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Gaoya dianqi, 2014 绝缘子表面积污状况与污区划分及外绝缘的选择密切相关,是外绝缘的基础性工作之一。为此,文中选取10支深圳地区岭深线路交流500 k V复合绝缘子并对其积污特性展开研究。对测试结果进行方差分析发现,岭深线不同地形条件绝缘子整体积污状况接近,而同一支绝缘子不同部位表面积污状况存在差异,表现为:靠近绝缘子串两端的伞裙单元盐密值较大;绝缘子伞裙上表面积污重于下表面。上述测试结果表明复合绝缘子表面积污存在不均匀性,在进行复合绝缘子人工污秽试验时,应充分考虑复合绝缘子的积污特点。
徐康泰 +6 more
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Dianci bileiqi, 2017 快波前冲击过电压对输电线路用盘形悬式瓷绝缘子危害较大,依据标准GB/T20642-2006《高压线路绝缘子空气中冲击击穿试验》,对盘形悬式瓷绝缘子中的空气动力学型瓷绝缘子进行了50%雷电冲击闪络电压和陡波试验,并与钟罩型瓷绝缘子进行了比对研究;研究了瓷绝缘子的形状及大气相对湿度对闪络电压的影响。试验表明:空气动力学型瓷绝缘子50%雷电冲击闪络电压较钟罩型瓷绝缘子低;空气动力学型瓷绝缘子在规定的试验电压下,波前（放电）时间不能满足标准要求;同时,当大气相对湿度较大时,会对瓷绝缘子陡波试验结果产生不利影响。
刘云蔚 +3 more
doaj
Dianci bileiqi, 1997 分析了瓷质绝缘子、玻璃绝缘子和有机复合绝缘子的优缺点及其生产现状，指出三种材料的线路绝缘子已经形成三足鼎立的局面；对线路绝缘子的国内市场作了预测，并从绝缘子生产厂自身发展的角度，提出今后技术改造的重点应放在提高产品质量和开发新产品上，建议有关电瓷厂积极发展有机复合绝缘子。
帅上本
doaj
Gaoya dianqi, 2014 挂网运行的复合绝缘子若出现劣化,电气绝缘性能降低,若不及时替换将危害线路的安全运行。目前,国内外尚缺乏成熟的绝缘子运行状态检测方法,笔者在研究国内外复合绝缘子检测方法的基础上,首次引入高光谱遥感技术检测复合绝缘子的运行状态。采用高光谱成像仪对不同运行状态的硅橡胶绝缘子伞套及绝缘子串进行影像采集,成功地构建了复合绝缘子样本光谱特征库,并直观地展示了不同运行状态复合绝缘子光谱曲线及其在特征空间中的聚类特性。继而,利用特征光谱库,采用概率判决函数和贝叶斯判别规则对目标绝缘子进行状态检测 ...
文志科 +6 more
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, 1998 利用X射线双晶衍射Bond方法，精确测量了各种条件下生长的半绝缘GaAs的晶格参数。建立了过量As在晶体中存在的间隙原子对模型，在理论上找到了影响半绝缘GaAs晶格参数的根本原因。并建立了半绝缘GaAs晶格参数与化学配比的关系，实现了化学配比的无损测量 ...
王玉田 +3 more
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, 2017 本发明涉及一种高导热绝缘塑料及其制备方法和应用。具体地，本发明公开了一种高导热绝缘塑料，所述高导热绝缘塑料包含热塑性塑料以及均匀分布于所述热塑性塑料中的复合导热填料，其中，所述复合导热填料包含石墨烯和无机绝缘型导热填料。本发明还公开了所述高导热绝缘塑料的制备方法和应用。所述高导热绝缘塑料在保持其力学性能和绝缘性能的情况下，由于特定复合导热填料的加入使得其导热率获得明显改善 ...
王贵民 +7 more
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, 1989 中子辐照的水平生长出绝缘GaAs(样品A)、原生的和塑性形变的直法拉制半绝缘GaAs(样品C和D),都给出一组四线谱,但在不同的样品中呈现不同的退火特性:样品A经125℃三小时退火后,EPR谱有部分光猝灭效应,加长退火时间,光猝灭效应消失,表现出异常的退火特性;而样品C和D,则无光猝灭效应.中国科学引文数据库(CSCD)008582 ...
吴书祥 +6 more
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, 2017 电力电缆作为传送电能的通道,是电力系统的重要组成部分,为电力系统的稳定性和可靠性提供保障。然而,电缆在运行过程中,由于受到光照、电场、磁场、热及水分等因素的影响而使其聚合物绝缘材料发生老化,导致材料绝缘性能显著降低,甚至造成整个电力系统的瘫痪和报废。因此,关注电缆绝缘材料的老化现象对保证电气系统安全运行具有重要的理论意义和实用价值。文中综述了电绝缘材料老化的研究现状,深入分析了其老化原因、机理和表现形式 ...
李帮经, 张晟, 郭坤, 林木松
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, 2010 本发明涉及移动检测机器人,具体地说是一种绝缘子检测机器人,包括第一履带轮、箱体、第二履带轮、变距伸缩机构及探头驱动机构,箱体上安装有变距伸缩机构,第一、二履带轮位于箱体的两侧、分别与变距伸缩机构相铰接,第一、二履带轮上分别连接有第一、二行程传感器;箱体的下方设有探头驱动机构。本发明采用能够伸缩变化的变距伸缩机构,能适应双联水平绝缘子串的距离变化,安全保护性好,行走速度快,上串操作简单,对绝缘子涂层磨损小,探头搭接可靠 ...
景风仁 +5 more
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一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件 ...
俞育德, 李智勇, 周亮, 余金中
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