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, 2004 本发明涉及海洋无脊推动物海绵的细胞离体培养技术，具体提供一种海绵组织离散细胞形成细胞团的方法。它是将新鲜海绵组织块在含有EDTA的无钙镁海水(CMFSW-E)中被切割成1～3cm3的小块，经研磨过滤获得离散的海绵细胞悬浮液，通过梯度离心得到了增殖能力高且无微生物污染的离散细胞，细胞在无菌海水中成团、培养，可采用MTT法或流式细胞仪确认细胞的增殖能力。与现有海绵细胞成团方法相比，本发明可获得生命活力更强的细胞团并有效的解决了海绵细胞培养中一直存在的霉菌污染难题 ...
张卫, 方丽驹, 赵权宇, 张骁英
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四川大学学报. 自然科学版, 1980 分布参数控制理论和泛函微分方程理论的发展提出了研究C0-类半群的渐近稳定性问题.本文在Hilbert空间中得到了C0-类线性半群渐近稳定的最佳条件和其无穷小生成算子具紧预解式的C0-类半群渐近稳定的充要条件就线性情况而论它比Hale推广的不变原则在应用上更方便.同时在实际问题中,大量出现的是半群的扰动渐近稳定性问题,比如,若A是离散型谱算子,T是有界线性算子,问在什么条件下,半群et（A+T）渐近稳定?对于这一问题,[2]中用谱扰动方法,对A具单重谱（除有限个外 ...
黄发伦
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, 2006 本发明涉及一种等离子体增强裂解有机废弃物的方法，包括将固态、半固态、液态或气态的有机废弃物经前处理后，在等离子体炉中高温裂解，然后将裂解气体净化后二次燃烧，或是将裂解气体二次燃烧后再进行后处理净化。本方法电能消耗少、设备投资节省、运行成本低，运行稳定，操作简单 ...
吴承康, 魏小林, 盛宏至
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四川大学学报. 自然科学版, 2007 对Sobolev方程采用混合有限元法进行数值模拟,给出了相应的半离散格式及其误差估计,构造了几组简单的低阶元.与已有文献中的有限元方法相比,该方法所采用的变分形式较简单,计算量较小,精度较高.通过对单元刚度矩阵的分析,得出在一维和二维情形下通量函数选取某些不同模式得到的关于位移的单元刚度矩阵等同.
郑克龙, 胡兵
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Jianzhu Gangjiegou Jinzhan, 2020 为了系统地研究杆件初弯曲对半刚接单层柱面网壳稳定承载力的影响,对5种矢跨比的半刚接网壳进行了双重非线性全过程分析。首先阐述了焊接球节点刚度及随机杆件初弯曲的确定方法,然后深入研究了杆件初弯曲对5种矢跨比的半刚接网壳稳定承载力的影响程度,最后探讨了具有杆件弯曲的半刚接网壳的破坏过程。研究结果表明,杆件初弯曲对半刚接网壳稳定承载力的影响程度与网壳矢跨比和初弯曲分布形式有关。如杆件初弯曲对矢跨比为1/3、1/4半刚接网壳的影响甚微,对矢跨比为1/5半刚接网壳的影响较为明显。矢跨比为1 ...
肖姚, 李会军
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, 2000 对双层辉光离子钨钼共渗在离子轰击条件下形成的渗层和无离子轰击时形成的渗层进行了对比，计算了溶质原子钨和钼与空位的结合能。据溶质-空位复合体扩散的能量条件，提出溶质-空位复合体扩散机制在双层辉光离子钨钼共渗中起重要作用 ...
徐重, 贺志勇, 李成明
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四川大学学报. 自然科学版, 2008 设(M,g)为紧致仿射Khler流形,仿射Kahler度量g=∑fijdxidxj.作者证明了若f满足Δlog(det(fij))=0及Ricci曲率半正定,则M是Rn/Γ,其中Γ为Rn上离散等距子群.进一步,对光滑函数h,作者考虑M上的变分问题,其Euler-Lagrange方程为Δlog(det(fij))=4h(det(fij))-12,通过解这个四阶方程的一类边值问题,构造了定义在Rn上的欧氏完备仿射Kahler流形.
杨宝莹, 王宝富
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, 2001 提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型，这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果。氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能，氢气泡的半径是退火时间、退火温度和注氢剂量的函数。氢气泡的临界半径可根据Griffith能量平衡条件来获得，根据氢气泡增长的这一临界条件 ...
韩伟华, 余金中
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半翅目蝽科昆虫小皱蝽(Cyclopelta parva Distant)抗菌物质的诱导、提取及活性检测
四川大学学报. 自然科学版, 2007 小皱蝽是半翅目蝽科外生翅类昆虫,以其为实验材料,蘸取大肠杆菌和金黄色葡萄球菌菌液,针刺小皱蝽成虫腹部,诱导免疫防御反应,24 h后收集虫体.应用11种溶剂提取昆虫抗菌物质,黑曲霉生长抑制试验及琼脂孔半径扩散试验检测提取物的抗真菌、抗细菌活性,筛选最适提取溶剂.结果表明,80%甲醇能较好提取小皱蝽成虫的抗真菌、抗细菌物质,0.05%TFA的昆虫生理盐水浸提能较好提取小皱蝽成虫的抗细菌物质.两种抗菌物质提取液经超速离心、超滤、固相萃取分级分离,活性回收率分别为14.22%、11.54%,纯化倍数分别为4 ...
杨泽宏, 杨星勇, 何清君
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四川大学学报. 自然科学版, 2006 利用离子注入然后退火的方法制备了镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合薄膜,从拉曼散射和透射电镜测量了解到薄膜中镶嵌有5～7nm大小的锗纳米晶层.研究了锗纳米晶层在常温和低温下的电输运性质.结果表明:锗纳米晶在100K300K温度范围内符合莫特变程跳跃电导（VRH）导电,100K以下的低温电导基本上是一常数,导电主要是电子在相邻纳米晶之间的直接跃迁;经退火可消除离子注入引入的缺陷,能增加薄膜的电导;对由3×1017cm-2注量锗离子注入制备的薄膜观察到半导体向金属导电的转变.
张盛华 +5 more
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