Results 91 to 100 of about 329,397 (100)
[Fabrication of high-degradation-efficiency molecularly imprinted photocatalysts and its selective degradation performance]. [PDF]
Se PuZhang JJ +4 more
europepmc +1 more source
[Classification and Application of Ultrasound-Responsive Nanomaterials in Anti-Inflammatory Therapy]. [PDF]
Sichuan Da Xue Xue Bao Yi Xue BanXie L, DU Z, Peng Q, Zhang K, Fang C.
europepmc +1 more source
, 2010 在新型非易失性存储器中，基于电致电阻效应的电阻型存储器（RRAM）以其结 构简单、存储密度高、读写速度快、功耗低、与传统CMOS 工艺兼容性好等优点而 被广泛研究。目前发现的RRAM 候选材料很多，但没有一种材料能完全达到实用化 的要求，RRAM 电阻转变机理仍不明确，因此，开发新型存储材料、揭示RRAM 电 阻转变机制，仍是RRAM 发展的关键。 氧化石墨烯（GO）表面含有大量亲水性官能团，在水中分散性好，易于大面积 均匀成膜，通过改变含氧官能团的含量，可以调节GO 的能带结构和导电特性，因此 ...
何聪丽
core
[Recent advances of molecular imprinting technology for the separation and recognition of complex biological sample systems]. [PDF]
Se PuXie BX, Lyu Y, Liu Z.
europepmc +1 more source
, 2000 在该文中，一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究，另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究。硅光电负阻器件包括有各种类型，该文主要对“λ”型双极光电负阻晶体管(PLBT ...
李树荣 +9 more
core
Dianci bileiqi高速铁路采用分相供电技术，接触网谐波含量高、暂态过电压大，对车顶避雷器提出严峻挑战。对动车组的运行工况进行了实测，发现谐波主要为25次、27次和29次，总波形畸变率（THD）最高可以达到79.8%。ZnO压敏电阻片的老化测试是在对电压波形进行准确模拟后进行的。老化后，电流密度-电场曲线正负方向不对称，电阻片在负方向劣化更严重，其中非线性系数从43.4减小到30.8，漏电流密度从0.85 μA/cm2增加到2.51 μA/cm2。在老化期间，两种动态过程占主导地位，即空界面态捕获电子和吸附氧（Oad ...
赵霞 +5 more
doaj +2 more sources
, 2017 本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能。ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为。在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时刻依赖可塑性学习规则。ZnO突触器件实现了超低能耗操作,单次突触行为能耗最低为1.6pJ,表明其可以用来构筑未来的人工神经网络硬件系统 ...
李俊 +9 more
core
, 2005 含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与氧化孔半径的关系 ...
牛智川 +4 more
core
Design of Control System for SMA Actuator Based on Resistance Feedback
, 2014 形状记忆合金(SMA)驱动器在生物医疗中得到了广泛应用。目前,SMA驱动器的控制器多采用外部传感反馈方式,体积大,应用受到限制。提出一种基于SMA内部电阻反馈的嵌入式控制电路。使用ATMEGA16单片机搭建了SMA驱动器加热控制电路及恒流源电桥方法的电阻测量采集电路。实验表明:该控制系统可以产生可控PWM,恒流源电桥方法测SMA电阻可以得到足够的测量精度 ...
陈笋 +4 more
core
, 2004 为了克服用共面探针测量光探测器芯片的高频特性对电极结构的限制,提出了一种精确测量光探测器芯片的阻抗和频率响应的新方法.对于任意电极结构的探测器芯片,首先把芯片与测试夹具连接,通过一系列的校准和测量,可以得到夹具的S参数,进而利用微波理论扣除整个测试夹具的影响,得到探测器芯片的S参数,计算出光探测器的阻抗和频率响应特性.用该方法对P极和N极共面的光探测器芯片的阻抗和频率响应特性进行了测量,并与直接用微波探针测量的结果相比较,验证了该方法在50 MHz～16 ...
刘宇, 张胜利, 祝宁华, 孙建伟
core