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半导体釉高压悬式绝缘子

open access: yesDianci bileiqi, 1985
半导体釉绝缘子的试运行(有时称为稳定绝缘子),不仅能够确定对釉的理化性能要求,而且可以确定对绝缘子的结构,以及对其制造工艺的要求。实践证明,输电线路绝缘子的运行可靠性和稳定性既决定于半导体釉的性能,也决定于绝缘部件(瓷件)的结构形状,绝缘子串每片绝缘子的电阻与规定值的偏差,施釉厚度以及釉与绝缘子的金具(钢帽和钢脚)之间电接触的可靠性等。
Н·П·ЛЕШ、ЕНКО, 王振林
doaj  

故障绝缘子的发热机理及其红外热像检测

open access: yesDianci bileiqi, 2011
绝缘子故障主要指绝缘电阻劣化和表面污秽。在分析讨论引起绝缘子发热的电阻劣化和表面污秽机理基础上,利用绝缘子等值电路模型分析了绝缘子在电阻劣化和表面污秽时的发热规律以及实际运行绝缘子的热像特征。结果表明:低值、零值和污秽绝缘子的发热规律和热像特征具有明显的差异,故可用高分辨的红外热像仪来检测和分析实际运行中的绝缘子运行状态。
金光熙   +4 more
doaj  

1000kV交流变电站支柱和空心绝缘子污秽外绝缘设计的探讨

open access: yesDianci bileiqi, 2007
阐述了污秽外绝缘设计的基本方法及存在的一些问题,并在此基础上推荐出了变电站绝缘子污秽外绝缘的设计方法。对于1000kV变电站支柱和空心绝缘子进行污秽外绝缘设计,考虑到现场污秽中所含CaSO4对污耐受电压影响较大,进行了等值附盐密度校正,最后给出了1000kV变电站支柱和空心绝缘子的污秽外绝缘配置,建议Ⅲ级污秽等级1000kV瓷空心绝缘子的结构高度为11.0m~12.8m、支柱绝缘子的结构高度为9.3m~10.5m、复合空心绝缘子的结构高度为8.8m~10.2m。
房柯夫, 吴光亚, 刘志强
doaj  

Theory of Cognitive Relativity Interconstruction and its operational Three-Layer Recursive Architecture [PDF]

open access: yes
This study proposes the Theory of Cognitive Relativity Interconstruction (TCRI) and its operational Three-Layer Recursive Architecture (Root-Stem-Canopy), addressing core epistemological tensions in metacognition [A1,A2,B2]. TCRI posits three fundamental
Song, Boyao
core  

可持续发展领域的口译:中国远景集团与西班 牙合作打造零排放电池工厂 [PDF]

open access: yes
Con la búsqueda común de objetivos de desarrollo sostenible a nivel mundial, la cooperación internacional se ha convertido en un camino para promover la innovación tecnológica y la protección del medio ambiente.
Xiong, Danni
core  

[Research progress on the acquisition technology of magnetocardiography]. [PDF]

open access: yesSheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi
Kang B   +5 more
europepmc   +1 more source

RFID偵測器最佳配置化之研究 [PDF]

open access: yes
[[abstract]]主要針對物流中心作業流程中的監控與揀貨二部份進行探討。本研究將以現有與未來預期的RFID通訊技術為基礎,利用相關文獻的蒐集,獲得相關資料與數據。再利用數學規劃方法與系統最佳化概念,在相關區位理論限制下,如最大讀取範圍等,以最小佈設成本為目標,發展RFID佈設於物流中心的數學模式。本模式預期為區位設施服務範圍問題(LSCP)與P中位問題(P-median problem),為有效求解實務上所面臨大規模問題,本研究擬應用容易執行且兼具解題速度與精度的巨集式啟發解法 ...
[[corresponding]]邱顯明, 邱顯明
core  

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