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高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计 [PDF]
, 2006 场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟 ...
李开航, 郭东辉, 陈利
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An Analysis of GAT′s Optimal Designing [PDF]
, 2001 【中文摘要】 通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析》,定量研究了优化设计 GAT的材料参数和结构参数的关系。 【英文摘要】 By the aid of the two dimensional analytical model of the electric potential and field ...
庄宝煌 +3 more
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Gaoya dianqi, 1985 通过实测发现:在大气压时,压缩空气火花隙开关在亚微秒脉冲作用下的击穿电压,远大于均匀电场下的直流击穿电压,也大于放电球隙亚微秒脉冲作用下的击穿电压,且Vb和td相关;气压增加时开关在亚微秒脉冲作用下的击穿电压量渐趋于相应的直流击穿电压,Vb～td的相关性也逐渐减弱,到7bar以上时Vb～td间无明显相关性 ...
曾大雄
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Progress in the Development of Microwave High Power SiGe HBT's and Its Applications [PDF]
, 2005 文章论述了SiGe异质结双极晶体管(HBT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率SiGe HBT的结构设计方法,以及主要影响器件性能的材料和结构因素,评述了其最新进展及今后发展方向。国家自然科学基金重点资助项目(60336010);; 福建省青年科技人才创新项目(2004J021 ...
徐剑芳, 李成, 赖虹凯
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相扩散阻挡法制备铁酸钴/改性钛酸铋钠0-3复合多铁性陶瓷 [PDF]
, 2014 Author name used in this publication: 韩权威, HAN Quan-WeiAuthor name used in this publication: PENG SongAuthor name used in this publication: 陈王丽华, Chan Helen Lai-WaTitle in Traditional Chinese: 相擴散阻擋法制備鐵酸鈷/改性鈦酸鉍鈉0-3複合多鐵性陶瓷Journal title in Traditional ...
Chan, HLW +4 more
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Dianci bileiqi, 2013 对额定电压10 kV的设计B类有机避雷器进行了预击穿短路试验,验证了IEC60099-4Ed2.2:2009和GB11032-2010中的预击穿短路试验程序。试验表明:电压源法预击穿电压的范围为避雷器参考额定电压的1.081.13倍,击穿时间为28 min。并且,短路大电流试验时,试品电流波形延后其电压波形约1个周波,而标准中规定的预击穿试验与短路电流试验之间时间间隔及再击穿试验等对短路试验的结果影响不大。
贾东旭, 石莉敏, 弥璞, 桑建平
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Gaoya dianqi, 2021 CO2气体作为潜在的SF6替代气体,近年来受到了业界的广泛关注,电击穿特性是评估其性能的关键指标。文中基于气体流注放电判据,推导出了计算击穿电压和临界电子温度的数学表达式,建立了描述CO2与O2混合气体电击穿的宏观变量（击穿电压、击穿电场与压力比）与基本微观变量（临界电子温度）之间的关系,从微观层面研究了混合气体在不同压力和电极间距下的电击穿特性。结果表明,随压力与电极间距乘积值增大,临界电子温度先迅速减小,而后趋于一定值;CO2-O2混合气体的临界电子温度随CO2体积分数增大而明显减小 ...
邓云坤 +5 more
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Optimal Simulation of Separate Absorption and Multiplication 4H-SiC Avalanche Photodiode [PDF]
, 2011 SiC材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度大及热导率高等优点，在高温、高频、大功率及抗辐射器件等领域都有着广泛的应用潜力与良好的市场前景。 目前，采用4H-SiC已成功制备了不同结构的雪崩光电探测器（APD），与传统的PN结型或PIN型的APD相比，吸收层与倍增层分离（SAM）结构的APD具有高光谱响应度和低击穿电压等优点。对于APD，击穿电压、倍增因子和光谱响应度是其非常重要的性能参数。近年来，国内外有多个研究小组开展了SAM4H-SiCAPD理论和实验方面的研究 ...
钟林瑛
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Gaoya dianqi, 2018 目前国内雾霾天气对输电线路外绝缘的影响不容忽视,因此通过盐雾模拟雾霾天气,研究盐雾对短空气间隙雷电冲击击穿电压的影响具有重要实际意义。文中选择击穿电压最低的棒—板空气间隙为模型,分别对5、10、15 cm空气间隙,不同雾水电导率下进行雷电冲击电压击穿试验。结果表明,短空气间隙雷电冲击击穿电压受雾水电导率和空气间隙距离的共同影响,棒—板短空气间隙雷电冲击击穿电压随雾水电导率增大而减小,并且雾水电导率对击穿电压的影响程度随间隙距离增大而减小。通过粒子群算法（particleswarm ...
刘云鹏 +4 more
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