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GRADIENTE DE CAMPO ELÉCTRICO EN LAS ESPINELAS CdFe2O4 Y ZnFe2O4
Anales (Asociación Física Argentina), 2013 Se presentan aquí determinaciones del gradiente de campo eléctrico en sitios de catión, usando la técnica de las Correlaciones Angulares Perturbadas en las espinelas CdFe2O4 y ZnFe2O4, dopadas con 111In.
Jorge A. Shitu, Alberto F. Pasquevich
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Estudio PAC de las espinelas mixtas ZnₓCd₁-ₓFe₂O₄ [PDF]
, 2000 Espinelas mixtas de composición ZnₓCd₁-ₓFe₂O₄ (0 < x < 1) fueron dopadas con ¹¹¹In para determinar mediante la técnica de Correlaciones Angulares Perturbadas (PAC) los gradientes de campo eléctrico existentes en los sitios donde las impurezas se alojan ...
Pasquevich, Alberto Felipe
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CINÉTICA DE REACCIÓN ENTRE Zr Y Cl4Zr MONITOREADA POR CORRELACIONES ANGULARES PERTURBADAS
Anales (Asociación Física Argentina), 2013 Se presenta una descripción de la utilización de la técnica de Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en el Tiempo (TDPAC) para monitorear el progreso de la reacción química entre Zr metálico y tetracloruro de circonio.
A. F. Pasquevich +3 more
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Influencia del solvente orgánico en cerámicas de ZrO₂ obtenidas a través del proceso sol-gel [PDF]
, 2022 Se prepararon polvos ultrafinos de ZrO₂ por el método sol-gel partiendo de n-propóxido de circonio (ZNP) y usando como solventes etanol, metanol e isopropanol con y sin ácido nítrico como catalizador.
Caracoche, María Cristina +4 more
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Anales (Asociación Física Argentina), 2013 Mediante el empleo de la técnica de las Correlaciones Angulares Perturbadas es posible determinar in-situ la presencia de especies de gran dispersión. De esta manera resulta de interés la aplicación de esta técnica hiperfina al campo de la catálisis.
J. M. Rarnallo López +5 more
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Estudios de hidrogenación y de daño por radiación en Hf₂Fe [PDF]
, 1997 Muestras de Hf₂FeHₓ fueron estudiadas utilizando las técnicas de correlaciones angulares perturbadas, microdureza Vickers y aniquilación de positrones.
Pasquevich, Alberto Felipe +1 more
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INIERACCIONES HIPERFINAS DE 111Cd EN MONOCRISTALES DE InSe
Anales (Asociación Física Argentina), 2013 El semiconductor InSe es un material de interés tecnológico debido a las propiedades de "switching" qué posee. En orden a investigar la relación entre esta propiedad macroscópica y las interacciones hiperfinas de impurezas aceptoras de Cd, se llevaron a
J. Shitu +5 more
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EL SISTEMA SN-O: UN PROBLEMA DE IMPORTANCIA TECNOLÓGICA EL APORTE DE DOS TÉCNICAS HIPERFINAS
Anales (Asociación Física Argentina), 2013 La importancia tecnológica del sistema Sn-O se debe a las peculiares propiedades ópticas y eléctricas de su dióxido, tanto en forma masiva (bulk) como de película delgada.
M. S. Moreno
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Estructura electrónica del Cd como impureza en Si [PDF]
, 1990 Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas de Cd en sitios sustitucionales e intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos
Caravaca, María de los Ángeles D. +2 more
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ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DEL Cd COMO IMPUREZA EN Si
Anales (Asociación Física Argentina), 2013 Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas de Cd en sitios sustitucionales e intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos
M A Caravaca, S J Sferco, M C G Passeggi
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