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, 2007 提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860～960 MHz.基于0.18μm,1p6m的标准数字CMOS工艺,设计并实现了无源UHF RFID标签芯片的整流器.该设计采用开关电容电路技术动态地消除了CMOS管开启电压的问题,在标准数字CMOS工艺下实现了高效率的超高频整流器.整流器的面积为180μm×140μm.当输入900MHz,-16dBm的射频信号时,整流器的输出电压为1.2V,
周盛华, 吴南健
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四川大学学报. 自然科学版, 2011 针对基于迭代反投影(IBP)算法的视频超分辨率重建,提出了一种改善初始估计来提高重建效果的方法.本文采用小波局部适应插值得到初始估计,结合滑动窗的视频重建模型,由一段低分辨率的视频重建一段高分辨率的视频,达到提高视频空间分辨率的目的.实验表明改进算法得到的高分辨率视频有更好的视觉效果.
吴媛媛 +3 more
doaj
Gaoya dianqi, 2023 高压电缆终端的绝缘可靠性直接关系着城市输电网络的稳定运行。常用超声检测法开展高压电缆终端局部放电检测以及绝缘性能评估。在运的高压电缆终端一般有充油式和干式两种类型，目前缺乏对局部放电超声信号在两种类型的终端中传播特性的对比研究。因此文中首先从基本结构和材料特性上阐述了充油和干式电缆终端的区别。随后采用电—力—声类比方法说明电缆终端中局部放电产生超声信号的机理。利用有限元方法建立充油终端和干式终端的仿真模型，在不同位置施加不同频率的超声信号，获取超声信号在不同介质中的传播规律及分布特性 ...
何维晟 +6 more
doaj
, 1988 本文研究了用高频等离子体合成Si_3N_4超细粉料.进行了合成系统的设计、参数选择,发展了利用“磁泵”效应把反应气体送入弧区和用氢气调整高频机——等离子体负载匹配的方法,分析了反应过程,作了数值计算 ...
阎嘉坪, 朱清文
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Zhongguo shiyan zhenduanxue, 2010 目的探讨经直肠高频彩色多普勒超声诊断直肠肛管周围脓肿的声像图特点及术前定位的临床应用价值。方法应用7-10 MHz的高频双平面探头,对88例直肠肛周脓肿患者进行经直肠彩色多普勒超声（简称腔内超声）检查,并应用常规腹部3.5 MHz探头在体表肛门周围超声（简称肛周超声）,观察声像图特征,分析对比这两种超声方法对肛周脓肿的诊断、内口判断的准确性。结果本组病人腔内超声与肛周超声对脓肿是否形成及脓肿内口的判定均有显著性差异 ...
辛明志, 刘海丽, 王钟焰
doaj
, 2005 基于激光器速率方程和等效电路模型对激光器高频响应特性进行分析，提出了一种采用激光器频率响应扣除法提取有源区本征响应和预测激光器整体频率响应的仿真新方法．用该方法对实验样品的高频调制响应进行了仿真 ...
伞海生, 张尚剑, 刘超, 祝宁华
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, 2013 本发明提出了一种用于高速目标测量的大视场高帧频系统，包括依次连接的前端成像单元、FPGA逻辑控制电路单元、DSP信号处理电路单元以及供电电路，供电电路分别与前端成像单元、FPGA逻辑控制电路单元、DSP信号处理电路单元连接。本发明用于高速目标测量的大视场高帧频系统及方法，用于高速目标捕获跟踪系统 ...
李瑛 +5 more
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, 2010 基于(超)高频数据的金融市场风险度量方法是一个崭新的研究领域。(超)高频数据因包含了更多的信息,能够提供更丰富的数据资源而备受关注。本文梳理了基于(超)高频数据的五种风险度量方法:分别基于“已实现“波动率模型、ACd族模型、高频极值理论、非参数核密度估计方法、分位数回归理论。本文对这五种方法的研究现状及研究中存在的问题进行了探讨 ...
苗晓宇
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Gaoya dianqi, 2010 介绍了高压断路器内绝缘介质——SF6气体的分解,详细说明了现行较先进的高压断路器特高频法及超声法局部放电技术。同时也引入了SF6纯度分析方法及其中微量水分的检测方法,介绍了交接时SF6气体的控制指标。引入一运行断路器,对其进行缺陷分析诊断,利用局部放电检测方法分析判断高压断路器的缺陷。对SF6纯度分析提出了一些见解,为今后运行SF6气体的控制指标、特高频法、超声法局部放电技术的完善提供了有益的指导作用。
张若飞, 杜黎明, 张利燕
doaj
, 1990 本文述及高频等离子法制取超细Si_3N_4粉末的原理、装置,工艺参数及粉末性能的一些检测结果。利用SiCl_4+NH_3气-气相反应,所得白色粉末含有NH_4Cl晶体,热重分析表明350℃失重停止,280℃失重速率最快,经400～700℃处理后的粉末仍为非晶,不含NH_4Cl,BET测得比表面积为75.8 m~2/g,X光小角度散射法测粒子半径分布主峰R为100～150,且符合正态对数分布规律,平均直径=527;1400℃处理后,X光衍射测得主相为α-Si_3N_4、次相为Si_2N_2O,粒径明显长大,
朱清文 +6 more
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