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Dianci bileiqi, 2023 文章研究了烧结温度对SnO2压敏电阻微观结构和电学性能的影响。通过XRD和SEM观察到烧结温度对样品致密化和晶粒尺寸具有很大影响。通过C-V曲线、E-J曲线及复阻抗图谱计算各电学参数。当烧结温度为1 250℃时，样品的电压梯度为762.27 V/mm,非线性系数为36.59,泄漏电流为3.27μA/cm2。在烧结过程中，形成的氧空位和深层缺陷提高了界面态密度，进一步提高了势垒高度。晶界势垒的提高会提高非线性系数，减小泄漏电流。
孙冠岳 +3 more
doaj
Dianci bileiqi, 2021 普遍认为,Bi2O3是ZnO电阻片形成晶界势垒及非线性伏安特性的基础,然而Bi元素对构成势垒的缺陷结构的作用机制仍不清楚。基于一种优化的介电谱,笔者研究了Bi2O3含量对现代直流ZnO电阻片本征点缺陷锌填隙和氧空位、非本征缺陷晶间相结构和界面态的作用机制。实验结果表明,Bi掺杂使得晶界势垒结构发育完善,所以掺入Bi元素后试样才具有优异的非线性特性。Bi2O3促进晶界氧传输和吸附,进而有效提升界面态密度,调控本征点缺陷浓度。特别地,Bi2O3掺杂量达到1.2 mol%时 ...
赵霞 +4 more
doaj
Dianci bileiqi, 2023 在直流输电工程中，大地回线和金属回线转换是一项十分重要的操作，而转换开关两侧并联的氧化锌避雷器阀片对其过电压进行限制，确保其能转换成功。在转换开关实际工况中，氧化锌避雷器阀片承受的实际工况多数为长脉宽冲击电流。通过肖特基势垒理论以及离子迁移率对氧化锌避雷器阀片在40 ms长脉宽冲击电流下的老化规律进行研究，得出以下结论：1)长脉宽冲击电流下，U1 mA先略微下降再到平缓甚至一直保持不变，即说明电流分布集中势垒较高的晶界层单元链中，并对阀片整体晶界层起到均一化作用。2)随着脉冲次数的增加，500 ...
卢文浩 +6 more
doaj
Dianci bileiqi, 2023 研究了不同含量Ga3+掺杂对ZnO基压敏电阻微观结构，电学性能的影响。微观结构上，掺杂Ga3+没有对压敏电阻的相组成产生改变但抑制了氧化锌晶粒的生长，并使得尖晶石数量增多，尺寸减小；电学性能上，因为势垒下降和晶界电导率提高少量增加的Ga3+掺杂就显著增大了漏电流，降低了非线性，提高了压敏电阻的梯度。当Ga3+掺杂量增加到0.014 mol%时，压敏电阻在5 kA冲击下达到了最小残压比为1.72,此时电位梯度309.05 V/mm,非线性系数为18.0,漏电流为20μA。
江海波 +6 more
doaj
Dianci bileiqi, 2021 金属氧化物避雷器是电力系统绝缘配合中的关键设备,避雷器的核心元件是压敏电阻。研究了一种新型的SnO2压敏电阻材料。为了进一步的改善SnO2压敏电阻的综合电气特性,研究了Sb2O5的掺杂对SnO2压敏电阻的微观结构和电气特性的影响。随着Sb5+掺杂量的逐渐增加,一方面Sb5+通过固溶在SnO2晶格中,从而产生大量的自由电子,大大降低了在大电流区SnO2的晶粒电阻率,使得残压比得到了有效抑制;另一方面增加了界面态密度Ni,改善晶界面上的肖特基势垒高度b,提高了SnO2压敏电阻的非线性系数 ...
刘冬季 +4 more
doaj
Research of Ge Junction Technology and Ge Lateral PIN Photodetector [PDF]
, 2015 锗材料因其具有比硅材料更高的载流子迁移率，在通信波段具有高的吸收系数，以及与主流硅工艺相兼容等优点，成为下一代高性能集成电路半导体MOSFET器件沟道的首选替代材料。经过十余年研发，当前Gep-MOSFET的性能已经取得实质性的进展，但相应Gen-MOSFET性能仍未取得突破，除了高k介质与Ge接触产生大量界面态外，还有以下两个原因：首先金属/n-Ge结界面强烈的费米能级钉扎效应和较高的接触势垒引入较大的器件串联电阻；其次Ge中n型杂质扩散严重，激活浓度低，不利于形成n+p浅结。因此，调制金属 ...
魏江镔
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Rare Metals, Volume 45, Issue 1, January 2026.ABSTRACT Vanadium oxides are deemed competitive cathode candidates for aqueous zinc‐ion batteries (AZIBs), benefited from their high theoretical capacity and multiple crystalline structures. However, the sluggish reaction kinetics, poor reversibility, and high solubility have hindered the practical application.
Xiaoyu Fan +7 more
wiley +1 more source
Modification of Ge surface by plasma technology and its application in GOI and Al/n-Ge contact [PDF]
, 2016 锗材料由于具有比硅材料高的电子和空穴迁移率，在通信波段有较高的吸收系数并且与成熟的硅工艺相兼容等优点，使其成为下一代高性能微电子器件的首选替代材料。然而Ge器件存在着漏电流大的致命缺点，同时Ge器件尺寸的缩小会引入一些小尺寸效应。绝缘体上锗（Germanium-on-Insulator，GOI）结合了Ge材料及SOI（Silicon-on-Insulator）结构的优点，其独特的全介质隔离结构可以很好地解决体Ge材料器件的不足。虽然采用智能剥离技术（Smart-cutTM ...
赖淑妹
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Rare Metals, Volume 43, Issue 7, Page 3242-3249, July 2024.Graphical abstract AbstractIn this work, a conventional HfO2 gate dielectric layer is replaced with a 3‐nm ferroelectric (Fe) HZO layer in the gate stacks of advanced fin field‐effect transistors (FinFETs). Fe‐induced characteristics, e.g., negative drain induced barrier lowering (N‐DIBL) and negative differential resistance (NDR), are clearly observed
Zhao‐Hao Zhang +10 more
wiley +1 more source
Dianci bileiqi, 2022 通流容量是ZnO压敏电阻的重要的电气参数，其大小决定着避雷器性能的优劣。笔者研究了B2O3和Ga2O3掺杂对ZnO压敏电阻预击穿区和翻转区下的电流-电压特性的影响。在预击穿区，B3+和Ga3+的掺杂提高了样品的晶界势垒，抑制了泄漏电流的增加，从而改善了样品在工作条件下的老化稳定性。而在翻转区，三价施主离子(B3+和Ga3+)的掺杂致使I-V曲线右移，扩大了样品的非线性区，提高了样品对高脉冲电流放电的能力。掺杂0.3（摩尔分数）B2O3、0.1（摩尔分数）Ga2O3的样品具有优异的电气性能 ...
程宽, 赵洪峰, 周远翔
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