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, 2018 本实用新型涉及一种基于角度信息反馈的割台高度传感器，连接臂的一端与安装支架铰接，另一端与仿形臂的一端相连，仿形臂的另一端与收割地面抵接；连接臂的一端与安装支架之间设有扭簧，扭簧的两端分别与安装支架和连接臂的一端相连；安装支架上铰接有分禾器连接板，并在铰接的销轴A上与角度传感器直连，销轴A与安装支架连动，收割机上的分禾器安装在分禾器连接板上；仿形臂随收割地面的地势高低变化通过扭簧带动安装支架转动，角度传感器收集仿形臂的角度变化信号，仿形臂通过扭簧始终保持与收割地面抵接 ...
胡河春 +5 more
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, 1994 利用双势垒结构磁电容曲线，测量了垂直磁场下二维电子态密度。采用高斯型朗道 态密度模型计算了双势垒结构的电容随磁场的变化曲线，与不同偏压和温度下的实验曲线符合得相当好 ...
李承芳 +4 more
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, 2007 制作了反向饱和电流为5.5×10~(-14) A/cm~2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象 ...
史永生 +10 more
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, 1993 对PtSi/N-Si和PtSi/P-Si两种肖特基势垒的形成条件与势垒高度之间的关系进行了详细研究。从理论上分析了在退火过程中引入的影响肖特基势垒特性的各种因素 ...
丁孙安, 许振嘉
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, 2001 GaP:N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。根据载流子分布的连续性,由泊松方程自洽求解,得出了半导体n~--n结势垒分布的计算方法。在此基础上,计入n~-区内的电位降,计算了商用发光二极管p~+-n~-n结构的势垒分布 ...
赵普琴 +3 more
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, 1999 成功地用深能级瞬态谱(DLIS)研究了p型InAs自组织生长的量子点的电学性质，测得2.5原子层InAs量子点空穴基态能级在GaAs价带底上约0.09eV,该量子点在荷电状态发生变化时需要克服一个势垒，俘获势垒高度为0.26eV。首次利用DLTS测定了量子点空穴的基态能级和俘获势垒 ...
宁东 +4 more
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, 2001 在可商业获得的N型6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长，在此结构材料上，通过热蒸发，制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管。测量并分析了肖特基二极管的电学特性，结果表明 ...
王姝睿 +5 more
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, 1995 在包络波函数近似下自洽计算了非对称双热垒结构(DBS)中的电子态,并正确得到了积累区和中央势阱中准束缚能级E_(ac)、E_(we)随偏压变化的反交叉过程.结果首次揭示了结果适当选取DBS的入射垒厚度,随着外加电场不断增加,在过共振区积累层势阱和中央势阱会统一成一个大三解势阱的基态能级E_(com),E_(com)具有很好的二维性 ...
宋爱民, 郑厚植
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温度引起的ZnSe/Zn_（0.84）Mn_（0.16）Se超晶格中势阱层和势垒层的反转
, 1999 测量了ZnSe，Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金和ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格的10～300K的变温光致发光谱。发现ZnSe的带隙在10K时比Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金的带隙小，而在300K时比合金的带隙大。预计ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中在130K附近会发生势阱层和势垒层的反转。在ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中观测到了这种反转但发生在80K附近。超晶格中Zn_(0.84)Mn_(0.16)
李国华 +6 more
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