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Contribution to the study of structural and ferroelectric properties of HZO thin films

Contribution à l'étude des propriétés structurales et ferroélectriques des couches minces HZO La découverte de la ferroélectricité dans les couches minces d'oxyde d'hafnium dopé en a fait l'un des principaux matériaux sans plomb, compatibles avec le CMOS processus.
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Improvement of Endurance in HZO-Based Ferroelectric Capacitor Using Ru Electrode

IEEE Electron Device Letters, 2019
Rongrong Cao, Qi Liu, Bing Song
exaly  

Study on Interdiffusion at the interface between HZO and IGZO layers

Surfaces and Interfaces
Hye Joo Kang, Seung Wook Ryu, Il-Kwon Oh
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