Results 61 to 65 of about 42,404 (65)
, 2005 采用溶胶-凝胶法通过工艺控制制备了锰离子以不同形式掺杂TiO2的光催化剂薄膜，并通过XPS和SEM对薄膜的结构进行表征．通过UV-Vis分光光度计及电化学工作站表征了薄膜的光吸收性能和光电化学性能，通过甲基橙溶液的光催化降解脱色率来表征催化剂薄膜的光催化活性．结果表明，以锰离子MT掺杂方式制备的TiO2薄膜可明显增强TiO2的光催化活性，而以MM掺杂方式制备的TiO2薄膜反而降低了TiO2的光催化活性；锰离子MT掺杂方式的最佳掺杂质量分数为0．8％．催化剂薄膜的电化学行为显示，薄膜具有p ...
王俊刚, 徐伟, 李新军, 郑少健
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一种Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法,包括如下步骤：步骤1：将Ca(C2H3O2)2·4H2O和Co(C2H3O2)2·4H2O按比例充分混合并溶解于去离子水中,形成混合液；步骤2：将NaOH溶液缓慢滴入该混合液中,与混合液发生反应,形成沉淀产物；步骤3：从反应后的混合液中过滤出沉淀产物,将该沉淀产物用去离子水多次清洗；步骤4：将清洗后沉淀产物在干燥箱中烘干后进行研磨,得到前驱体粉末；步骤5：将前驱体粉末置于石英舟中,放入管式反应炉的中部 ...
李晋闽, 赵婧, 刘喆, 王军喜
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本发明公开了一种采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法，包括：步骤1：在金属源化学气相沉积(MVPE)的生长气路上增加一路还原性气路；步骤2：将掺杂金属和金属锌分别放入金属舟，并加入少量的去离子水或过氧化氢；步骤3：将清洗干净的衬底放入衬底托上；步骤4：生长之前对金属舟进行氧化处理；步骤5：生长掺杂氧化锌，在生长过程中一直开启还原性气路。本发明具有可控掺杂，且具有生长速度快 ...
王晓峰, 段垚, 刘祯, 曾一平
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本发明公开了一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法,该方法包括：在硅衬底表层蒸镀钛薄膜；以及采用超快激光辐照蒸镀有钛薄膜的硅材料表层。本发明提供的基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法,采用超快激光辐照镀有钛薄层的硅衬底的方法,实现了在硅材料中超过Mott相变的钛元素掺杂,进而制备出了硅基中间带材料 ...
范玉杰 +5 more
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