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, 2017 以KMnO_4、MnSO_4、Co(NO_3)_2·6H_2O和H2_SO_4为反应原料,采用水热法合成了一系列掺杂过渡金属Co的氧化锰八面体分子筛(OMS-2),采用X-射线衍射、扫描电镜、红外光谱、低温氮气物理吸脱附和H_2程序升温还原对样品进行了表征,研究了Co的掺杂对OMS-2分子筛的结构、形貌和氧化还原性质等的影响,并对该系列催化剂进行了CO氧化性能评价。结果表明,掺杂Co并未改变OMS-2的晶体结构,并充分分散在OMS-2骨架结构中;掺杂Co的OMS ...
张建 +9 more
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, 2007 采用固相合成法制备出系列Fe掺杂的Bi2Sr2Co2Oy样品，并对样品进行XRD分析，电阻率(ρ)、热电势(S)和顺磁共振研究。结果表明：Fe掺杂浓度x ≤0.3时样品基本为单相。Fe掺杂使体系的电阻率略微增大，热电势显著升高，这可能与Fe掺杂降低了空穴载流子浓度有关。Fe掺杂浓度x=0.05样品获得最大的功率因子(power factor，S2/ρ)。顺磁共振结果显示，不掺Fe的样品有着较强的顺磁共振(ESR)信号，随着Fe含量的增加，ESR信号向低频方向移动，并逐渐宽化减弱直至消失 ...
李志祥 +7 more
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, 2006 采用溶胶-凝胶法通过分步控制工艺制备了镍离子不同掺杂方式的TiO2薄膜.通过甲基橙的光催化降解动力学来表征其光催化活性.结果表明：镍离子非均匀掺杂在掺杂量0.5%时可以明显增强TiO2的光催化活性,而均匀掺杂提高TiO2的光催化活性较小.光电化学表征结果显示：镍离子非均匀掺杂TiO2薄膜的瞬时光电流信号较强,说明其光生载流子易于生成且分离效果较好;循环伏安曲线表明,光照时Ni非均匀掺杂的TiO2薄膜改变了体系的氧化还原电位,说明了薄膜内建电场的建立.基于半导体的P ...
徐刚, 于华, 李新军, 郑少健
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, 2017 本申请公开了一种磷掺杂硅‑石墨复合材料，所述磷掺杂硅‑石墨复合材料中含有磷掺杂的N型硅和石墨。所述磷掺杂硅‑石墨复合材料为负极活性材料用于锂离子电池，能够抑制硅巨大的体积膨胀，具有高容量及良好的循环稳定性的优点。本申请还公开了上述磷掺杂硅‑石墨复合材料的制备方法包括步骤：第一步球磨：将硅与磷在球磨罐中球磨；第二步球磨：将第一步球磨产物与石墨粉末在球磨罐中进一步球磨。本申请还公开了含有上述磷掺杂硅‑石墨复合材料和 ...
黄世强, 沈彩
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, 2002 用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片上制备纯Zn和掺杂Zn薄膜，然后在高于450 ℃条件下进行氧化、热处理（玻璃衬底）获得良好的纳米ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜。对单晶硅衬底上制备的纯Zn薄膜在高于800 ℃温度条件下进行液态源掺杂，获得掺B和P纳米ZnO薄膜。实验表明，掺杂和热处理使纳米ZnO薄膜的结构、导电性能得到改善，有效地降低了纳米ZnO薄膜的电阻 ...
田野, 李海兰, 宋淑芳, 李健
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NiF2掺杂LiBH4-LiNH2-CaH2复合储氢材料及其制备方法
, 2014 本发明涉及一种NiF2掺杂LiBH4-LiNH2-CaH2复合储氢材料的制备方法，特别是利用NiF2掺杂改善LiBH4-LiNH2-CaH2体系放氢性能的储氢材料及其制备方法，属于改性技术领域。该复合材料通过机械球磨法制备而得，当NiF2掺杂量为5wt％时，体系在47°C开始大量放氢，主放氢峰温度为234℃，175℃时5000s内放氢量达到了3.75wt％，5h内放氢5.03wt％，200℃时5000s内放氢量达到了6wt％，270℃时1000s内放氢量达到了6.55wt ...
刘慧 +5 more
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, 2014 本实用新型是一种恒温掺杂剂装置，掺杂物装置工作的恒温状态下，应用于离子迁移谱上，当恒定的气流吹过掺杂物装置时，能产生的恒定的掺杂物浓度，同时消除了环境温度对掺杂剂装置的影响。该装置结构简单，易于实现，体积小，工作可靠，性能稳定 ...
李海洋, 仓怀文, 李东明
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, 2016 本发明提供了一种金属掺杂非晶碳薄膜温度传感元件。该温度传感元件由基体、金属掺杂非晶碳薄膜、电极组成，金属掺杂非晶碳薄膜位于基体表面，电极位于金属掺杂非晶碳薄膜表面。与现有的温度传感元件相比，该薄膜温度传感元件的TCR值和电阻率可调控，能够同时具有高TCR值与优异机械性能及摩擦学性能 ...
郭鹏 +5 more
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, 2011 利用固态反应法制备了具有铁磁性的Co掺杂CaO纳米粉末材料，并对材料的结构和磁学性质进行了研究.X射线衍射和高分辨率透射电镜测试结果表明，材料为单相的CaO立方结构，Co掺杂导致了晶格常数的减小，表明Co离子通过替位Ca离子融入了CaO晶格.磁性分析表明，该Co掺杂CaO纳米粉末表现出了明显的铁磁特性，临界温度高于70K.通过分析认为 ...
李晋闽, 赵婧, 夏庆林
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本发明提供一种Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，将纯度为4N以上的ZnO和高纯Cu粉末混合压制成所需靶材；步骤2：在氩气和氧气混合气体环境中将靶材溅射沉积在衬底之上形成薄膜；步骤3：将形成薄膜的衬底进行退火处理，得到Cu掺杂的p型ZnO薄膜材料 ...
杨晓丽, 陈诺夫, 尹志岗
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