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组合型电涌保护器设计方法的研究

Dianci bileiqi, 2017
针对组合型电涌保护器（SPD）利用氧化锌（Zn O）压敏电阻与气体放电管组合的设计方法的问题,理论分析了Zn O压敏电阻的块体模型和气体放电管工作原理;采用8/20μs模拟雷电流,对不同组合方式的Zn O压敏电阻与气体放电管进行了冲击测试,得出组合结构SPD主要性能体现在并联或并联的气体放电管数量的试验结果,即压敏电阻并联的气体放电管数越少,组合型SPD的残压越低;串联气体放电管数越多,压敏电阻的通流越小,可有效延长了压敏电阻的使用寿命;当气体放电管两端的电压达到直流放电电压时,气体放电管迅速导通 ...
李祥超, 张静, 陈良英, 薛奇
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压敏电阻在配合使用时的老化和失效分析

Dianci bileiqi, 2009
压敏电阻在实际配合使用中会受到安装环境或者电流冲击而逐渐出现老化现象,因此对配合使用的压敏电阻性能的研究是非常必要的。在利用HAEFELY PSURGE30.2电流发生器对放电管和压敏电阻的配合电路进行相应大规模测试的基础上,研究压敏电阻的失效模式理论和分析实验现象,验证了压敏电阻和放电管在配合使用时有大大延长使用寿命、输出残压低等优点;并提出了在理想测试条件下压敏电阻失效的原因可能是由于平均功率过大失效和受潮失效导致的。这对压敏电阻在工程应用中有一定的指导参考意义。
杜志航, 孙涌, 汪计昌, 杨仲江
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雷电波对低压电源系统干扰的仿真分析

Dianci bileiqi, 2008
微机保护系统是电力系统的重要组成部分,但其耐压水平低,雷电波侵入电源系统时易导致设备的损坏,严重影响电力系统的正常运行。依据雷电波侵入变电站微机电源的途径,建立模型,对雷电波侵入低压电源系统引起的冲击电压干扰进行ATP仿真分析,讨论变压器低压侧有无压敏电阻、雷电波侵入位置、压敏电阻装设位置等情况对冲击电压的影响。结果表明:在变压器低压侧加装压敏电阻,能有效抑制侵入的雷电波;压敏电阻安装位置离变压器低压侧越近,保护效果越好;线路带负载后冲击电压进一步降低;根据需求 ...
崔林, 黄欣, 李景禄, 王耀宇
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专利名称:防雷器压敏组件脱扣报警装置

Dianci bileiqi, 2013
专利申请号:CN200520121399.5公开号:CN2864931申请日:2005.12.27公开日:2007.01.31申请人:深圳市盾牌防雷技术有限公司一种防雷器压敏组件脱扣报警装置,它属于一种在压敏电阻失效过程中使压敏脱扣并提供失效告警信号的装置,它包括安装盒体、压敏电阻,在压敏电阻的上下两端设置有压敏电极,其特征在于在所述的安装盒体中设置有弹性脱扣电极,弹性脱扣电极自由弹性端压与压敏电阻的上部的压敏电极构成一个焊接结合点 ...
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沉淀剂类型对氧化锌压敏陶瓷电气性能的影响

Dianci bileiqi, 2018
采用共沉淀法制备氧化锌压敏陶瓷,研究了不同沉淀剂类型对氧化锌压敏陶瓷电气性能的影响。研究结果表明:氢氧化钠和乙醇胺沉淀剂对氧化锌压敏陶瓷的电位梯度、漏电电流、压敏电压、非线性系数、势垒高度影响较大,不同的沉淀剂类型出现了相反的实验结果。另外,通过测试氧化锌压敏陶瓷的介电温谱,发现沉淀剂的类型对氧化锌压敏陶瓷弛豫峰的削弱不尽相同,将缺陷类型与氧化锌压敏陶瓷的宏观参数联系起来。
庄葛巍, 张静月, 申娟, 余宇红
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压敏电阻冲击老化过程中温度对静态参数影响分析

Dianci bileiqi, 2015
研究了冲击老化过程中温度对压敏电压和泄漏电流的影响。研究表明,压敏电压呈现弱的负温度特性。随着冲击次数增加,压敏电压与温度的相关性有增强趋势,而且压敏电压随温度变化的波动变得明显。泄漏电流受温度影响较大。随着温度上升,泄漏电流呈指数函数上升,具有较强的正温度特性,且随着冲击次数增加,正温度特性越强。
曹洪亮, 谭涌波, 陈则煌, 邢扬, 李鹏飞   +4 more
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电涌保护器中压敏电阻并联的方法和理论分析

Dianci bileiqi, 2004
为了提高电涌保护器中压敏电阻的耐电流冲击性能,可采用压敏电阻的并联组合。通过对并联组合后的压敏电阻电性能的分析,认为电流偏差是由于限制电压不相等（Ua1≠Ua2）和动态电阻不相等（Rz1≠Rz2）两个因素造成的,且动态电阻越大,电流偏差越小。压敏电阻并联时,可取限制电压Ua相等,而动态电阻Rz相差不超过规定值;也可取动态电阻Rz相等,限制电压Ua相差不超过规定值,使电流偏差在10%范围内。
王茂华, 胡克鳌, 张南法
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避雷器动作指示器

Dianci bileiqi, 1992
本专利提出一种避雷器动作指示器.该装置由与避雷器串联的高非线性压敏电阻组成.与此压敏电阻并接有两个压敏电阻,其中一个与传爆管紧密地装在一起.当雷电流流过辅助压敏电阻和附加压敏电阻时,附加压敏电阻就会发热、熔化,并使传爆管动作 ...
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Ce掺杂的TiO₂电容-压敏材料结构和电性能研究

Dianci bileiqi, 2003
通过对样品压敏性能、介电性能的测定和晶体结构、表面形貌分析,研究了CeO2对TiO2电容-压敏电阻器的影响。研究发现CeO2对TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响。在1350℃烧结条件下,0.4%摩尔分数CeO2的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为15.84V/mm,非线性系数α为4.62,并具有很高的表观介电常数（εr=158600）,较低的介电损耗（tgδ=0.32）,是一种较有潜力的新型电容-压敏电阻器。
孟黎清, 李红耘, 熊西周, 罗绍华   +3 more
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ZnO-Bi₂O₃系MLCV稳定性的研究

Dianci bileiqi, 2013
研究了不同温度（900～1040℃）下烧结的ZnO-Bi2O3系叠层片式压敏电阻器（ML-CV）的热稳定性和8/20μs电流脉冲冲击稳定性,发现1000℃烧结的MLCV试样的稳定性最好,其压敏电压变化率的温度系数低于1.67×10-4/K,电脉冲冲击后压敏电压和分线性指数的变化率分别仅为0.25%和4.27%。然后分析了烧结气氛对MLCV在1 mA直流负载作用下压敏电压稳定性的影响,发现当垫料中添加剂的质量百分比比试样中添加剂质量百分比高20%时,MLCV试样压敏电压的稳定性最高。
成鹏飞, 李盛涛, 张晓军
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