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Rare Metals, Volume 43, Issue 7, Page 3242-3249, July 2024.Graphical abstract AbstractIn this work, a conventional HfO2 gate dielectric layer is replaced with a 3‐nm ferroelectric (Fe) HZO layer in the gate stacks of advanced fin field‐effect transistors (FinFETs). Fe‐induced characteristics, e.g., negative drain induced barrier lowering (N‐DIBL) and negative differential resistance (NDR), are clearly observed
Zhao‐Hao Zhang +10 more
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四川大学学报. 自然科学版, 2009 确立考虑层间作用情况下多层球状纳米系统的物理模型和电子势能满足的方程,应用格林函数法和傅立叶展开,求出系统的电子势能。分别以CdS/HgS/CdS封闭型和HgS/CdS/HgS开放型球状纳米系统为例,讨论了层间作用和线度对系统电子势能变化规律的影响.结果表明:与比不考虑层间作用的情况相比,层间作用的存在,使封闭型球系统的电子势垒平均高度有所降低,而开放型的电子势垒平均高度有所增高;层间作用愈大,电子势垒高度降低(或增高)得愈多,电子势能曲线起伏愈大.系统内核的线度愈大,电子势能曲线起伏愈小 ...
龙晓霞, 郑瑞伦, 吴强
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Dianci bileiqi, 2021 金属氧化物避雷器是电力系统绝缘配合中的关键设备,避雷器的核心元件是压敏电阻。研究了一种新型的SnO2压敏电阻材料。为了进一步的改善SnO2压敏电阻的综合电气特性,研究了Sb2O5的掺杂对SnO2压敏电阻的微观结构和电气特性的影响。随着Sb5+掺杂量的逐渐增加,一方面Sb5+通过固溶在SnO2晶格中,从而产生大量的自由电子,大大降低了在大电流区SnO2的晶粒电阻率,使得残压比得到了有效抑制;另一方面增加了界面态密度Ni,改善晶界面上的肖特基势垒高度b,提高了SnO2压敏电阻的非线性系数 ...
刘冬季 +4 more
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四川大学学报. 自然科学版, 2015 使用艾里(Airy)函数和转移矩阵方法精确求解了一维三角形多势垒结构的电子一维定态薛定谔方程,求出了在一维三角形多势垒结构中电子共振透射系数的一般表达式,并进一步研究了三角形结构势垒的共振透射系数与有效质量、势垒宽度、势垒高度及势阱宽度之间的关系.
骆敏, 余观夏, 林杨帆, 苏峻
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Dianci bileiqi, 2017 利用瞬态热阻抗模型,设计实验研究MOV芯片通过直流电时散热能力的变化特征,结果表明,在通过直流电时,MOV芯片的内部晶体势垒高度并不是直接下降的,存在一个"转折温度",这个温度是势垒高度改变的转折点,低于此温度,势垒高度上升,高于此温度,才是单调下降的。根据此原理,可用直流电对MOV芯片进行合适时间的"预老化",以增强其初始散热能力。
张宏群, 徐彬彬, 杨天琦
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Dianci bileiqi, 2010 系统分析了势垒高度测量的两种常用方法（I-T特性方法和C-V特性方法）成立的条件,发现直接采用lnj～1/T曲线的基本I-T特性方法适用于流过ZnO压敏陶瓷的电流较小,导电机制为热发射电流的情况,且只能得到等效势垒高度,其最大误差为12%～20%。要使测量误差在10%以内,则外施电压的荷电率不应超过0.4～0.6。改进后的I-T特性方法可测量零偏置电压下的势垒高度准0;C-V特性方法仅适用于偏析层厚度可忽略的情况,否则测量值明显偏大;实际上将两种方法相结合,不但能得到较精确的势垒高度准0 ...
成鹏飞, 王玉平, 于长丰
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Dianci bileiqi, 2022 通流容量是ZnO压敏电阻的重要的电气参数，其大小决定着避雷器性能的优劣。笔者研究了B2O3和Ga2O3掺杂对ZnO压敏电阻预击穿区和翻转区下的电流-电压特性的影响。在预击穿区，B3+和Ga3+的掺杂提高了样品的晶界势垒，抑制了泄漏电流的增加，从而改善了样品在工作条件下的老化稳定性。而在翻转区，三价施主离子(B3+和Ga3+)的掺杂致使I-V曲线右移，扩大了样品的非线性区，提高了样品对高脉冲电流放电的能力。掺杂0.3（摩尔分数）B2O3、0.1（摩尔分数）Ga2O3的样品具有优异的电气性能 ...
程宽, 赵洪峰, 周远翔
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Dianci bileiqi, 2003 研究了BaTiO3基多层陶瓷电容器（MLCs）直流击穿与温度的关系。测量了从室温到250℃范围内BaTiO3基多层陶瓷电容器的直流击穿场强（BDFs）,通过分析直流预压对BDFs的影响,发现空间电荷的同性效应对MLCs的室温和居里温度区的直流击穿有很大的影响;而在高温区,MLCs的直流击穿主要是热击穿。最后根据结构控制Schottky电导理论,联系热离子反射过程和势垒高度对空间电荷积累的影响,从而得出居里温度区具有极小击穿场强的直流击穿特性与BaTiO3基陶瓷绝缘体相转变导致的势垒高度的增加相一致的结论。
周远翔 +4 more
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Dianci bileiqi, 2021 与理论计算相结合的材料设计是现代材料科学发展的一个重要方向。基于密度泛函理论的第一性原理,在ZnO非线性电阻的设计与研究领域的应用以及最新研究进展进行了梳理。共分5个方面:1)第一性原计算的背景; 2) ZnO晶体及其表面的电子结构; 3) ZnO晶体本征缺陷及掺杂的电子结构; 4)双晶ZnO晶体界面的电子结构; 5) Bi偏析ZnO晶体界面的电子结构,即双肖特基势垒(n-p-n)。随着相关理论和计算方法的发展,以及计算机性能的不断提高,对ZnO非线性电阻的基本电子特性可以通过计算直接获得 ...
汤霖 +4 more
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四川大学学报. 自然科学版, 2013 本文研究了多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运的声电电流特性.改变每个量子点接触的栅电压用以实现不同高度的静态势垒,从而调节声电电流.并用电子泵模型解释了不同势垒之间的耦合对于电流的影响,根据此模型得到的模拟结果与实验吻合.
吕倩华, 郭华忠
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