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Dianci bileiqi, 2023 在直流输电工程中，大地回线和金属回线转换是一项十分重要的操作，而转换开关两侧并联的氧化锌避雷器阀片对其过电压进行限制，确保其能转换成功。在转换开关实际工况中，氧化锌避雷器阀片承受的实际工况多数为长脉宽冲击电流。通过肖特基势垒理论以及离子迁移率对氧化锌避雷器阀片在40 ms长脉宽冲击电流下的老化规律进行研究，得出以下结论：1)长脉宽冲击电流下，U1 mA先略微下降再到平缓甚至一直保持不变，即说明电流分布集中势垒较高的晶界层单元链中，并对阀片整体晶界层起到均一化作用。2)随着脉冲次数的增加，500 ...
卢文浩 +6 more
doaj
Dianci bileiqi, 2021 与理论计算相结合的材料设计是现代材料科学发展的一个重要方向。基于密度泛函理论的第一性原理,在ZnO非线性电阻的设计与研究领域的应用以及最新研究进展进行了梳理。共分5个方面:1)第一性原计算的背景; 2) ZnO晶体及其表面的电子结构; 3) ZnO晶体本征缺陷及掺杂的电子结构; 4)双晶ZnO晶体界面的电子结构; 5) Bi偏析ZnO晶体界面的电子结构,即双肖特基势垒(n-p-n)。随着相关理论和计算方法的发展,以及计算机性能的不断提高,对ZnO非线性电阻的基本电子特性可以通过计算直接获得 ...
汤霖 +4 more
doaj
Dianci bileiqi, 2021 金属氧化物避雷器是电力系统绝缘配合中的关键设备,避雷器的核心元件是压敏电阻。研究了一种新型的SnO2压敏电阻材料。为了进一步的改善SnO2压敏电阻的综合电气特性,研究了Sb2O5的掺杂对SnO2压敏电阻的微观结构和电气特性的影响。随着Sb5+掺杂量的逐渐增加,一方面Sb5+通过固溶在SnO2晶格中,从而产生大量的自由电子,大大降低了在大电流区SnO2的晶粒电阻率,使得残压比得到了有效抑制;另一方面增加了界面态密度Ni,改善晶界面上的肖特基势垒高度b,提高了SnO2压敏电阻的非线性系数 ...
刘冬季 +4 more
doaj
Dianci bileiqi, 2023 用混合氧化物法制备掺杂CoO,Ta2O5,MnO2和Cr2O5的SnO2压敏陶瓷。研究了MnO2掺杂对SnO2微观结构和电学性能的影响。通过阿伦尼乌斯图揭示其在低频与高频中产生了不同的活化能，这些活化能与氧在晶界面的吸附和反应有关。我们发现MnO2提升了压敏电阻的非线性，在晶界区产生了O′和O″的吸附位点。O′和O″缺陷是晶界界面形成势垒的真正原因。
吴宇航 +4 more
doaj
Resistive switching property of HfO2 film prepared by atomic layer deposition and its 1D1R device [PDF]
, 2016 随着信息科学与微电子技术的发展，闪存已经成为今天市场上主流的非易失性存储器。但是随着浮栅存储器件尺寸的不断缩小，浮栅耦合、电荷泄漏、单元之间的串扰等问题日益严峻，开发更小尺寸、更低功耗和更高集成度的新型存储单元已成必然趋势。在新型非易失性存储器的研究中，阻变存储器由于结构简单、读写速度快、存储密度高、操作电压低、与CMOS工艺兼容性好等优势有望成为新一代非易失性存储器。本文基于原子层沉积生长的HfO2薄膜，研究了在不同温度下原子层沉积生长HfO2薄膜的阻变特性，确定了最佳工艺温度；在此基础上 ...
陆超
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Modification of Ge surface by plasma technology and its application in GOI and Al/n-Ge contact [PDF]
, 2016 锗材料由于具有比硅材料高的电子和空穴迁移率，在通信波段有较高的吸收系数并且与成熟的硅工艺相兼容等优点，使其成为下一代高性能微电子器件的首选替代材料。然而Ge器件存在着漏电流大的致命缺点，同时Ge器件尺寸的缩小会引入一些小尺寸效应。绝缘体上锗（Germanium-on-Insulator，GOI）结合了Ge材料及SOI（Silicon-on-Insulator）结构的优点，其独特的全介质隔离结构可以很好地解决体Ge材料器件的不足。虽然采用智能剥离技术（Smart-cutTM ...
赖淑妹
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Realization mechanism and performance of room-temperature gas sensors [PDF]
, 2016 降低工作温度对于提高气体传感器的安全性，增加便携式或可穿戴设备的续航时间和组建高可靠性的无线传感网络有至关重要的作用。然而对于金属氧化物气体传感器来说，工作温度的降低并不是一件简单的事情。任何定量检测的本质都是事先构建一个可量化的不稳定平衡，然后让待测物打破这个平衡来获得响应。把传感器看作一个封闭系统，工作温度的降低意味着系统稳定性的增强，以至于在较低的温度下电流（或电压）平衡难以被痕量待测气体的出现所打破。近年来有研究表明借助紫外光活化可以显著地降低气体传感器的工作温度，甚至实现了对多种气体的室温检测，
刘彬
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Simulation and experimental study of III-nitride photovoltaic cells [PDF]
, 2012 作为第三代半导体材料，合金的禁带宽度可以在0.7eV（InN）~3.4eV(GaN)范围内连续可调，其吸收光谱和太阳光谱有着近乎理想的匹配；它是直接禁带材料，具有很高的吸收系数；并且它具有高硬度，耐高温，耐辐射的优点，这些优点使得合金成为制备高效率太空层叠太阳电池的很有潜力的候选者。本论文在InGaN太阳电池的器件制作、性能测试和理论模拟等方面进行了细致深入的研究工作，具体的研究内容如下： 1.从实验上制备了In组分为0.07和0.13、两种电极结构(半透明扩展层和指状电极)的Ni/InGaN ...
林硕
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Modeling of the photoelectronic characteristics of a new 4H-SiC avalanche photodiode [PDF]
, 2015 紫外波段的光电探测器广泛应用于火箭发射、导弹跟踪、火焰探测、紫外通信以及紫外辐射测量等领域，具有很高的应用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器具有低漏电流、高的量子效率、紫外可见抑制比高、抗辐射和耐高温等优点，是目前最具应用前景的紫外光电探测器。国内外多个课题组都对4H-SiC基紫外光电探测器进行了研究，成功制备出了多种结构的性能优越的4H-SiC紫外光电探测器，并在继续探索新结构的性能更优越的光电探测器。 本文基于传统的PIN结构和吸收-倍增-分离(SAM)结构的4H ...
钟金祥
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Dianci bileiqi, 1986 通过观察氧化锌非线性陶瓷的伏安特性、介电特性及热激电流,研究交直流偏置而引起的老化现象。由结果可以断定:直流偏置引起的现象是由于富氧化铋晶界层和肖特基势垒过渡层的离子迁移,非对称的肖特基势垒畸变所致;而交流偏置所引起的现象是因为肖特基势垒过渡层的离子迁移,对称的肖特基势垒畸变所致。还叙述了氧化锌非线性陶瓷的热击穿寿命与偏置条件,如偏置温度及偏置电压的关系。
Kazuo Eda, 苟雅江
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