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Dianci bileiqi, 2023 在直流输电工程中，大地回线和金属回线转换是一项十分重要的操作，而转换开关两侧并联的氧化锌避雷器阀片对其过电压进行限制，确保其能转换成功。在转换开关实际工况中，氧化锌避雷器阀片承受的实际工况多数为长脉宽冲击电流。通过肖特基势垒理论以及离子迁移率对氧化锌避雷器阀片在40 ms长脉宽冲击电流下的老化规律进行研究，得出以下结论：1)长脉宽冲击电流下，U1 mA先略微下降再到平缓甚至一直保持不变，即说明电流分布集中势垒较高的晶界层单元链中，并对阀片整体晶界层起到均一化作用。2)随着脉冲次数的增加，500 ...
卢文浩 +6 more
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Dianci bileiqi, 2021 与理论计算相结合的材料设计是现代材料科学发展的一个重要方向。基于密度泛函理论的第一性原理,在ZnO非线性电阻的设计与研究领域的应用以及最新研究进展进行了梳理。共分5个方面:1)第一性原计算的背景; 2) ZnO晶体及其表面的电子结构; 3) ZnO晶体本征缺陷及掺杂的电子结构; 4)双晶ZnO晶体界面的电子结构; 5) Bi偏析ZnO晶体界面的电子结构,即双肖特基势垒(n-p-n)。随着相关理论和计算方法的发展,以及计算机性能的不断提高,对ZnO非线性电阻的基本电子特性可以通过计算直接获得 ...
汤霖 +4 more
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Dianci bileiqi, 2021 金属氧化物避雷器是电力系统绝缘配合中的关键设备,避雷器的核心元件是压敏电阻。研究了一种新型的SnO2压敏电阻材料。为了进一步的改善SnO2压敏电阻的综合电气特性,研究了Sb2O5的掺杂对SnO2压敏电阻的微观结构和电气特性的影响。随着Sb5+掺杂量的逐渐增加,一方面Sb5+通过固溶在SnO2晶格中,从而产生大量的自由电子,大大降低了在大电流区SnO2的晶粒电阻率,使得残压比得到了有效抑制;另一方面增加了界面态密度Ni,改善晶界面上的肖特基势垒高度b,提高了SnO2压敏电阻的非线性系数 ...
刘冬季 +4 more
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Dianci bileiqi, 2023 用混合氧化物法制备掺杂CoO,Ta2O5,MnO2和Cr2O5的SnO2压敏陶瓷。研究了MnO2掺杂对SnO2微观结构和电学性能的影响。通过阿伦尼乌斯图揭示其在低频与高频中产生了不同的活化能，这些活化能与氧在晶界面的吸附和反应有关。我们发现MnO2提升了压敏电阻的非线性，在晶界区产生了O′和O″的吸附位点。O′和O″缺陷是晶界界面形成势垒的真正原因。
吴宇航 +4 more
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Dianci bileiqi, 1986 通过观察氧化锌非线性陶瓷的伏安特性、介电特性及热激电流,研究交直流偏置而引起的老化现象。由结果可以断定:直流偏置引起的现象是由于富氧化铋晶界层和肖特基势垒过渡层的离子迁移,非对称的肖特基势垒畸变所致;而交流偏置所引起的现象是因为肖特基势垒过渡层的离子迁移,对称的肖特基势垒畸变所致。还叙述了氧化锌非线性陶瓷的热击穿寿命与偏置条件,如偏置温度及偏置电压的关系。
Kazuo Eda, 苟雅江
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Dianci bileiqi, 2018 针对氧化锌压敏电阻直流作用下的老化问题。利用氧化锌压敏电阻肖特基势垒理论,对氧化锌压敏电阻在正极性和正、负极性直流交替作用下,氧化锌压敏电阻老化规律进行研究,得出以下结论:1)氧化锌压敏电阻在单一极性直流作用下,产生明显的极性效应。此外,极性效应和老化程度均随电流的增加而增大,当达到最高点时,出现减慢的现象。2)正、负极性电流交替作用时,ZnO压敏电阻出现极性补偿现象,使得肖特基势垒高度下降变慢,导致压敏电阻老化程度较单一极性电流作用下缓慢。
苑吉河 +4 more
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Dianci bileiqi, 2012 在低压电力系统中由于工频暂时过电压导致电源型电涌保护器Surge Protective De-vices（SPD）损坏事件时有发生。根据氧化锌压敏电阻的伏安特性,结合双肖特基势垒理论,利用热稳定仪和CJ1001型压敏电阻直流参数仪进行多次实验,通过对实验数据进行对比分析,提出了电源型SPD的工频暂时过电压耐受性不仅与MOV的电压梯度有关,还与低温焊锡连接点位置、通流容量、能量耐受密度等有关;MOV的工频热击穿为瞬态过程。
应达 +4 more
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Dianci bileiqi, 2014 为了分析直流氧化锌压敏电阻的老化性能及其试验方法,根据氧化锌压敏电阻的老化机理,结合双肖特基势垒和电子迁移理论,提出了直流氧化锌压敏电阻的老化劣化与其直流电压及冲击电流极性有关。通过针对同一型号多个压敏电阻进行的大量实验证明:长期承受直流工作电压及同极性的冲击电流冲击会使压敏电阻老化加速,反之其老化程度明显降低。
刘琦, 赵军, 张利华, 冯凯
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Dianci bileiqi, 2014 用MOV（氧化锌压敏电阻）的静态参数（压敏电压U1mA和漏电流IL）判定其劣化程度,只能直观反映压敏电阻的整体性能,而不能及时有效地的表征出压敏电阻的老化劣化趋势。根据MOV的U-I特性,结合肖特基势垒模型及离子迁移理论,提出MOV劣化过程中必然伴随着动态电阻Rd的变化。通过针对同一型号的MOV在不同脉冲电流下的大量实验分析得出:劣化前,8/20下Rd都呈"U"型分布,10/350下Rd呈缓慢递增后急速上升的趋势;劣化后,8/20下Rd没有明显变化,只有局部降低趋势而10/350下的Rd则出现不规则震荡。
徐乐 +4 more
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Dianci bileiqi, 2014 残压比是衡量压敏电阻性能的一项重要指标,针对压敏电阻在冲击老化过程中残压比的变化问题,通过对压敏电阻样品进行8/20μs雷电流冲击老化试验,发现残压比在标称电流（In）冲击老化试验过程中呈现缓慢降低--缓慢增加--快速上升的变化趋势;根据双肖特基势垒理论及热老化理论分析,得出冲击过程中残压比的大小主要由晶界层状态所决定,残压比快速上升阶段是由于晶界层大量破坏的结论;提出了利用残压比变化率来衡量压敏电阻老化程度的方法,在实际应用中具有参考价值。
陈璞阳 +4 more
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