匀表面电场、提高绝缘子沿面闪络强度。测试了涂层样品的交/直流闪络电压，通过对表面金属微粒缺陷在交流电压下的发光分布和局部放电的观测，考察了涂层对表面缺陷的检测能力。结果表明 ...
刘慕然
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Gaoya dianqiGIS盆式绝缘子表面污秽和裂纹等缺陷会使得其表面的闪络电压降低，严重危害电力网络的正常运行，因此盆式绝缘子状况检测研究对于保障电网安全运行具有重要意义。基于模态分析法，文中研制了盆式绝缘子状态带电检测系统，对盆式绝缘子表面污秽、裂纹缺陷开展试验研究。结果表明盆式绝缘子污秽缺陷会使得其模态传递函数幅值发生变化，且盆式绝缘子模态特性对于污秽质量的变化敏感；裂纹缺陷会使得盆式绝缘子模态传递函数极值点发生后移；表面污秽与表面裂纹缺陷共同作用下，模态传递函数的高频段2 000~4 000 Hz内幅值变化更剧烈 ...
李璐 +5 more
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Gaoya dianqi温度是影响气体绝缘金属封闭组合电器（GIS）中典型绝缘缺陷形成与发展的重要因素之一。为探究温度因素对盆式绝缘子缺陷电场分布的影响，文中利用有限元软件建立了252 kV GIS电—热—流多物理场耦合模型，得到了不同导体温度下、处于不同位置的气泡、裂纹及悬浮金属微粒缺陷下绝缘子表面的电场分布，并通过表面电荷分布与计算气体临界击穿场强进一步分析电场变化规律。结果表明：导体温度升高，3种缺陷下的绝缘子表面最大场强都随之增大，裂纹缺陷下增幅最大，悬浮金属微粒下最小。温度变化对电场的影响与绝缘缺陷类型、位置有关 ...
顾媛丽 +5 more
doaj
Gaoya dianqi, 2020 为减少由复合绝缘子内部缺陷造成的事故隐患,研究了基于微波理论的全尺寸复合绝缘子内部缺陷无损检测方法,提出了适用于该检测方法的数据处理及判定依据。根据所提出的理论,研制了由微波检测系统与自动化系统组成的全尺寸110 kV复合绝缘子自动化无损检测试验平台,制备了多种带有人造缺陷的全尺寸110 kV复合绝缘子样品。通过使用试验平台对人造样品的检测,得出了该方法对于气隙、碳化、金属缺陷的检测特征及精度。同时试验结果验证了所提出的理论的可行性与所研制的设备的可靠性。
梅红伟 +4 more
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使用粉尘图法研究交流电压下典型GIS绝缘表面缺陷的电场电荷分布
Dianci bileiqi, 2020 绝缘子在运行电压下产生表面不明原因的闪络是目前GIS安全运行领域面临的关键问题之一,这种闪络被认为很可能与绝缘表面缺陷导致的电场畸变和电荷积聚有关。笔者使用粉尘图法在离线和带电状态下对交流电压作用下的几种典型GIS绝缘表面缺陷,包括绝缘表面金属颗粒、金属尖端、绝缘表面打磨等引起的电场畸变和电荷分布进行了研究,并考虑了缺陷的各项参数对其作用效果的影响。研究结果对于确定不同缺陷导致的绝缘表面电场电荷分布变化,缺陷导致绝缘闪络的过程,以及微小缺陷的发现和诊断具有重要的实际意义。
徐洋, 刘卫东, 高文胜
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, 1999 在返回式卫星上搭载生长砷化镓单晶，Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性。空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善，均匀性提高。与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比，空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比及其均匀性得到了显著改善。以空间生长半绝缘砷化镓单晶为基底，采用直接离子注入工艺制造的模拟开关集成电路的特性好于地面材料 ...
山田正良 +4 more
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