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Study on Expansion of Micro-EDM Discharge Channel [PDF]
, 2015 为了模拟微细电火花放电通道扩展的过程,对放电等离子体通道进行了深入研究,建立了一个适用于微细电火花放电加工的等离子体扩展模型。基于介质击穿机理和磁流体力学的相关知识,模型综合考虑了等离子体扩展过程中的粘性力、表面张力及磁场箍缩力等各个作用力,使扩展过程更接近于真实。最后,通过比较微细电火花rC单脉冲放电的模型计算直径与实际加工直径,验证了等离子体扩展模型的正确性。To simulate the process of micro-EDM discharge channel expansion ...
张怡茹, 朱凯, 王春梅, 褚旭阳
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Gaoya dianqi, 1986 本文对1969年至1985年初在冲击发电机上进行的10kV真空断路器断流容量试验中的弧后击穿现象进行了统计计算。计算结果证明,我国10kV真空断路击穿几率的大小与开断电流的相对大小有关。当开断电流小于极限开断电流的60％时,击穿几率接近于零;当开断电流接近开断稳定区的上限时,有1％左右的弧后重击穿几率和0.4％左右的延滞击穿几率,击穿时间服从威布尔分布。
doaj
Preparation and Properties of CaCu3Ti4O12 Ceramics with Giant Dielectric Constant [PDF]
, 2008 本论文采用传统的固相法制备CaCu3Ti4OI2（CCTO）陶瓷，研究不同热处理工艺、不同成型工艺、不同氧化物含量和氧化物掺杂对陶瓷结构与性能的影响，对陶瓷的介电机理、压敏机理和陶瓷的晶界效应进行初步的探讨。 本文对CCTO陶瓷的合成粉料分别在850℃，900℃，950℃和1000℃的温度下预烧2h，然后在1100℃左右烧结3h成瓷。结果表明，950℃预烧2h的粉体具有最佳的烧结性能。对坯体分别在1060℃、1080℃、1100℃和1120℃下烧结2h，结果表明1100℃烧结2h的样品具有最好的介电性能。
李洁
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基于拓展Volume-Time理论的串联空气间隙非同期击穿过程分析
Gaoya dianqi为了认识串联空气间隙的击穿过程，以球—球间隙为研究对象，设计了“非对称组合间隙”，即总间隙距离不变的条件下分别单独调整两个间隙的距离使上下间隙距离不一致。采用拓展Volume-Time理论计算了串联双间隙的U50%，并解释了雷电冲击电压下非对称组合空气间隙的非同期击穿物理过程。实验结果表明，上下间隙距离分布不均匀程度对串联空气间隙击穿电压和击穿延时的影响；不均匀程度较大时，较低电压下存在单个间隙放电、总体不击穿的现象，较高电压下两间隙将出现非同期击穿；不均匀程度较小时，两间隙同期击穿。为了解释这种现象 ...
姚晓飞 +7 more
doaj
The improvement and investigation of efficiency droop effect in GaN based lighting-emitting diodes [PDF]
, 2016 氮化镓(GalliumNitride，GaN)基III-V族材料禁带宽度(0.7eV-6.2eV)可以覆盖紫外、可见、红外光波段，而且具有很高的光电、电光转换效率，使得其在发光二极管(LightEmittingDiode，LED)、激光器(LaserDiode，LD)、探测器(Photodetector，PD)以及太阳能电池(SolarCell)等光电器件领域有广泛的应用。本文以GaN基LED的需求为出发点，利用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）系统，制备了具有不同外延结构的InGaN/GaN多量子阱（
叶大千
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Dianci bileiqi柔性低频输电技术在中远距离海上风电汇集送出等场景中独具优势，频率改变会造成电力设备绝缘特性发生改变，然而低频海上用电力设备外绝缘表界面击穿的试验研究和理论分析尚未见报道。本文通过采用改变盐雾试验时间控制硅橡胶表面盐雾沉降，研究不同盐雾条件下硅橡胶低频表面击穿特性。研究结果表面纯净硅橡胶表面击穿场强随频率增大而减小，且远大于盐雾处理的表面击穿场强；随着盐雾浓度增加，击穿场强对应的“频率拐点”越低，说明表面击穿场强在低频条件下具有更高的盐雾敏感性。研究分析认为盐雾和低频的电导特性是引起表面击穿的关键因素 ...
陈俊林 +6 more
doaj +2 more sources
Gaoya dianqi, 2018 目前国内雾霾天气对输电线路外绝缘的影响不容忽视,因此通过盐雾模拟雾霾天气,研究盐雾对短空气间隙雷电冲击击穿电压的影响具有重要实际意义。文中选择击穿电压最低的棒—板空气间隙为模型,分别对5、10、15 cm空气间隙,不同雾水电导率下进行雷电冲击电压击穿试验。结果表明,短空气间隙雷电冲击击穿电压受雾水电导率和空气间隙距离的共同影响,棒—板短空气间隙雷电冲击击穿电压随雾水电导率增大而减小,并且雾水电导率对击穿电压的影响程度随间隙距离增大而减小。通过粒子群算法（particleswarm ...
刘云鹏 +4 more
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Design and optimization of AlGaN tunneling junction [PDF]
, 2017 摘要 AlGaN半导体材料作为第三代宽禁带半导体的代表，具有直接带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）以及抗辐照能力强等物理性质，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。仰赖于直接带隙宽，通过调节合金组分，带隙可在3.4至6.2eV的光谱响应范围内调节，有利于能带剪裁，成为工作在紫外到深紫外范围的发光二极管、激光二极管以及探测器等器件的理想材料，受到业界的广泛关注。特别是作为紫外固态光源，相比于同样工作于紫外波段的传统汞灯，AlGaN基紫外光源除了重量轻 ...
李德鹏
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Gaoya dianqi, 1985 通过实测发现:在大气压时,压缩空气火花隙开关在亚微秒脉冲作用下的击穿电压,远大于均匀电场下的直流击穿电压,也大于放电球隙亚微秒脉冲作用下的击穿电压,且Vb和td相关;气压增加时开关在亚微秒脉冲作用下的击穿电压量渐趋于相应的直流击穿电压,Vb～td的相关性也逐渐减弱,到7bar以上时Vb～td间无明显相关性 ...
曾大雄
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Optimal Simulation of Separate Absorption and Multiplication 4H-SiC Avalanche Photodiode [PDF]
, 2011 SiC材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度大及热导率高等优点，在高温、高频、大功率及抗辐射器件等领域都有着广泛的应用潜力与良好的市场前景。 目前，采用4H-SiC已成功制备了不同结构的雪崩光电探测器（APD），与传统的PN结型或PIN型的APD相比，吸收层与倍增层分离（SAM）结构的APD具有高光谱响应度和低击穿电压等优点。对于APD，击穿电压、倍增因子和光谱响应度是其非常重要的性能参数。近年来，国内外有多个研究小组开展了SAM4H-SiCAPD理论和实验方面的研究 ...
钟林瑛
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