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, 2014 本实用新型公开了一种单光源双波长激光诱导击穿光谱测量装置。该装置主要包括脉冲激光器、倍频晶体、分光镜、第一全反射镜、第二全反射镜、光快门、光谱仪、同步延迟控制器；脉冲激光器产生的激光通过倍频晶体后分为基频光和倍频光，照射在分光镜上；倍频光经所述第一全反射镜反射后垂直照射于待测样品的表面；基频光经过所述光快门、然后被所述第二全反射镜反射后平行照射在待测样品表面的上方1-5mm处；待测样品被激发出的等离子体产生的光谱信号会聚至光纤收集头，传送至光谱仪。本实用新型在实现双脉冲LIBS高探测灵敏度的同时 ...
汤洁 +4 more
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Gaoya dianqi, 1998 从物理冶金和电工理论两个角度探讨了老炼机理,认为它是反复电击穿后击穿强度升高的一种现象。在此基础上,重点论述了阴极面积、表面处理、放电能量对老炼效果的影响规律。
陈献峰, 王亚平, 丁秉钧
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, 2015 本发明公开了一种用于激光诱导击穿光谱的小波阈值降噪的阈值校正方法，基于合理的阈值校正数学模型，通过灰色理论和模糊理论计算得到校正后的阈值并用于激光诱导击穿光谱的小波阈值降噪。通过本方法取得了很好的激光诱导击穿光谱的降噪效果 ...
齐立峰 +6 more
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Gaoya dianqi, 2016 非保持破坏性放电（NSDD）是真空断路器在开断故障电流后发生的电压跌落,不会导致工频电流恢复。与NSDD不同,重击穿时触头间非剩余电流的重现会导致断路器开断失败。在某些型式试验中,NSDD与重击穿现象并不容易区分,相关标准也未给出明确判据,为了能让实验室给出正确的试验结论,文中分别对单相电容器组关合回路与中性点非有效接地系统三相容性电流开合试验替代回路的电击穿过程进行计算,并分析了真空断路器的开断过程,最终分别给出了中性点有效接地系统与中性点非有效接地系统三相容性电流开合试验回路中 ...
董玮 +4 more
doaj
Gaoya dianqi, 2016 特高压电容器组专用断路器不但要满足短路大电流的开断要求,而且要保证额定小电流开断后不发生重击穿。文中比较分析不同灭弧室结构的绝缘性能和冷态介质恢复特性,确定最佳的灭弧室结构。计算额定1.6 k A小电流短燃弧和短路40 k A大电流开断特性,搭建试验回路,测量不同开距下的击穿电压值。结果表明:灭弧室内引弧环结构增大弧触头间的电场值,降低冷态开断介质恢复速度和击穿裕度;屏蔽罩结构对大喷口打开后的弧触头间电场分布具有屏蔽作用;小电流电弧燃弧时间越短,击穿裕度值越小,尽量避免燃弧时间小于0.5 ms ...
隋玉秋 +5 more
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Gaoya dianqi双断口真空断路器能够有效提高耐受电压水平，显著降低重燃率，进而提升无功投切性能，具有重要的工程实际意义。文中通过实验分别研究了双断口真空断路器在直流电压下不并联均压电容以及并联均压电容条件下关合时的预击穿特性，包括预击穿开距及其分散性、预击穿电压、预击穿场强，并计算其威布尔分布。结果表明，通过并联合理大小的均压电容（约100 pF）可以使双断口分压更加均匀，从而有效改善双断口真空断路器的预击穿特性。实验结果表明，随着均压电容的增大，当均压电容值超过500 pF后，双断口真空断路器的预击穿特性将会变差 ...
李洪伟 +4 more
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Dianci bileiqi, 2020 断线过电压是电力系统常见的一种铁磁谐振过电压,严重的可引发避雷器击穿,电气设备外绝缘闪络等事故。以一起35 kV线路断线后避雷器击穿事故为例,分析线路断线后过电压的产生机理。首先介绍了故障避雷器的解剖过程,排除避雷器因质量、选型、受潮等原因引起的击穿。其次采用ATP-EMTP电磁暂态法详细分析故障线路的发生断线后的过电压产生机理。最终得出,由于跳线断线并接地,引起变压器和线路电容产生谐振过电压是引起避雷器本体击穿的主要原因。
梁富光
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, 2020 高速撞击穿透器以碰撞的方式嵌入天体内部,由于其着陆速度大,碰撞产生的过载严重,为了保证科学载荷在碰撞后能正常工作并且足够灵敏,必须对其进行减振防护。该研究对穿透器的减振结构进行设计,采用非线性有限元技术对穿透器的侵彻过程进行仿真分析,确定了穿透器的着陆速度,并研究了主要减振结构,即泡沫填充铝薄壁管,在碰撞载荷作用下的动态响应和能量吸收问题。从分析结果看,泡沫铝填充薄壁管在隔冲效率和能量吸收方面有较好的效果。
陈士朋, 刘广明, 骆海涛, 富佳
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Gaoya dianqi, 1995 绝缘耐受能力是高压电器设备的一个重要参数。绝缘击穿呈现随机性,是一概率事件,IEC及GB标准规定:进行绝缘耐受能力试验时,在设备上施加的电压为90％概率值的耐受电压,即加压后设备不致被击穿的概率值为90％,击穿的概率值为10％。对于此类概率事件,从理论上讲,试验次数越多,其特性表露得越接近实际情况,但实际上却不允许这样做。这是因为,一些设备的非自恢复型绝缘价格昂贵,既不允许击穿 ...
盛勇, 曹荣江
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Dianci bileiqi, 2010 耐击穿性是衡量绝缘子性能的重要参数之一,提高抗击穿性对提高绝缘子的内绝缘品质,增强绝缘子的工作稳定性都有着重要意义。当不能再提升材料介电能力时,合理优化产品结构便成为提升其性能的有效途径。通过有限元分析软件ANSYS,分析不同的绝缘子头部结构对场强的影响,判断出合理的场强分布,圆角半径在8.215 mm之间可以获得比较理想的结果,若半径大于15 mm,则产品承力面过小,对力学性能影响较大,若半径小于8.2mm,则场强过大,对产品的耐击穿性能影响较大。
高军, 王永晖
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