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一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件 ...
俞育德, 李智勇, 周亮, 余金中
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, 2019 绝缘子由于受到工作电压、操作电压的影响，以及外力破坏、环境污秽及大风雨雪天气等外部环境损伤，需要及时更换，否则将威胁线路的安全运行。现依据输电线路悬垂绝缘子串环境特点和更换绝缘予的任务需求，提出了一种新型输电线路悬垂绝缘子串更换装置，介绍了绝缘子串更换装置机构的构型，分析了机器人的工作流程，进行了固定安装支架、爬行驱动机构、前作业手臂及后作业手臂的结构设计。该机构具有结构简单、安全性好、作业方式简单、作业效率高等特点，而且可适应不同尺寸的多种类型悬垂绝缘子串。
吕鹏, 石俏, 凌烈, 胡聪, 岳湘
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Gaoya dianqi, 2014 绝缘子表面积污状况与污区划分及外绝缘的选择密切相关,是外绝缘的基础性工作之一。为此,文中选取10支深圳地区岭深线路交流500 k V复合绝缘子并对其积污特性展开研究。对测试结果进行方差分析发现,岭深线不同地形条件绝缘子整体积污状况接近,而同一支绝缘子不同部位表面积污状况存在差异,表现为:靠近绝缘子串两端的伞裙单元盐密值较大;绝缘子伞裙上表面积污重于下表面。上述测试结果表明复合绝缘子表面积污存在不均匀性,在进行复合绝缘子人工污秽试验时,应充分考虑复合绝缘子的积污特点。
徐康泰 +6 more
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Dianci bileiqi, 1985 半导体釉绝缘子的试运行（有时称为稳定绝缘子）,不仅能够确定对釉的理化性能要求,而且可以确定对绝缘子的结构,以及对其制造工艺的要求。实践证明,输电线路绝缘子的运行可靠性和稳定性既决定于半导体釉的性能,也决定于绝缘部件（瓷件）的结构形状,绝缘子串每片绝缘子的电阻与规定值的偏差,施釉厚度以及釉与绝缘子的金具（钢帽和钢脚）之间电接触的可靠性等。
Н·П·ЛЕШ、ЕНКО, 王振林
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, 2010 本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构,电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性 ...
张丽然 +8 more
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Dianci bileiqi, 2006 针对多雷区送电线路特点,对玻璃、复合两种绝缘子的特性、参数进行对比,得出,110kV线路玻璃绝缘子的耐雷水平是复合绝缘子的138%,220kV线路为132%;110kV线路玻璃绝缘子的有效泄漏比距是复合绝缘子的116%,220kV线路为117%。并提出了在多雷区送电线路上,应选择玻璃防污绝缘子,既提高了线路的耐雷水平,又兼顾了绝缘子耐污水平,从而降低了送电线路雷击跳闸率和运行维护成本;对粉尘污染严重段,采用了复合绝缘子与玻璃绝缘子组合,排除了高压端芯棒易受损脆断的隐患。
应伟国
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Gaoya dianqi, 2015 动车组车顶绝缘子作为车顶的主要绝缘设备,其可靠性直接影响动车组的正常运行。文中基于ANSYS有限元软件分析了车顶绝缘子结构对其电场分布的影响,通过分析洁净状态下和水滴附着状态下绝缘子的电位和电场,得到伞裙结构对绝缘子电场分布特性的影响。结果表明,绝缘子顶部大小伞裙结构的不同配合方式会影响绝缘子的电场分布,尤其水滴附着状态下,绝缘子顶部采用大伞裙结构的会增加绝缘子电场强度,随着电场强度的增加,增加了绝缘子顶部发生局部放电的可能性。
张士宇 +4 more
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Dianci bileiqi, 1997 分析了瓷质绝缘子、玻璃绝缘子和有机复合绝缘子的优缺点及其生产现状，指出三种材料的线路绝缘子已经形成三足鼎立的局面；对线路绝缘子的国内市场作了预测，并从绝缘子生产厂自身发展的角度，提出今后技术改造的重点应放在提高产品质量和开发新产品上，建议有关电瓷厂积极发展有机复合绝缘子。
帅上本
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, 1998 利用X射线双晶衍射Bond方法，精确测量了各种条件下生长的半绝缘GaAs的晶格参数。建立了过量As在晶体中存在的间隙原子对模型，在理论上找到了影响半绝缘GaAs晶格参数的根本原因。并建立了半绝缘GaAs晶格参数与化学配比的关系，实现了化学配比的无损测量 ...
王玉田 +3 more
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Dianci bileiqi, 2007 阐述了污秽外绝缘设计的基本方法及存在的一些问题,并在此基础上推荐出了变电站绝缘子污秽外绝缘的设计方法。对于1000kV变电站支柱和空心绝缘子进行污秽外绝缘设计,考虑到现场污秽中所含CaSO4对污耐受电压影响较大,进行了等值附盐密度校正,最后给出了1000kV变电站支柱和空心绝缘子的污秽外绝缘配置,建议Ⅲ级污秽等级1000kV瓷空心绝缘子的结构高度为11.0m～12.8m、支柱绝缘子的结构高度为9.3m～10.5m、复合空心绝缘子的结构高度为8.8m～10.2m。
房柯夫, 吴光亚, 刘志强
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