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Investigation of the ohmic contact for high Al content AlGaN [PDF]
, 2011 随着氮化物半导体材料和器件科学的发展，AlGaN基器件因其具有良好的应用潜力近年来逐渐成为研究的热点。由于高性能的光电子器件的制造需要高质量的电学驱动和电注入，因此，实现电极欧姆接触并提高其接触性能对于提高器件的性能起到了至关重要的作用。本文围绕金属-半导体接触界面的性质，采用MOVPE生长技术、界面结构的表征和性能测试手段、结合第一性原理计算方法，从实验技术到微观机理阐释，对AlGaN器件金属接触进行了系统的研究，得到以下重要结果： 采用MOVPE生长技术外延生长了质量良好的高Al组分AlGaN材料 ...
张彬彬
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Study of the Photovoltaic Properties of Tin Oxide/Porous Silicon/Silicon [PDF]
, 1998 测量了二氧化锡（SnO2）/多孔硅（PS）/硅（SI）的光电压谱，分析表明：在SnO2/PS/SI材料中存在着两个异质结；当样品吸附还原性气体时，其光电压明显下降。当样品在1%液化石油气的氛围时（相对于空气），光电压减少了16.4%-27.5%；在1%CO氛围时，减少了8.1%-19.4%；在1%H2氛围时，减少了12.1%-14.9%，因此SnO2/PS/SI可作为一种新的敏感元件。文中还对测量结果进行了讨论分析。The photovoltage spectra of Tin Oxide/Porous
吴孙桃, 朱文章, 沈华, 王延华
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Shuitu Baochi Xuebao, 2002 加入WTO对国民经济各部门、各行业都将产生深远的影响.但是,由于各部门、各行业的性质、特点不同,对于入世带来的影响需要具体分析.水利是国民经济重要的基础设施,水土保持属于改善农业生产条件、改善生态环境的非盈利性公益事业.加入WTO对水土保持的影响既反映在对水土保持企业的直接影响,又反映在通过对农业及其他相关产业的影响而产生对水土保持的间接影响.直接影响表现在对水土保持勘察规划设计、工程建设、工程监理、科研咨询业等方面的影响.应对措施包括进一步加快"事改企"步伐;全面推行业主责任制、建设监理制、招投标制 ...
马国力 杜邦清 刘斌
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The Fabrication of Au/4H-SiC Semitransparent Schottky UV Photodiode [PDF]
, 2006 碳化硅（SiC）由于其较宽的带隙,较大的击穿电场,较高的电子饱和漂移速率和较大热传导率，在制作高温、高频、大功率和抗辐射器件方面具有巨大优势，被认为是最有前景的宽带隙半导体材料之一。基于4H-SiC材料制备的紫外光电探测器，因其禁带宽度大(3.26eV),对可见及红外线辐射无响应，因而可以在很强的可见及红外线背景下检测紫外光。近年，有一些关于金属/4H-SiC的报道，但对Au/4H-SiC肖特基光电二极管的报道并不多，而对于半透明肖特基接触的报道就更少。目前在有关的报道中用作肖特基接触的金属厚度相对较大，
王良均
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Alloy Conditions Impact on Al/n~+-Ge Ohmic Contact [PDF]
, 2013 gE比SI具有更高的电子和空穴迁移率,且gE材料可以应用于1.3~1.5μM近红外波段,因此gE成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而由于gE的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(P)原位掺杂,使得n-gE的欧姆接触成为一个难题。采用P+离子注入获得高掺杂浓度的n-gE材料,掺杂浓度为1.5x1019CM-3;依据圆形传输线模型(CTlM)制备了一系列Al/n+-gE样品,研究了不同退火温度和退火方式对其接触特性的影响。实验结果表明,Al/n+-gE样品通过400℃快速热退火(rTA)30 ...
李成 +5 more
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Studies on Tuning of the Energy Band Level of TiO2 and Related Interfacial Properties [PDF]
, 2017 利用半导体吸收太阳能分解水产生氢气是同时解决环境污染和能源短缺两大危机的最有效方法。然而，限制这一技术应用于实际的核心问题在于缺乏高效、稳定的半导体光催化剂。经过几十年的研究，人们对半导体光催化分解水的原理已经有了深入的认识，但依然面临着不少的难题。例如，人们已知金属-半导体异质结的形成可提高光生载流子的分离效率，但对于金属在不同晶面上所形成的界面势垒对分离效率的影响研究较少；人们已知通过掺杂可以拓展半导体吸收光谱、提高光生载流子分离效率，但对于掺杂是否会影响光生载流子在催化剂表面的反应效率则了解不多 ...
曾建新
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Establishment of Low Temperature Gas Sensor and its Characteristic Studies [PDF]
, 2017 环境中的气体对人类的生产、生活等活动产生很大的影响，利用气体传感器对环境气体进行检测并及时报警，可有效的保障人类的活动安全。在众多气体传感器中，基于低维半导体纳米材料电阻式气体传感器具有成本低、灵敏度高、使用寿命长等优点。随着科技的发展，低功耗、便携式、微型化气体传感器成为趋势，高的工作温度会带来能量的消耗增加、器件的构造复杂，同时，气敏器件在检测可燃性的气体时，高温点有可能成为爆炸源，十分危险。因此，开展可在低温工作的气体传感器研究是十分重要的。 由于在低温状态下气敏材料表面活性较低 ...
王妍蓉
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Optoelectronic characteristics of InGaAs (P)/InP strained quantum well and superlattice [PDF]
, 1998 利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（MOCVd）生长技术在InP衬底上生长IngAAS/InP应变量子阱、超晶格和IngAASP/InP量子阱结构材料，利用77k光荧光（Pl）测量这一应变量子阱和量子阱的光学性质，利用双晶X光测量应变超晶格的性质。InGaAs/InP strained quantum well and superlattice,and InGaAsP quantum well were grown on InP substrate by low-pressure metal ...
刘宝林, 陈朝, 陈松岩, 陈龙海
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The Simulation and Analysis on Spectrum Response for Diamond MSM Ultraviolet Detector [PDF]
, 2002 【中文摘要】 应用 MSM结构光电探测器相对光谱响应的理论公式 ,得到金刚石膜 MSM紫外光电探测器相对光谱响应理论曲线 ,与实验曲线进行比较 ,发现两者吻合得很好。探测器光谱响应的截止波长都在 2 2 0～ 2 3 0 nm范围 ,紫外光与可见光的相对响应度相差一个数量级。根据 MSM结构光电探测器光谱响应曲线拟合出金刚石薄膜厚度、少子扩散长度等表征参数 ,探讨金刚石膜吸收层反射率、吸收系数、金刚石的晶粒大小及金属电极叉指指宽、指距等参数对金刚石膜 MSM光电探测器光谱响应和量子效率的影响 ...
周海文, 程翔
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Growth and device development of high efficiency and high power LED [PDF]
, 2012 GaN基大功率LED作为第四代电光源，具有体积小、低电压、寿命长、效率高、节能等优良特性，但目前还存在转换效率低、光通量小、可靠性差等缺点。这主要是由蓝宝石异质外延GaN晶格质量较差、GaN材料强烈的极化效应、p型GaN激活效率低等原因造成。本论文利用高分辨X光衍射（HRXRD）、光荧光（PL）与芯片测试等技术，设计并优化了底层GaN、有源区和p型层等关键结构的生长工艺，有效地改善大功率LED的光电性能，主要结论如下：1.PSS衬底外延GaN晶格质量的提升：研究了湿法制作图形化蓝宝石衬底 ...
张洁
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