Results 91 to 100 of about 79,706 (154)

用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

open access: yes, 2006
用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps.低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb.掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa,284 ...
唐方圆, 王柱, 邵云东, 赵有文
core  

GIS屏蔽罩松动状态特性仿真及试验分析

open access: yesGaoya dianqi
机械类缺陷是GIS设备运行阶段的常见缺陷之一。针对机械缺陷导致GIS异常振动问题开展机理研究,能够有效排查现场设备故障隐患。文中首先通过有限元建模,对某126 kV三相共体式GIS运行时可能出现的屏蔽罩松动缺陷进行仿真,探究设备在缺陷状态下的异常振动机理及特征。其次,分别对建立的GIS正常模型和屏蔽罩松动模型进行磁固耦合仿真,通过后处理获得了筒体上的振动结果。最后,搭建了同一型号的GIS试验平台进行了缺陷模拟试验,对相同缺陷状态下GIS运行振动信号进行了检测分析。结果表明,文中所分析的126 kV ...
刘咏飞   +6 more
doaj  

Research progress on renal calculus associate with inborn error of metabolism. [PDF]

open access: yesZhejiang Da Xue Xue Bao Yi Xue Ban, 2023
Song Y, Zhao C, Li D.
europepmc   +1 more source

一种修补钯及钯合金复合膜缺陷的方法

open access: yes, 2009
一种修补钯及钯合金复合膜缺陷的方法,通过将一种或多种有机物添加在钯化学镀液中,使得有机物只吸附在钯及钯合金复合膜表面,而不能进入缺陷内部。所述有机物为能够通过后处理过程去除的物质,或能够通过加热完全分解的物质。由于所述有机物吸附在钯及钯合金复合膜表面而使表面被覆盖,从而使金属的自催化沉积反应不会在钯及钯合金复合膜表面发生;另外由于所述有机物不能够进入缺陷内部,因而无法阻止金属的自催化沉积而使得缺陷被金属沉积修补。通过本发明修补后的钯及钯合金复合膜,在其致密性加强的同时,金属膜层的厚度不会增加 ...
徐恒泳   +2 more
core  

钢框架高等分析中初始几何缺陷的考虑方法

open access: yesJianzhu Gangjiegou Jinzhan, 2010
结构整体和构件的初始几何缺陷是结构产生非线性行为的影响因素之一,在目前的高等分析中常按最不利的缺陷分布来考虑它们的影响。采用蒙特卡罗法可以考虑初始几何缺陷的随机遇合问题,能更加合理地确定初始缺陷的分布规律。通过统计分析得到柱顶侧移和梁跨中挠度的概率密度函数,可由此确定框架可能的最大变形。某一六层单跨框架的计算结果表明:当按缺陷的最不利分布来施加不同的初始几何缺陷时,对框架的极限承载力影响不大,但对框架的侧向变形影响较大:初始几何缺陷越大,框架的最终变形也越大。但按蒙特卡罗法考虑不同的初始缺陷时 ...
金路, 张耀春, 赵金友, 邵永松
doaj  

非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究

open access: yes, 2010
本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构,电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性 ...
张丽然   +8 more
core  

初始几何缺陷对钢框架柱性能的影响(Ⅰ):理论模型

open access: yesJianzhu Gangjiegou Jinzhan, 2007
在钢框架二阶弹性分析中,结构整体初始几何缺陷和构件的初始几何缺陷是实际存在的,其影响不可忽略。因此在由单根柱和梁组成的平面子结构二阶弹性理论模型中,引入以上两种几何缺陷,得出了位移与内力的计算公式。利用该理论模型,可以考虑各参数对框架柱二阶效应的影响,并能系统分析框架结构整体几何缺陷与构件几何缺陷对二阶弹性弯矩的影响。
李国强, 侯和涛
doaj  

深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响

open access: yes, 2007
对铁掺杂和高温退火非掺杂磷化铟制备的两种半绝缘材料的电学补偿和深能级缺陷进行了分析和比较.根据热激电流谱(TSC)测得的深能级缺陷结果,分析了这两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响.在掺铁半绝缘InP材料中,由于存在高浓度的深能级缺陷参与电学补偿。降低了材料的补偿度和电学性能.相比之下,利用磷化饫气氛下高温退火非掺InP获得的半绝缘材料的深能级缺陷浓度很低,通过扩散掺入晶格的铁成为唯一的深受主补偿中心钉扎费米能级,材料表现出优异的电学性质 ...
王博   +5 more
core  

基于缺陷记录的直流主设备主要运行缺陷统计与分析

open access: yesGaoya dianqi, 2015
笔者通过统计分析了2000年1月到2013年7月间南方电网超高压公司记录的上万条缺陷记录,介绍并分析了直流主设备的缺陷情况。针对各直流主设备,通过缺陷数、百台设备缺陷数以及紧急缺陷数等统计指标,给出了直流主设备中需重点关注的设备,并通过分析主要设备常见缺陷的发生情况,给出了换流站不同设备应重点关注的问题,最终有针对性地给出相关的建议与意见。由于目前针对直流设备的统计与分析较少,因此,针对直流系统相关运维人员工作具有较强的指导作用。
陈岳   +4 more
doaj  

Home - About - Disclaimer - Privacy