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, 2006 光催化具有能耗低、操作简单、无二次污染等突出特点，在污染物处理、有机合成、催化制氢等能源环境领域具有潜在的发展前景。但是光催化活性和转化效率普遍较低仍是光催化应用最大的瓶颈之一。本文通过对TiO2的Zr离子控制掺杂，来探讨提高光催化剂活性的途径，并运用到可见光催化剂InVO4的控制掺杂改性上，最后分析了控制掺杂提高光催化剂活性的机理。 本文采用溶胶-凝胶法，利用控制掺杂工艺，制备了Zr非均匀分布TiO2薄膜催化剂、Ni非均匀分布InVO4薄膜催化剂，并合成了Ni-InVO4复合粉末催化剂。通过XRD ...
樊俊林
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, 2011 本发明公开了一种纳米相掺杂的碲化铋基热电材料及其制备方法，该碲化铋基热电材料以碲元素、铋元素和掺杂元素组成的碲化铋基热电材料为基体，在基体中掺杂纳米相所述的纳米相是一维纳米相，所述的一维纳米相的质量占基体质量的0.01％到5％。其中一维纳米相优选凹凸棒土、氧化锌纳米线、单臂碳纳米管或多壁碳纳米管。与现有技术相比，本发明的碲化铋基热电材料在整个温区范围内大幅度降低了晶格热导率，从而大大提高了ZT值，改善了碲化铋基热电材料的热电性能；本发明的制备方法简单易行，相比球磨或液相等其它方法，不易引入杂质 ...
李炜 +7 more
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, 2019 本发明属于光催化材料技术领域，公开了一种固载型铜铒共掺杂铁酸铋光催化剂及其制法和应用。该光催化剂由以下方法制备得到：(1)将光催化剂载体放入酸性溶液中浸泡，然后取出洗净并烘干，再高温煅烧备用；(2)将含铁化合物、含铋化合物、含铜化合物及含铒化合物分批溶于同一种硝酸溶液中，得溶液A；(3)持续搅拌条件下向溶液A中滴加碱性溶液，直至沉淀完全，形成胶体；(4)将步骤(1)中高温煅烧后的光催化剂载体浸入步骤(3)中的胶体中，取出在高温条件下煅烧即得固载型铜铒共掺杂铁酸铋光催化剂 ...
陈志鸿 +3 more
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, 2015 本发明提供一种掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其包括如下步骤：a根据第一性原理计算模拟金属原子与碳原子的成键特征，筛选出与碳原子具有反键特征的掺杂金属元素；b通过离子束法形成类金刚石薄膜，并在类金刚石薄膜的成膜过程中通过磁控溅射法向所述类金刚石薄膜掺杂至少一种该掺杂金属元素，得到掺杂类金刚石薄膜，其中该掺杂金属元素的原子百分含量为0.13％～40 ...
徐胜 +5 more
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, 2014 一种可恒温的掺杂剂组件装置。由本体、上盖、密封圈和掺杂剂玻璃瓶构成。本体是一个可放置掺杂剂玻璃瓶的顶端开放式腔体，该腔体上下端分别连接着一个进气管和一个出气管，本体底部嵌入一个加热棒和一个温度传感器，本体顶端外壁有外螺纹；上盖内壁有内螺纹，上盖内嵌了密封圈；本体与上盖之间通过螺纹而连接在一起，并通过上盖内嵌密封圈来实现密封。通过本体的加热棒、温度传感器等控制单元来控制组件装置的温度并保持恒温，空气通过本体的进气管进入，流经掺杂剂玻璃瓶并与渗透出来的掺杂剂混合，经本体的出气管流出 ...
李京华 +3 more
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[Progress in preparation of hollow nanomaterials and their application to sample pretreatment]. [PDF]
Se Pu, 2023 Wang XM +5 more
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, 2009 本发明属于介孔碳材料，具体涉及一种高比表面积的过渡金属掺杂的介孔碳材料的制备方法。其以过渡金属掺杂的高分子为碳化前驱物，以嵌段聚合物为成孔剂，利用两者在易挥发的溶剂中形成的超分子自组装结构，于固化剂存在下，在一定的温度下固化，形成过渡金属掺杂的高分子介观结构。通过在惰性气氛下焙烧除去成孔剂，可以制备过渡金属掺杂的介孔高分子材料。将制得的过渡金属掺杂的介孔高分子材料在惰性气氛下高温碳化，得到过渡金属掺杂的介孔碳材料 ...
包信和, 王春雷, 马 丁
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Gongye shui chuli为克服金属活性位点的氧化还原反应限制，提高H2O2利用率，实现水中土霉素的高效去除，采用水热法制备了钙掺杂的BiOCl（Ca-BiOCl）催化剂，通过X射线衍射技术、透射电子显微镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱等表征技术对样品的形貌和结构进行表征分析。研究了Ca-BiOCl催化类Fenton降解土霉素的性能，考察了相关反应参数和环境条件对土霉素降解效果的影响。结果表明：Ca的最佳掺杂量为1.2 mmol/L，此时12Ca-BiOCl的催化活性最佳。在12Ca-BiOCl催化的类Fenton体系中 ...
周大为 +5 more
doaj +2 more sources
, 2015 本发明公开了一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法，采用磁控溅射的方法，以富碳材料作为溅射靶材，以氮气或者氮气与氩气的混合气体作为溅射气氛，以金属、无机半导体材料或无机绝缘材料作为衬底制备氮掺杂碳膜，所述衬底温度为20～500℃；在真空、氮气气氛或惰性气氛中，在300～1000℃下，氮掺杂碳膜经热处理10秒～20小时后，得到所述的氮掺杂多孔碳薄膜材料。本方法无需模板，不消耗有机溶剂，简单易行；本方法制备的氮掺杂多孔碳薄膜材料具有N含量、孔尺寸可调的特点，N含量最高可达30 ...
曹鸿涛, 陈浩, 诸葛飞
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, 2008 研究了In掺杂n型ZnO体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、X射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行了分析.掺In后容易获得浓度为10~(18)～10~(19)cm~(-3)的n型ZnO单晶,掺入杂质的激活效率很高.随着掺杂浓度的提高,ZnO单晶的带边吸收和电学性质等发生明显的变化.分析了掺In ...
董志远 +4 more
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