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Dianci bileiqi, 2018 采用卧式砂磨机对混合添加剂氧化物进行微纳化,探究添加剂粒径对ZnO压敏电阻性能的影响。借助粘度、Zeta电位、SEM、XRD和电测设备等分析方法对所制得的ZnO压敏电阻进行综合分析。结果表明,通过卧式砂磨细化的添加剂粒径达到微纳米级,制得的压敏电阻ZnO晶粒尺寸减小,微观结构更加均匀。其中卧式砂磨细化30 min所得的添加剂粒径为347 nm,压敏电阻电位梯度达到310.0 V/mm,漏电流为1μA,残压比（8/20μs,5 k A）达到1.69,非线性系数为32.7,表现出较好的综合电气性能。
程器 +5 more
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Gaoya dianqi为了比较不同类型冲击电流对氧化锌（ZnO）压敏电阻直流老化的影响，将相同类型的ZnO压敏电阻样品分别开展2 ms方波（峰值为2 kA）耐受试验和4/10 μs冲击电流（峰值为100 kA）试验。实验结果表明，在1~3轮（3~9次）的冲击耐受下，2 ms方波对ZnO压敏电阻的老化特性能起到一定优化作用，而4/10 μs大电流冲击则使得ZnO压敏电阻老化特性持续劣化。利用扫描电子显微镜（SEM）、光谱仪、数字源表研究其微观结构以及电气性能参数变化。结合实验结果分析原因，4/10 ...
赵江泽 +4 more
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Dianci bileiqi, 2013 从组织结构、压敏机理、制备技术和稀土掺杂作用这4个部分详细综述了各种稀土氧化物在ZnO-Pr6O11基压敏电阻中的掺杂影响并解释了它们的作用机理,阐明稀土氧化物掺杂仍然是改善ZnO-Pr6O11基压敏电阻的电学性能的主要研究方向。制备工艺的完善对改善ZnOPr6O11压敏电阻材料性能也有不可忽视的作用。
何恺 +4 more
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Dianci bileiqi, 2023 研究了不同含量Ga3+掺杂对ZnO基压敏电阻微观结构，电学性能的影响。微观结构上，掺杂Ga3+没有对压敏电阻的相组成产生改变但抑制了氧化锌晶粒的生长，并使得尖晶石数量增多，尺寸减小；电学性能上，因为势垒下降和晶界电导率提高少量增加的Ga3+掺杂就显著增大了漏电流，降低了非线性，提高了压敏电阻的梯度。当Ga3+掺杂量增加到0.014 mol%时，压敏电阻在5 kA冲击下达到了最小残压比为1.72,此时电位梯度309.05 V/mm,非线性系数为18.0,漏电流为20μA。
江海波 +6 more
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Dianci bileiqi, 1993 通过对国外样品的剖析和对各种添加物及其含量对高压ZnO压敏电阻器电性能影响的实验研究,确定高压ZnO压敏电阻陶瓷的料方系列。通过研究原材料物化指标的影响找出了国产原材料的主要差距和改进措施。通过研究各主要工艺过程中的关键工艺方法、工艺参数和工艺材料,确定了一套能够按照自己开发的配方、原材料技术生产高压ZnO压敏电阻器的工艺技术。研制的产品水平达到了课题目际要求（即达到了国际先进水平）。另外,还发现了高压ZnO压敏电阻的几何效应及低温热处理的反常现象。
郭亚平 +4 more
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Dianci bileiqi, 2018 针对氧化锌压敏电阻直流作用下的老化问题。利用氧化锌压敏电阻肖特基势垒理论,对氧化锌压敏电阻在正极性和正、负极性直流交替作用下,氧化锌压敏电阻老化规律进行研究,得出以下结论:1)氧化锌压敏电阻在单一极性直流作用下,产生明显的极性效应。此外,极性效应和老化程度均随电流的增加而增大,当达到最高点时,出现减慢的现象。2)正、负极性电流交替作用时,ZnO压敏电阻出现极性补偿现象,使得肖特基势垒高度下降变慢,导致压敏电阻老化程度较单一极性电流作用下缓慢。
苑吉河 +4 more
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Dianci bileiqi氧化锌压敏电阻在重复过电压下性能会逐渐劣化，最终可能导致短路、起火或爆炸，目前单次耐受测试无法全面反映ZnO压敏电阻在实际使用中的预期性能，亟需对其冲击老化特性及失效机理进行深入研究。文中建立了ZnO压敏电阻重复冲击电流试验实验平台，研究了以压敏电压、冲击残压及泄漏电流为表征的ZnO压敏电阻保护特性劣化特性。研究结果表明，压敏电阻的冲击老化寿命随着冲击密度的增加而显著减少，这是由于电阻片尺寸效应引起的微观缺陷增加所致。此外，不同电流幅值条件下的冲击间隔对老化过程也有显著影响 ...
李宣健楠 +4 more
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Dianci bileiqi, 2008 采用溶液添加法在中压压敏电阻中引入金属K+离子,研究不同含量的K+对ZnO压敏电阻电性能的影响及其机理,结果表明:K+能增强ZnO压敏电阻的稳定性,富集在晶界处的K+因补充了晶界处正点中心的数量,使耐受8/20μs峰值电流冲击性能提高;K2O的高温液相烧结促使瓷体的气泡等烧结缺陷减少,使其2ms方波脉冲冲击性能提高;随着K掺入量的增加和烧结时间的延长,晶粒尺寸增大,压敏电压梯度减小。
洪俊伟 +3 more
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Dianci bileiqi, 2007 掺杂Y2O3可显著提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能,但会引起泄漏电流的增加。研究了不同烧成温度下,掺杂0～1.7%（摩尔分数）Y2O3对ZnO-Bi2O3压敏电阻片电气性能的影响。结果表明,在1140℃下,掺杂0.68%（摩尔分数）Y2O3,可获得具有300V/mm的电位梯度和370J/cm3能量吸收能力的高性能电阻片。此外,以FSM为主成分的“F”无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘,加速老化系数KCT小于1。
王玉平, 马军
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Dianci bileiqi, 2004 通过对化学合成法进行改进以适应ZnO压敏电阻片复合添加剂制备的需要,针对化学合成法的不足,提出了解决技术籽晶分布包膜技术,通过控制籽晶、沉淀剂、分散剂、pH值、化学反应进程和温度等因素,获得离子级均匀混合的ZnO压敏电阻片复合添加剂复合粉体前驱体,为进一步获得高性能ZnO压敏电阻片打下了坚实的基础。
王玉平, 李盛涛
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