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Gaoya dianqi, 2018 文中目标旨在研究纳秒级连续脉冲电压对老练后真空灭弧室触头表面击穿位置分布的影响。采用屏蔽罩留有观察窗的玻璃外壳12 kV商用真空灭弧室与高速摄影仪（CCD）,研究不同触头开距条件下纳秒级连续脉冲电压幅值、频率对触头表面击穿位置的影响。研究结果显示,在纳秒级脉冲电压作用下,真空灭弧室触头间隙击穿后,其击穿位置在触头表面的分布服从高斯概率密度分布;击穿位置在触头表面分布趋向于中心位置;击穿位置随脉冲电压频率的增大而更趋均匀,随脉冲电压幅值的增大而更趋集中,随触头开距的增大而更趋于集中。此外 ...
刘畅 +5 more
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Dianci bileiqi, 2020 针对西北地区输电线路和埋地油气管道相邻交叉,输电杆塔接地体可能在雷电冲击下对油气管道放电的情况,通过试验的方法确定了针电极对油气管道间砂质土壤的平均击穿场强,分析了临界击穿场强的影响因素,并对土壤的击穿机理进行了讨论。试验结果表明沙质土壤中针电极对管道的临界击穿场强为200～300 kV/m,土壤电阻率对土壤的临界击穿场强影响不大,为确定西北砂质土壤地区输电线路和埋地油气管道的安全距离提供了参考数据。
郑智慧 +5 more
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Gaoya dianqi, 2019 绝缘管型母线是一种新型的母线产品,有着优异的性能。但应用时间较短,研究不够深入,致使故障频发。文中设计与制备了含气泡缺陷环氧浇注绝缘管型母线真型样品,通过加压电破坏试验,研究其电击穿机理。在试验中首次发现了气体膨胀鼓包导致最终击穿的破坏方式。研究结果表明,电—机械击穿应为其击穿模式,其击穿过程可分为气体增强阶段和击穿临界阶段两个阶段,并得到了阶段特征与阶段变化判据。气隙内由局部放电导致环氧树脂分解所产生的气体气压超过气隙壁断裂韧性临界值,造成裂纹失稳扩展是击穿的主要原因 ...
任想 +6 more
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Gaoya dianqi, 1997 论述了真空间隙击穿的三种机理（微放电、微粒迁移和场致电子发射）。通过定量的击穿机理分析表明,真空触头间隙击穿的主要原因是:微粒迁移和场致发射引起的阳极蒸发。
李震彪, 程礼椿, 张逸成
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Dianci bileiqi, 2017 目前国内尤其是华北地区各大城市均持续出现雾霾天气,雾霾对输电线路外绝缘的影响不容忽视,因此通过盐雾模拟雾霾天气,研究盐雾对短空气间隙工频击穿电压的影响具有重要实际意义。以击穿电压最低的棒-板空气间隙为模型,分别对5 cm、10 cm、15 cm空气间隙在不同雾水含量和不同雾水电导率下进行工频电压击穿试验。结果表明:短空气间隙工频击穿电压受雾水电导率和雾水含量的影响,并且在不同雾水含量下,雾水电导率对击穿电压的影响程度不同,并通过粒子群算法（particle swarm optimization,PSO ...
谢梁 +5 more
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Progress in the Development of Microwave High Power SiGe HBT's and Its Applications [PDF]
, 2005 文章论述了SiGe异质结双极晶体管(HBT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率SiGe HBT的结构设计方法,以及主要影响器件性能的材料和结构因素,评述了其最新进展及今后发展方向。国家自然科学基金重点资助项目(60336010);; 福建省青年科技人才创新项目(2004J021 ...
徐剑芳, 李成, 赖虹凯
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, 2004 通过对铁电陶瓷疲劳失效研究现状的文献综述,概述了国内外在电疲劳和电致疲劳的机理、影响因素和实验手段等方面的研究进展。通过分别对各类电疲劳机理和各种电致疲劳模型进行讨论,比较了各种理论和模型之间的不同之处 ...
张颖, 程璇, 陈志武
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Gaoya dianqi, 2016 针对板—板、针—板两种典型电极形状在5 mm间隙下SF6/CF4混合气体的击穿特性开展实验研究,分别测量SF6分压比为0%100%、压强在0.10.6 MPa下的气体击穿电压,研究压强、SF6分压比及电场不均匀度等因素对SF6/CF4混合气体绝缘性能的影响。结果表明:0.6 MPa的20%SF680%CF4气体在板—板电极下的击穿电压为138.89 k V,是相同压强纯SF6气体击穿电压的64.8%,在针—板（针为负极性）电极下的击穿电压为58.4 k V,是相同压强纯SF6气体击穿电压的74.8 ...
张佳 +4 more
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The Fabrication of Au/4H-SiC Semitransparent Schottky UV Photodiode [PDF]
, 2006 碳化硅（SiC）由于其较宽的带隙,较大的击穿电场,较高的电子饱和漂移速率和较大热传导率，在制作高温、高频、大功率和抗辐射器件方面具有巨大优势，被认为是最有前景的宽带隙半导体材料之一。基于4H-SiC材料制备的紫外光电探测器，因其禁带宽度大(3.26eV),对可见及红外线辐射无响应，因而可以在很强的可见及红外线背景下检测紫外光。近年，有一些关于金属/4H-SiC的报道，但对Au/4H-SiC肖特基光电二极管的报道并不多，而对于半透明肖特基接触的报道就更少。目前在有关的报道中用作肖特基接触的金属厚度相对较大，
王良均
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