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Research and progress of ohmic contact to p-type GaN [PDF]
, 2004 【中文文摘】宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几个问题,回顾了近年来p型GaN欧姆接触的研究进展。 【英文文摘】The wide-bandgap GaN has been extensively investigated and developed rapidly in recent years.
刘宝林, 潘群峰
core
探究两步烧结工艺下微米级粉料的氧化锌电阻片的微观结构及电性能
Dianci bileiqi, 2021 笔者以微米级粉体为原料,采用两步烧结法制备氧化锌电阻片,系统地研究了各烧结条件下氧化锌电阻片的微观结构,致密化程度,基本电性能和介电性能,包括阻抗谱和介电损耗谱。结果表明,两步烧结能有效地减小晶粒尺寸,使晶粒分布均匀,增强致密化。在合适的两步烧结曲线下,其样品的电压梯度为402.26 V/mm,漏电流为0.98μA/cm2,非线性系数为60.88。两步烧结样品在低温下介电损耗的两个驰豫峰对应的活化能为0.22～0.24 eV和0.34～0.37 eV,传统烧结样品对应的活化能为0.24 eV和0.32 ...
方针 +5 more
doaj
Study of Contact Properties of Metal Nitrides on n-Ge [PDF]
, 2014 锗（Ge）材料因其较高的载流子迁移率以及与硅工艺兼容的性质成为下一代高性能集成电路半导体MOSFE器件沟道的首选替代材料。然而金属/Ge接触界面存在强烈的费米能级钉扎效应，形成较高的接触势垒和较大的接触电阻，影响了器件性能提升。因此，研究Ge费米能级钉扎效应本质，调制金属/n-Ge的接触势垒高度，以及寻找获得欧姆接触的途径具有重要的研究意义和应用价值。 本论文利用反应磁控溅射的方法得到不同组分的WNx/n-Ge与TiNx/n-Ge接触材料，研究了金属氮化物与n-Ge接触势垒高度调制方法与机理 ...
吴焕达
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Dianci bileiqi, 2003 研究了BaTiO3基多层陶瓷电容器（MLCs）直流击穿与温度的关系。测量了从室温到250℃范围内BaTiO3基多层陶瓷电容器的直流击穿场强（BDFs）,通过分析直流预压对BDFs的影响,发现空间电荷的同性效应对MLCs的室温和居里温度区的直流击穿有很大的影响;而在高温区,MLCs的直流击穿主要是热击穿。最后根据结构控制Schottky电导理论,联系热离子反射过程和势垒高度对空间电荷积累的影响,从而得出居里温度区具有极小击穿场强的直流击穿特性与BaTiO3基陶瓷绝缘体相转变导致的势垒高度的增加相一致的结论。
周远翔 +4 more
doaj
Physical Connotation of Average-Bond-Energy and St [PDF]
, 2001 金属-半导体接触在技术上十分重要，在半导体器件和集成电路中广泛地利用着各种不同性质的金属-半导体接触，因而器件与集成电路的质量和可靠性在很大程度上依赖于电路中金属-半导体接触的性质；半导体-半导体接触界面处的价带带阶和导带带阶决定着量子阱和超晶格的势阱深度及其基本特性，预言、调节或控制带阶的“能带剪裁”新技术是当今“能带工程”的重要组成部分。金属-半导体接触Schottky势垒和异质结带阶的实验和理论研究与“表面与界面”新兴学科的研究进展紧密相关，基于不同实验结果的不断发现 ...
李书平
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Dianci bileiqi, 2018 针对氧化锌压敏电阻直流作用下的老化问题。利用氧化锌压敏电阻肖特基势垒理论,对氧化锌压敏电阻在正极性和正、负极性直流交替作用下,氧化锌压敏电阻老化规律进行研究,得出以下结论:1)氧化锌压敏电阻在单一极性直流作用下,产生明显的极性效应。此外,极性效应和老化程度均随电流的增加而增大,当达到最高点时,出现减慢的现象。2)正、负极性电流交替作用时,ZnO压敏电阻出现极性补偿现象,使得肖特基势垒高度下降变慢,导致压敏电阻老化程度较单一极性电流作用下缓慢。
苑吉河 +4 more
doaj
Thermal stability of NiGe(Si) films and eletrical characteristics of NiGe(Si)/Ge(Si) contacts [PDF]
, 2013 SiGe和Ge材料拥有比硅材料更高的载流子迁移率且与硅工艺相兼容等优点，是制备高速器件的理想材料。Ni(Si1-xGex)和NiGe合金具有低的薄膜电阻率和低的形成温度等优点，是实现SiGe或GeMOSFET器件源漏区的重要接触电极材料。本文围绕Ni(Si1-xGex)和NiGe薄膜的热稳定性以及Ni(Si1-xGex)/SiGe和NiGe/Ge的接触电学特性，较系统地研究了Ni(Si1-xGex)形成过程中Ge的偏析、相变和表面形貌等特性，分析了Ge组份及其偏析对Ni(Si1-xGex ...
汤梦饶
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添加MgSO4对高压ZnO压敏电阻器小电流区温度稳定性的影响
Dianci bileiqi, 2000 研究了给高压氧化锌压敏电阻器配方中添加 Mg SO4对其漏电流温度稳定性的影响。同时 ,对 Mg SO4在高压氧化锌压敏电阻器陶瓷中的存在形式和显微结构以及对 Zn O晶界势垒的影响进行了简要分析。
王建文, 贾广平
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Ultraviolet Photodetector Based on ZnO Films [PDF]
, 2008 利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si衬底上制备了ZnO薄膜,并在薄膜上制作了Ag-ZnO肖特基二极管和Ag-ZnO-Ag肖特基MSM叉指结构的紫外探测器。所制备的ZnO薄膜具有良好的c轴择优取向,表面平整,在可见光范围具有较高的透射率,吸收边在370 nm附近;所制作的肖特基二极管显示了良好的整流特性,有效势垒高度约为0.65 eV;所制作的MSM紫外探测器在5 V偏压下漏电流为3.3×10-8A,在紫外波段有较高的响应度,光响应度峰值在365 nm附近。The ZnO films were ...
吴孙桃, 吴跃波, 黄波
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Si( 100) 表面Se 薄膜生长及其在Ti /Si 欧姆接触中的应用 [PDF]
, 2011 National Basic Research Program of China [2007CB613404]; National Natural Science Foundation of China [61036003, 60837001]; Natural Science Foundation of Fujian Province of China [2008J0221]We have investigated the growth of thin selenium layer on Si ...
Chen Song-Yan +11 more
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