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Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性

open access: yes, 2000
首次细致地研究了InAs量子点中直接掺杂Be对其发光特性的影响。光致发光(PL)谱的研究表明,较低掺杂浓度时,发光峰蓝移,同时伴随着发光谱线窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响,发光强度明显变弱 ...
宁东   +6 more
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Ni掺杂TiO2和Cu2O/TiO2复合薄膜的光催化活性

open access: yes, 2006
光催化技术是自20世纪70年代逐步发展起来的一门新兴的高级氧化技术,它利用光催化剂在光照下产生的光生电子的还原性能和光生空穴的氧化性能,可有效的分解各种污染物,在环境治理和环保材料的应用等领域具有广阔的应用前景。光催化技术的核心是光催化剂,提高光催化剂的催化活性是光催化技术应用的关键。本文通过对Ni掺杂TiO2和Cu2O/TiO2复合薄膜的光电性能和光催化活性的研究,探讨了半导体金属离子掺杂形成缓变结和半导体复合形成突变结对催化剂光催化活性增强的机理,为高性能的光催化剂开发及光催化技术的应用提供理论基础。
于华
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Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究

open access: yes, 2008
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值 ...
邢海英   +5 more
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一种光纤预制棒的掺杂装置及掺杂方法

open access: yes, 2013
本发明提供一种光纤预制棒的掺杂装置及掺杂方法,其包括加热系统、传输系统和改进的化学气相沉积系统。加热系统包括加热蒸发罐、连通加热蒸发罐的进气导管和出气导管,传输系统包括加热保温传输管和加热保温板,用以通入高纯氧气的氧气管和出气导管分别接入设有相应接口的加热保温传输管中;加热保温传输管的输出端与改进的化学气相沉积系统的旋转部分连通,各个加热蒸发罐内装有不同的有机金属螯合物;其中,至少有一个加热蒸发罐内的有机金属螯合物作为掺杂剂。应用本掺杂装置可以实现全气相掺杂,全程保温,使气体不易凝结 ...
林傲祥   +7 more
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MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器

open access: yes, 2000
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 ...
马晓宇   +8 more
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一种掺杂剂辅助电离源及其在离子迁移谱中的应用

open access: yes, 2014
本发明涉及一种掺杂剂辅助的电离源,这种电离源利用了紫外灯照射掺杂剂电离产生的电子以及照射载气产生的光化学反应。它包括两部分:紫外光源和内装填有掺杂剂的容器。紫外光照射易电离的掺杂剂能够产生低能量的光电子。光电子可以吸附到载气中光化学产生的O3上得到O3-,O3-或其水合离子O3(H2O)n可以和空气中存在的大量CO2反应生成CO3-(H2O)n(n=0-3)。CO3-(H2O)n可以作为试剂离子和待测物发生反应,使待测物电离形成产物离子。将掺杂剂辅助的电离源用于离子迁移谱 ...
陈创   +5 more
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一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法

open access: yes
本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中掺杂效率的方法,该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的碲,然后在N2气氛下退火,并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮化物上的碲。利用本发明,使镁在III-V族氮化物中的掺杂效率大大的提高,增加了p型III ...
纪攀峰, 朱峰, 李京波
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SiO2胶体微球的稀土掺杂与自组装研究

open access: yes, 2007
稀土掺杂二氧化硅(SiO2)胶体微球在光学、材料科学、生物学等领域具有广阔的应用前景。因此,制备和研究稀土掺杂SiO2胶体微球具有非常重要的科学和应用价值。利用单分散性SiO2胶体微球的自组装特性制备胶体光子晶体是制备三维光子晶体一种重要方法。本论文就SiO2胶体微球的制备、稀土掺杂和自组装等三个方面开展了研究工作。首先,采用两种制备方法(碱催化法和酸催化法)利用正硅酸乙酯的水解和缩聚反应研制了SiO2胶体微球,研究了焙烧过程中SiO2胶体微球微观结构的演化规律。详细给出了SiO2胶体微球的成核长大机制,
黄昌清
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一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法

open access: yes
本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法,在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物,使用SiH4和/或Cp2Mg作为掺杂剂,使用交替供源气体的方式来实现n型和p型的有效掺杂。利用本发明,实现了利用Si和Mg对III-V氮化物进行n型和p型的有效掺杂,不但能够改善材料的晶体质量,降低材料的位错,而且能够提高III-V氮化物的n型和p型的掺杂效率和浓度。在提高了n型和p型III-V氮化物的掺杂效率和浓度之后 ...
李晋闽   +6 more
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掺杂SnO2 纳米粉体的水热制备及其表面物理化学研究

open access: yes, 2007
二氧化锡(SnO2)纳米结构已经在气敏传感器应用中展示了巨大的应用潜力。 探索SnO2 纳米结构的可控制备方法,阐明元素掺杂对其表面物理化学特性、灵敏度、选择性和热稳定性等的影响规律,将有助于获得更高性能的气敏传感材料。 本论文采用非模板水热法可控制备了纯相和掺杂SnO2 纳米结构,综合运用多种 现代分析方法研究了其微观结构、表面特性和热稳定性,采用传统烧结型传感器结构研究了其气敏性能。论文主要研究成果如下: 1.采用SnCl2 和NaOH 为主要原料通过水热法改变不同溶剂在温和条件下实现 ...
李月
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