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仿生模式识别（拓扑模式识别）－－一种模式识别新模型的理论与应用
, 2002 本文提出了一种模式识别理论的新模型，它是基于“认识”事物而不是基于“区分”事物为目的。与传统以“最佳划分”为目标的统计模式识别相比，它更接近于人类“认识”事物的特性，故称为“仿生模式识别”。它的数学方法在于研究特征空间中样本集合的拓扑性质，故亦称作“拓扑模式识别”。“拓扑模式识别”的理论基点在于它确认了特征空间中同类样本的连续性（不能分裂成两个彼此不邻接的部分）特性。文中用“仿生模式识别”理论及其“高维空间复杂几何形体覆盖神经网络”识别方法，对地平面刚体目标全方位识别问题作了实验 ...
王守觉
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, 2007 本文建立了含缺陷管道的有限元模型,以减薄单元厚度模拟管道缺陷。选择具有一定带宽的冲击信号作为激励进行管道缺陷检测,为了消除弯曲和扭转模态对识别结果的影响,进行对称加载对称接收。即管道左端对称的32个节点同时施加初始的轴向位移瞬态响应,在靠近激励端一侧选取管道截面上对称的32个节点作为信号记录点,最后进行简单叠加取平均,获得超声导波在管道中的波形信号。为了提高波到时刻的识别精度,将导波信号进行小波变换.从小波系数的局部极大值可以清楚的分辨出导波信号的到达时刻和离开时刻,从而提高了缺陷识别的精度。最后 ...
陈建云 +3 more
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, 2010 本文基于一种新的模式识别理论----仿生模式识别实现了一个自动人脸识别系统,该系统主要由以下部分构成:人脸图像预处理,特征提取和识别三部分组成.以实验室自己拍摄的不同光线,不同角度上百人的人脸库做测试,取得了很好的效果 ...
易楠, 陈旭
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基于特高频技术及三维空间定位法的GIS套管局放检测与实例分析
Gaoya dianqi, 2016 通过对组合电器、变压器等电力设备进行带电检测,可以有效发现设备内部缺陷引起的局部放电。由于GIS套管结构、材料与GIS本体有很大不同,用于GIS本体带电检测及定位的方法往往不完全适用于GIS套管。为实现通过带电检测发现套管内部绝缘性缺陷的目的,文中基于GIS套管特高频局放检测、缺陷模式识别、放电源定位以及解体检析等技术,分析某500 kV变电站220 kV设备区GIS出线套管内部悬浮放电缺陷,根据特高频信号脉冲序列相位分布谱图（phase resolved pulse sequence,PRPS图 ...
宋方超 +5 more
doaj
Gaoya dianqi电力工业上GIS（gas insulated switchgear）隔离开关的多种机械故障多是由传动机构及导电部结构应力变化导致，而这种应力变化的早期体现形式主要是卡涩缺陷。对GIS隔离开关卡涩缺陷的识别及量化对避免设备发生严重故障具有重要意义。然而，GIS隔离开关面临因工业现场开关机械状态的离散化导致的难以对卡涩缺陷进行识别和量化的问题，限制了运维人员对GIS隔离开关机械状态的感知能力与故障预警能力。文中以GIS隔离开关正常机械状态下的驱动电机功率曲线作为标准曲线，采用多窗口斜率的特征点识别方法 ...
柯艳国 +6 more
doaj
, 2013 本发明提供半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法，属于半导体测试领域。装置包括样品台、原子力显微镜导电探针、电压源、压电激振陶瓷、光学显微镜系统、单色仪、光电探测器和锁相放大器，电压源、压电激振陶瓷均与原子力显微镜导电探针相连，单色仪相连、光电探测器、锁相放大器顺次相连；其方法步骤为：将待测样品放置样品台上；针尖产生一周期性的机械振动；待测样品的裸露表面产生一周期性的光；将待测样品所发出的光聚集至单色仪处进行分光；测量发光信号。本发明解决了现有技术中对测量半导体表面缺陷中电致发光光谱测量存在的问题，
钟海舰 +8 more
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Gaoya dianqi, 2019 局部放电是表征电力设备绝缘状态的最有效的手段之一,然而关于直流电压下XLPE电缆典型绝缘缺陷局部放电特征的研究较少。文中首先深入分析了直流下复合绝缘材料局部放电机理,总结了XLPE电缆常见缺陷类型及其原因。使用单芯XLPE电缆及其预制式接头制作了金属毛刺电晕缺陷、应力锥处半导电层沿面放电缺陷以及绝缘交界面气隙放电缺陷,在直流电压下进行阶梯式加压试验。基于高频电流法采集局部放电数据,获得了各缺陷不同放电严重阶段的多种典型特征,包括放电量-时间间隔-放电重复率三维图谱,前序放电量 ...
宣耀伟 +5 more
doaj
Gaoya dianqi, 2022 文中基于空间电容耦合法制作了非接触式局部放电传感器，并利用4种典型的绝缘油纸缺陷模型，搭建了局部放电实验平台，探究了所制作的传感器与传统脉冲电流法测量到的局部放电时域波形和频域能量分布特性。实验结果表明：利用空间电容耦合法可有效获取绝缘油纸缺陷模型的局部放电信号。传统脉冲电流法测量频带较低，4种缺陷模型中，仅可有效分辨出含强垂直分量的沿面针板放电信号，其他3种缺陷模型放电信号的时域波形和频域能量分布特性较为接近，无法有效分辨。而文中制作的局放传感器测量频带可达数百兆赫兹，测得的信号高频信息量含量较为丰富，
吴旭涛 +7 more
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, 2007 研究了原生和高温退火处理后非掺n型和半绝缘InP单晶材料中产生的缺陷.在磷气氛下退火后，n型和半绝缘InP单晶中均明显产生相当数量的深能级缺陷，而在磷化铁气氛下退火后，InP的缺陷数量明显减少.在退火过程中缺陷的产生与磷和铁的内扩散有直接关系.向内扩散的磷原子和铁原子占据晶格中铟位后，分别产生反位缺陷和铁深受主.实验结果表明，铁通过扩散充分占据了铟位，抑制了铟空位、磷反位等缺陷的形成，而磷气氛下退火后产生的缺陷有铟空位、磷反位等 ...
董志远, 赵有文
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Gaoya dianqi, 2018 对GIS开展局部放电检测与分析,能为其绝缘状态的评估提供依据,另外根据放电谱图的特征还可对缺陷类型进行识别。绝缘件缺陷是导致GIS产生局部放电的典型缺陷之一,文中介绍了利用局部放电检测发现的几起GIS绝缘件内部缺陷,基于特高频检测技术准确判断了缺陷类型并对缺陷位置进行了定位,分析发现固体绝缘与金属件接触面上的气隙是产生局部放电根本原因,为该类缺陷的检测分析提供借鉴。
宋东波 +6 more
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