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Ge thin films on Si substrate and thermal annealing effect on their properties [PDF]
, 2011 采用超高真空化学气相沉积(uHV-CVd)系统,用低温gE缓冲层技术在SI衬底上外延了张应变gE薄膜。扫描电镜(TEM)图表明SI基外延gE薄膜拥有低的位错密度,原子力显微镜(AfM)测试gE层表面粗糙度仅为1.2 nM。对SI基外延gE薄膜进行了不同温度下的退火,并用双晶X射线衍射(dCXrd)曲线和rAMAn谱进行表征。结果表明,SI基外延gE薄膜受到的张应变随退火温度呈线性增加,当退火温度达到850℃时SI和gE发生严重的互扩散,这种互扩散改变了室温Pl谱,影响外延gE薄膜特性。The ...
李成 +4 more
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Shuitu Baochi Xuebao[目的] 为探究长期施用控释尿素对北方石灰性潮土土壤酸度、酸碱缓冲能力及肥力的影响。[方法] 基于自2008年开始的长期定位小麦玉米轮作施肥试验,设计掺混控释尿素和普通尿素2种氮肥类型及不施氮[N 0 kg/(hm2·a)]、常量[N 540 kg/(hm2·a)]和增量[N 810 kg/(hm2·a)]3个施氮水平,于2022年玉米季成熟期采集0—80 cm土层土壤样品,测定土壤酸碱缓冲容量、土壤碳酸钙含量与土壤养分。[结果] (1)控释尿素减缓了因施氮导致的土壤缓冲容量和pH下降 ...
宗浩霖, 郑文魁, 李江华, 王淳
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Fabrication and characteristics of Si-based Ge waveguide photodetectors [PDF]
, 2009 以外延gE薄膜为吸收区,在SI基上制备了gE波导光电探测器。利用超高真空化学汽相淀积(uHV/CVd)设备,采取低温高温两步法,在SI(100)衬底上外延出厚度约为500nM的高质量纯gE层。探测器采用脊型波导结构,Al电极分别制作在波导的台面上下形成背对背肖特基结。I-V特性测试表明,在-1V偏压下,暗电流密度为0.2MA/CM2。由于SI与gE热失配引起外延的gE薄膜受到0.2%张应变,减小了gE带隙,光响应波长范围扩展到1.60μM以上。在70MW、1.55μM入射光照射下 ...
周志文 +4 more
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Dianci bileiqi, 1977 本文对悬式绝缘子刷缓冲涂层的效果作了较为详细的分析,并选用不同涂层材料作了比较长期的劣化性能试验,获得了初步认识。可供当前国内有关厂分析研究悬式劣化原因的参考。
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Shuitu Baochi Xuebao, 2018 为探究中亚热带地区常绿阔叶林地的地表径流和侵蚀产沙的影响机制，于2016年和2017年的5—9月在天然降雨条件下，采用野外定位观测结合室内试验分析方法，得到磨盘山常绿阔叶林林外降雨和林内穿透雨及其雨滴特性数据，采用RDA排序及CANOCO的Forward分析筛选出主导环境影响因子。结果表明：（1）产沙量与林外降雨量和林内穿透雨量存在正相关关系。当径流量>0.064 mm时，研究区内形成的地表径流才开始携带泥沙；林冠层对降雨动能的缓冲作用在降雨强度小的情况下较明显。（2）林冠缓冲动能 ...
曹光秀, 王克勤, 赵洋毅, 段旭
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Preparation and initial growth mechanism of ZnO [PDF]
, 2010 近年来，氧化锌(ZnO)成为继氮化镓(GaN)之后，受到广泛研究的新型宽禁带 半导体材料。氧化锌具有岩盐、立方和六角三种晶体结构，形貌结构丰富。探索 材料的生长动力学，研究ZnO材料的结构形貌及其演化、晶体结构稳定性及相变 等科学问题，对促进ZnO基材料及其应用开发具有重要的意义。 我们在Si(100)-2×1再构的基础上，采用分子束外延方法(MBE)进行高精度 ZnO材料的制备，实现原子层量级的生长控制。对生长后的样品进行STM表征分 析，重点原位分析ZnO在Si(100)上的生长动力学 ...
黄斌旺
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keff Uncertainty Analysis of Small Prismatic HTGR [PDF]
Uncertainties on results of reactor physics calculations basically originate from uncertainties of solvers, modeling parameters and nuclear data. The uncertainty quantification (UQ) of import core parameters is critical for the safety and reliability of ...
YUAN Yuan, LIU Guoming, ZHANG Peng, ZHANG Chenglong, YU Miao, YI Xuan
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Guangtongxin yanjiu, 1982 光纤心线大多数采用预涂、缓冲,套塑三层涂覆结构。由于涂料特性易随温度变化,使得光纤心线损耗在高温和低温下都大于室温时的值。本文介绍套塑材料在高温下再结晶和分子取向改变引起的损耗增大和低温下冷缩引起的损耗增大以及涂料特性、涂覆条件和光纤参数对损耗增大程度的影响。最后介绍改善光纤心线温度损耗特性的常用措施。
李先源
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The Study of Fabrication Technology for Absorption Layer and Mo Electrode based CIGS Thin-Film Solar Cell [PDF]
, 2015 铜铟镓硒薄膜太阳电池是现今薄膜太阳电池领域发展前景最好的电池之一。在当前的薄膜电池产业化领域中，溅射后硒化技术适合于大面积规模化制备CIGS薄膜电池。本论文分两部分内容，第一部分是围绕溅射后硒化法两步工艺制备高质量的Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜，并对CIGS薄膜性能进行了研究。第二部分是，在CIGS吸收层与Mo电极整合过程中，系统研究了Mo电极的制备工艺在硒化热处理中存在的技术问题。 第一部分利用CuGa(3:1at%)合金靶和单质In靶双靶交替磁控溅射制备CuInGa金属预制层 ...
陈伟
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Gaoya dianqi电力电缆是电力系统传输电能的重要工具，然而其缓冲层可能会出现局部烧蚀缺陷，影响电能质量。为解决该问题，文中基于宽频阻抗谱技术提出了一种电力电缆缓冲层缺陷定位方法。该方法基于包络提取的思想改进阻抗谱傅里叶变换后的曲线、避免了畸变点的干扰，同时通过仿真模型初步验证了方法的有效性。为研究其实际应用能力，文中还进行了不同频带下的电力电缆缺陷实验，基于实验结果可以发现，随着频带的增加，缺陷定位的精度以及分辨率都有所改善。
任广振 +5 more
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