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Laser-induced Breakdown Spectroscopy Based on Pre-classification Strategy for Quantitative Analysis of Rock Samples [PDF]
, 2023 BACKGROUNDLIBS technology is a non-destructive, high sensitivity, high resolution spectroscopy technology that can be used to analyze the composition and structure of chemical substances and materials.
Lingwei ZENG +7 more
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Gaoya dianqi, 2016 文中对SF6/N2混合气体在不均匀场下的击穿特性展开研究,通过测量棒—板电极在不同电极间距、混合比、压强下的正、负极性击穿电压值,分析电场不均匀度及气体压强对SF6/N2混合气体极性效应的影响。研究结果表明:在0.1 MPa时,击穿电压随着电极间距的增大而增大,N2负极性的击穿电压高于正极性的击穿电压,在电极间距为12 mm时,负极性击穿电压是正极性击穿电压的1.71倍,而SF6气体与N2极性效应相反,表现为正极性的击穿电压略高于负极性的击穿电压;电极间距为4 mm时,随气体压强的升高负极性击穿电压增大,
陈会利 +4 more
doaj
Resistive switching property of HfO2 film prepared by atomic layer deposition and its 1D1R device [PDF]
, 2016 随着信息科学与微电子技术的发展，闪存已经成为今天市场上主流的非易失性存储器。但是随着浮栅存储器件尺寸的不断缩小，浮栅耦合、电荷泄漏、单元之间的串扰等问题日益严峻，开发更小尺寸、更低功耗和更高集成度的新型存储单元已成必然趋势。在新型非易失性存储器的研究中，阻变存储器由于结构简单、读写速度快、存储密度高、操作电压低、与CMOS工艺兼容性好等优势有望成为新一代非易失性存储器。本文基于原子层沉积生长的HfO2薄膜，研究了在不同温度下原子层沉积生长HfO2薄膜的阻变特性，确定了最佳工艺温度；在此基础上 ...
陆超
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Gaoya dianqi, 2006 通过对几种典型固体颗粒的气固两相体放电实验研究,发现其击穿电压具有极性效应,负极性条件下体积比对雷电冲击U50影响显著,使雷电冲击U50降幅达到30%左右,并且小颗粒的击穿电压比大颗粒的击穿电压低;正极性条件下击穿电压随体积比变化呈小波动变化特性,体积比及颗粒大小对击穿电压影响不显著。另外,与空气放电一致的是,相同体积比下正极性雷电冲击击穿电压低于负极性。
许怀丽 +4 more
doaj
Fabrication of Mechanically Controllable Break Junction Microchip and Simulation by Material Mechanics [PDF]
, 2015 当“自下而上”途径组装器件的理念被提出后，美国科学家费曼继而提出小尺度上的操作和控制物质材料，这两个理念引导下产生的分子电子学成为备受人们关注的交叉性学科。过去的六十年里，分子电子学获得了飞速的发展，尤其是世纪之交的十年可谓是“分子电子学的黄金十年”，科学家们接连得到单原子、单分子尺度上的物理化学性质并付诸应用。然而，分子电子学研究的基本结构单元仍是金属/分子/金属结，而其构筑方法的不稳定性和表征手段不重现及单一性仍然是分子结的构筑和表征研究中面临的主要困境。 本论文工作以构筑稳定分子结为目标 ...
冯石
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Gaoya dianqi, 2017 穿柜套管绝缘击穿引发变压器出口短路案例屡见不鲜,文中将套管绝缘击穿分为空气绝缘击穿与环氧绝缘击穿两类。为明确两种击穿的诱因,结合某省第3季度穿柜套管绝缘击穿案例,针对屏蔽体悬浮及内含气隙的穿柜套管展开电场仿真研究。仿真结果表明空气绝缘击穿多由内等电位屏蔽悬浮造成,环氧绝缘击穿多由缺陷气隙放电或击穿引起的绝缘劣化变性造成,该结果与案例分析一致。为研究屏蔽改进在防止气隙放电方面的作用,借鉴800 kV气体绝缘组合电器中屏蔽裙边处理改善边缘效应的措施,对屏蔽改进后含气隙的穿柜套管展开电场仿真研究 ...
杨定乾 +4 more
doaj
Gaoya dianqi, 2021 针对GIS耐压试验击穿故障精确定位比较困难的问题;文中在分析GIS耐压击穿时特征信号特性的基础上,结合信号采集、无线传输、智能分析技术,设计一套GIS耐压击穿故障无线定位系统。该系统通过无线自组网的形式,将击穿时刻的特征信号以无线的方式上传至系统数据服务器进行数据分析,并计算击穿故障点精确的位置;同时系统具有较强的抗干扰性、稳定的无线通信等优点。经现场应用,能够准确定位出GIS耐压击穿的故障点。
贺振华 +5 more
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Design and fabrication of AlGaN-based deep-UV LED with distributed Bragg reflectors-pixel metal combined electrodes [PDF]
, 2015 由于AlGaN、AlN材料相对较高的电阻率造成深紫外发光二极管（DUVLEDs）的电流拥堵问题更为严重，通常用于改善可见光LEDs电流分布的办法并不一定适用于DUVLEDs器件。与此同时，较高的焦耳热和低内量子效率造成的非辐射热，也导致DUVLEDs的自热效应更加明显。再加之p-GaN和p-AlGaN对紫外波段光的严重吸收，以及高Al组分AlGaN材料光学各向异性显著，严重影响了DUVLEDs的出光效率。因此，在制备DUVLEDs时，需针对AlGaN材料的特殊性，对传统的器件结构加以改进。为此 ...
袁照容
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Dianci bileiqi, 2013 为研究雷电流流过接地极的冲击接地特性,用圆筒中的泥沙代替土壤,研究不同泥沙中垂直电极的冲击特性,得到不同介质的火花放电规律。泥沙击穿电压随泥沙中水含量的增加而降低,盐沙由于导电性增加就不易产生火花放电效应;干沙击穿过程以空气间隙击穿为主,而湿沙击穿以热击穿为主。
杨琳 +5 more
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Investigation of oxygen precipitates and the stability of denuded zone in Czochralski silicon [PDF]
, 2016 铜在硅中不仅具有很大的扩散速率，而且随着温度的降低它的固溶度迅速下降，这两个特性使得铜原子很容易在器件制备过程中沉淀下来，严重影响硅片性能。虽然科研工作者们已经提出了多种工艺使硅片近表面处形成洁净区，但却很少对硅中的氧沉淀和洁净区的稳定性进行深入探讨。因此，本文通过实验分析了氧沉淀和洁净区的稳定性，得出以下结论： （1）研究了热处理方式和铜引入温度对洁净区的形成及其稳定性的影响。研究发现，只有Ramping-低-高热处理能使硅片内生成大量氧沉淀的同时有效形成洁净区。引入铜玷污后，RTP-低 ...
吕耀朝
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