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Research on Thermosensitive Coatings for Thermal Runaway Warning in Energy Storage Power Station [PDF]
, 2023 [Introduction] Lithium iron phosphate battery storage power plants are an important basis for new power systems to consume large-scale new energy, however, the thermal runaway of battery cells seriously threatens the operational safety of storage power ...
Chaolu NIU +8 more
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Simulation and Fabrication of 4H-SiC Separated Absorption Charge and Multiplication Ultraviolet Avalanche Photodiodes [PDF]
, 2016 4H-碳化硅（SiC）紫外雪崩光电探测器（APD）已具备取代紫外光电倍增管和Si基紫外光电探测器的可能性，它在光纤通信、高保密的非视距紫外通信及微弱紫外信号检测等特殊领域有重要的应用，已日益成为国际上光电探测领域的研究热点。 近年来已报道的高性能4H-SiCAPDs大多是采用吸收层和倍增层分离结构（SAM）进行制备。虽然SAM结构具有较高的量子效率，但是为了实现有效的吸收层和倍增层分离结构，要求倍增层厚度较薄且掺杂浓度较高，这将会使得器件的暗电流较大且倍增层电场分布梯度过大，不利于雪崩机制 ...
张明昆
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AlGaN-based quantum optoelectronic materials and devices for ultraviolet energy conversion [PDF]
, 2015 随着信息化社会的迅速发展，人们对信息存储容量和传递速率的要求日益提高。光子作为信息传递的载体，通过与电子间的能量转换，能够很好地实现信息的传输和交换；而具有全新物理原理的量子器件，更能满足光电器件高度集成的发展需求。鉴于当前人们的社会需求正向环境保护、医疗卫生、军事监测、光电对抗等诸多领域扩散，亟待开发以量子能量转换为基础的半导体短波长、紫外及深紫外光电子器件。AlGaN材料作为III族氮化物体系的成员之一，具有直接带隙可调范围广、结构稳定性好及临界击穿电压高等独特的优势 ...
高娜
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Ignition mechanism of methane by 5G electromagnetic waves and power safety thresholds in underground coal mines [PDF]
5G technology, with its advantages of high bandwidth, low latency, and extensive connectivity, has shown great potential in driving the intelligent transformation of the coal mining industry.
Haijian CHEN +6 more
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Research on the electronic and chemical structure study of Zinc oxide/Silicon carbide heterojunction [PDF]
, 2016 氧化锌（ZnO）半导体材料由于禁带宽度大、激子能量高等诸多优点呈现出良好的紫外光电特性。然而由于电导率较低、载流子浓度不高、稳定性较差等原因，p型ZnO材料的制备仍然面临较大的挑战，直接影响了ZnO基器件的性能。因此寻找合适衬底制备高质量ZnO异质结具有重要的意义。而碳化硅（SiC）由于热稳定性高、化学性能稳定、热导率高、电子饱和和漂移速度快等特点，与ZnO的晶格失配度小（约5%），在SiC衬底上能够获得高质量的ZnO异质结且应用在光电器件上。 本论文研究不同生长方式下制备的ZnO ...
林南英
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Gaoya dianqi, 2016 文中对SF6/N2混合气体在不均匀场下的击穿特性展开研究,通过测量棒—板电极在不同电极间距、混合比、压强下的正、负极性击穿电压值,分析电场不均匀度及气体压强对SF6/N2混合气体极性效应的影响。研究结果表明:在0.1 MPa时,击穿电压随着电极间距的增大而增大,N2负极性的击穿电压高于正极性的击穿电压,在电极间距为12 mm时,负极性击穿电压是正极性击穿电压的1.71倍,而SF6气体与N2极性效应相反,表现为正极性的击穿电压略高于负极性的击穿电压;电极间距为4 mm时,随气体压强的升高负极性击穿电压增大,
陈会利 +4 more
doaj
, 2010 在LDMOS功率器件设计中可以引入STI工艺替代LOCOS工艺来进一步抑制表面电荷效应,以提高LDOMS功率器件的耐压强度及降低比导通电阻。本文将介绍STI工艺的优势和LDMOS器件设计原理,并在TSMC 0.6μm BCD工艺为基础上增加STI工艺流程来设计一款适用于汽车电子应用的40V LDMOS器件。通过ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件仿真)仿真实验与器件参数提取,表明采用STI工艺的LDMOS器件比采用LOCOS工艺的LDMOS器件在耐压漂移区长度比方面提高了23.40 ...
周杰, 郭东辉, 陈利
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Gaoya dianqi, 2006 通过对几种典型固体颗粒的气固两相体放电实验研究,发现其击穿电压具有极性效应,负极性条件下体积比对雷电冲击U50影响显著,使雷电冲击U50降幅达到30%左右,并且小颗粒的击穿电压比大颗粒的击穿电压低;正极性条件下击穿电压随体积比变化呈小波动变化特性,体积比及颗粒大小对击穿电压影响不显著。另外,与空气放电一致的是,相同体积比下正极性雷电冲击击穿电压低于负极性。
许怀丽 +4 more
doaj
An Analysis of GATs Compatibility Between High Current Gain and High Avalanche Breakdown Voltage [PDF]
, 2000 【中文摘要】 通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了 GAT的雪崩击穿特性 ,并且定量解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结果。 【英文摘要】 By the aid of the two dimensional analytical model [5] of the electric potential and field distribution in power semiconductor GATs collector ...
庄宝煌 +3 more
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, 2006 利用RESURF与场板结构结合的技术,设计了一种可以兼容低压BiCMOS工艺的LD-MOS器件。该器件的漂移区长度l≤60μm,就可实现600 V以上的耐压,适用于高低压单片集成电路芯片开发。基于一款荧光灯交流电子镇流器驱动芯片的高低压集成电路功能及其器件耐压要求,介绍了该LDMOS器件的结构和设计方法。采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具,分析优化影响LDMOS器件耐压的关键参数;最后 ...
李开航, 郭东辉, 陈利
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