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一种催化剂掺杂的镁基储氢材料及制备

open access: yes, 2014
本发明涉及一种用LiAlH4和K2TiF6制备的催化剂掺杂的MgH2储氢材料的制备方法,该催化剂通过在氢压下机械球磨的方法制备而得,该材料通过机械球磨法制备而得,当催化剂掺杂量为1-20wt%时,该材料在300℃时5000s内放氢量达到了7.1wt%,在200℃时5000s内放氢量达到了5.2wt%。在300℃恒温将氢气脱出完全后,在200℃,2Mpa氢压下吸氢,第一次在5000s吸氢4.7wt%,从第二次到第五次循环基本保持在5000s吸氢4.3wt ...
徐芬   +5 more
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一种掺杂有机溶剂的膜进样离子迁移谱仪

open access: yes, 2014
本发明设计了一种掺杂有机溶剂的膜进样离子迁移谱仪,包括膜进样装置、离子迁移谱。以膜进样离子迁移谱为基础检测技术,于载气中添加有机溶剂作为掺杂剂。有机溶剂流经膜内侧表面,对膜表面样品的脱附起到促进作用,从而提高分析灵敏度。本专利以二氯甲烷为例,论述了其作为掺杂剂在“吸附-解析 ...
陈创   +5 more
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加入多种掺杂剂提高离子迁移谱仪识别检测的装置及应用

open access: yes, 2014
一种加入多种掺杂剂提高离子迁移谱仪识别检测的装置及方法,此装置由两个多通路切换切换阀、一个进气口、一个出气口、多个掺杂剂腔体及掺杂剂瓶组成。当选择加入掺杂剂1时,将切换阀1切换至切换阀1的1号位置,同时切换阀2切换至切换阀2的1号位置即可;如需切换选择加入掺杂剂2时,将切换阀1切换至切换阀1的4号位置,同时切换阀2切换至切换阀2的4号位置先进行气路的吹扫清洗,然后将切换阀1切换至切换阀1的2号位置,同时切换阀2切换至切换阀2的2号位置即可。利用多种不同掺杂剂对应的数据库来共同进行实际样品的分析和识别 ...
王卫国   +7 more
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Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法

open access: yes
 一种Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:将CuSO4和FeSO4分别按比例混合后,再与过量的NaOH充分混合,形成混合物;步骤2:将混合物在玛瑙研钵中进行研磨,使混合物充分接触并发生化学反应,不断研磨直至反应体系的颜色完全转变为黑色,固相反应不再进行,形成反应产物;步骤3:将得到的反应产物用去离子水多次清洗,过滤出不溶于水的反应产物;步骤4:将过滤出的不溶于水的反应产物在干燥箱中烘干后研磨,得到前驱体粉末;步骤5:将前驱体粉末置于石英舟中,放入管式反应炉的中部 ...
李晋闽, 赵婧, 刘喆, 王军喜
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溶胶-凝胶法制备非均匀铅离子掺杂TiO2薄膜

open access: yes, 2004
采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃表面制备铅离子非均匀掺杂的TiO2薄膜,运用AFM,XRD,UV-Vis研究了其光催化复合薄膜的表面特征;以光催化降解甲基橙溶液为模型反应,表征薄膜的光催化活性.结果表明:非均匀铅离子掺杂TiO2薄膜(PbDx)与均匀铅离子掺杂TiO2薄膜(PbTx)的最佳掺杂Pb/Ti摩尔比均为0.005,PbD0.005、PbT0.005的最佳降解表观速率常数分别为7.37×10^-3min^-1和5.95×10^-3min^-1,PbD0.005的表观降解速率常数是纯TiO2的2 ...
古国榜, 李新军, 于书平
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半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿

open access: yes, 2006
比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的"踢出-替位"机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高 ...
王博   +5 more
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Ti4+掺杂对SnO2基压敏陶瓷电学性能的影响

open access: yes, 2007
研究了Ti02掺杂浓度对SnO2-Bi2O3-Nb2O5-Sb2O3-MnO基压敏陶瓷非线性特性的影响。利用X射线衍射(XRD)与扫描电镜对相组成和微结构的分析表明:Ti02的添加没有新的相生成。随着Ti02含量的增加,密度与晶粒尺寸均明显减小,压敏电压(EB)以及非线性系数(α)随TiO2掺杂量的增加而增加。当掺杂浓度为3%,烧结温度为1250℃时样品具有最高的压敏电压(Ea=1169 V/mm)和非线性系数(α=56)
李志祥   +7 more
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