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550 kV HGIS接地线电流分布特性及其对地网的电腐蚀研究
Gaoya dianqi, 2017 土壤中的碳钢接地材料在电流的作用下会发生腐蚀,从而改变地网的状态,影响主设备的安全运行。为了研究超高压组合电器（hybrid gas insulated substation,HGIS）外壳接地线电流的分布特性,分析其对接地体的腐蚀影响,文中建立了管母线外壳接地线电流分布数学模型,通过对接地线电流的大量实测和统计分析,验证了模型的有效性和正确性。最后,结合试验研究了不同电流密度对碳钢材料的腐蚀作用,提出了电流密度与腐蚀速率关系函数。研究表明:外壳接地线电流大小呈振荡波形分布,并无统一的分布规律 ...
李爽 +4 more
doaj
, 2008 设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1 W/A和38.2 W。测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm~(-1)和91.6%。测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs ...
冯小明 +8 more
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Dianci bileiqi, 2018 大量研究表明,闪电放电类型与雷暴云空间电荷分布密切相关,但雷暴云电荷分布对闪电放电影响的定量化研究还比较少见。采用空间电荷分布模型、随机放电方案,进行二维高分辨率闪电放电模拟实验,主要研究电荷区域水平尺度范围对闪电放电类型的影响。结果表明:当雷暴云为三极性空间分布时,随着底部电荷水平范围的扩大,闪电类型从正极性云闪向负地闪再向反极性云闪变化。当存在云顶屏蔽层时,情况与三极性的相似,而区别在于发生正常极性云闪的电荷密度范围变小,负地闪的负先导首先会在云区内有一段水平传播的趋势。
王艳辉 +3 more
doaj
, 2006 提出了一种用于视网膜修复的脉冲频率调制电路结构．该电路产生频率正比于入射光强度的电脉冲序列．论证分析了该电路的基本特性，并基于0．6μm CMOS工艺进行了流片．仿真结果表明 ...
裴为华 +4 more
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Gaoya dianqi, 2004 对介质阻挡放电空间的电荷传输特性进行研究,可以在实际应用中优化设计、提高放电效率。通过在实验室建立的介质阻挡放电装置,研究了外加电压幅值、气隙距离、阻挡介质的厚度和介电常数等因素对放电空间传输电荷的影响试验结果表明,放电空间在一个周期传输的电荷量随外加电压幅值和介质介电常数的增加而增加,随气隙距离和介质厚度的增加而减小。
方志, 邱毓昌, 王辉, 孙岩洲
doaj
, 1981 一、基本要求TEA CO_2激光器脉冲高压电源电压通常在40—60KV,电流甚小;而高速流动连续波大功率CO_2激光,又需要安培级的大电流直流电源,电压较低,约10kV 以下,这两套电源都是高压大功率电源,加上调压器和操纵台,体积庞大,费用不小。为提高设备利用率,缩小实验室占地面积,节省投资 ...
胡昌信, 甄艳芬
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, 2012 介绍了分频型和联合型集成太阳能光伏发电和温差发电的复合系统的原理,分别建立了聚光光伏和温差发电系统的数学模型,对不同聚光比和换热系数下的发电系统效率进行了计算和比较。结果表明：分频型复合发电系统效率优于联合型复合发电系统。随着聚光比增大,在冷却良好条件下分频型复合发电系统总效率随之增大,而联合型复合发电系统的总效率随聚光比增大而降低;同时换热系数越高,发电系统的性能越好 ...
李文博 +3 more
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, 2004 稀磁半导体可能同时利用载流子的自旋和电荷自由度构造将磁、电集于一体的半导体器件.尤其是铁磁半导体材料的出现带动了半导体自旋电子学的发展.室温铁磁半导体材料的制备,半导体材料中有效的自旋注入,以及自旋在半导体结构中输运和操作已成为目前半导体自旋电子学领域中的热门课题.稀磁半导体呈现出强烈的自旋相关的光学性质和输运性质 ...
夏建白, 常凯
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Dianci bileiqi, 1992 介绍在直流电压作用下在水平安装的380kV电器上支柱绝缘子表面电荷产生和中和过程的实验研究结果.实验在清洁的大气中和在SF6气体中进行,气温20℃,气压1Pa,湿度11g/m3,施加直流电压56kV.主要的研究方向是确定在56kV的同极性的直流电压下绝缘子表面电荷产生的时间和不同环境湿度下切除电压后电荷中和的时间.证明了施加直流后约30min内产生了对绝缘强度构成危险的电荷密度 ...
doaj
Guangtongxin yanjiu, 2013 对氮化镓（InGaN/GaN）型MQW（多量子阱）结构的蓝宝石衬底LED（发光二极管）受自发和压电极化效应的影响进行了研究。为了分析LED的输出特性,利用MATLAB软件对传统水平结构的InGaN/GaN型MQW蓝光LED芯片进行了模拟。研究表明,LED各个界面极化电荷同比例增加能稍微改善LED的电学特性,但却显著降低了LED的光输出功率和内量子效率,这主要是由于界面电荷改变了能带结构,阻碍了空穴的扩散与漂移,降低了辐射复合系数。可以通过改变位错密度来降低极化电荷对LED的影响,改善LED的性能。
张建亚, 黄勇林, 赵宇坤
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