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Investigation of self-packaged MEMS piezoresistive pressure sensor [PDF]
自从1954年,贝尔实验室的SmithC.S.发现了硅材料中的压阻效应以来,硅基MEMS压阻式压力传感器得到了广泛的应用。MEMS压阻式压力传感器是发展最早,且市场占有率极大的MEMS传感器,目前应用领域在不断的扩展。 随着工业技术的发展,许多MEMS压力传感器需要在恶劣的环境中工作,如:潮湿、酸碱腐蚀溶液、充满静电颗粒和粉尘等恶劣环境中。在传统硅压阻式压力传感器中,基本都把电阻及其连接电路排布在硅膜外表面直接与外界环境接触。器件在工作过程中 ...
宋子军
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针对ZnO压敏电阻在小电流区下电流成分由阻性和容性电流组成的问题,通过对ZnO压敏电阻在小电流区的电路特征的分析。采用取样电阻和ZnO压敏电阻串联,在其两端施加不同的工频电压,测量ZnO压敏电阻的两端电压和电流,分析小电流区电压电流的相位变化。利用理论和实验相结合的方法发现,得出在小电流区中随着电压不断升高,电流不断加大,到达突变点之后电压基本保持不变;随着ZnO压敏电阻压敏电压的增大,容性电流和阻性电流的相位角在减小。这在电涌保护的实际应用中有一定的参考价值。
李祥超, 万治成
doaj
Level walking stride frequency forecast based on Kalman filter model [PDF]
现有智能下肢的控制策略都是以刚完成的一步的步频为调节阻尼的依据,调整好的阻尼只能在下一步摆动期生效,因此该控制策略是滞后的,无法做到实时控制,在步频变化频繁的场合难以适用。本文方法利用足底压力传感获取步频数据,然后通过卡尔曼预测方程由已完成的步频预测即将迈出的下一步步频。在模拟日常生活平地行走步频变化的实验中,所预测的下一步步频与后验值之间偏差比跟随方法的偏差大约减小了10%。该方法实时性好,为改善智能下肢的性能提供了新的可行性方案。The adjusted damping of intelligent
余韬 +4 more
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针对ZnO压敏电阻多片并联时能量吸收的问题,基于全能量分析法,通过改变ZnO压敏电阻的并联片数及压敏电压的大小,对多片并联的ZnO压敏电阻进行8/20μs波形冲击试验,可以得出以下结论:多片压敏电阻并联时,各片压敏电阻的吸收能量随着冲击电压的上升而呈现线性增长的趋势,且压敏电阻相互间的压敏电压越接近,吸收能量越均匀,该现象可以由空穴诱导隧道击穿理论解释;能量吸收比随着冲击电压的增加呈现出线性递减的趋势,从能量释放角度证明了多片并联的压敏电阻可以有效保护后级设备,对实际应用具有一定的参考价值意义。
李祥超 +5 more
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Preparation and Properties of CaCu3Ti4O12 Ceramics with Giant Permittivity and Low Dielectric Loss via Tape Casting [PDF]
本论文在固相反应法的基础上结合流延成型制备CaCu3Ti4O12(简称CCTO)陶瓷薄片,研究两步法烧结和Cu不同化学计量比对流延成型CCTO陶瓷致密度、微观结构和电学性能等方面影响;同时对CCTO陶瓷介电机理的表面效应进行初步探讨;成功制备多层CCTO陶瓷基双功能元件,并与铝电解电容器和超级电容器进行性能和充放电特性对比试验。 首先,采用两步法烧结流延成型CCTO陶瓷薄片。第二步保温时间和第二步烧结温度对流延成型CCTO陶瓷的性能都有较大的影响。随着第二步保温时间的延长和第二步烧结温度的升高 ...
李伟
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针对氧化锌压敏电阻在小电流区下电流成分不唯一的问题,通过分析氧化锌压敏阻在不同区域的电气特性,尤其是小电流区。采用普通电阻和压敏电阻串联,利用热稳定仪对其进行试验,测量通过氧化锌压敏电阻的两端电压和电流,分析小电流区下电压电流的特性及相位变化。利用理论和实践相结合的方法,得出在小电流区中随着电流不断加大,电压不断升高,到达突变点之后电压基本保持不变。在到达突变点之后,电压基本保持不变,此时电路中的电流从阻性电流和容性电流矢量合成变成了完全的阻性电流,氧化锌压敏电阻成完全的电阻状态 ...
赵冲, 冀敏, 王宁, 李林
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Preparation of CaCu3Ti4O12 by Wet Chemical Synthesis Method and its Dielectric Mechanism [PDF]
由于电子线路呈现微型化、高频化的发展趋势,因而要求电子元件的尺寸越来越小,同时要求可靠性高、集成度高且价格低廉。近年来一种新的具有巨介电常数的体心立方钙钛矿结构的材料CaCu3Ti4O12(CCTO)引起了研究人员的关注。这种材料的研究不仅具有理论上的意义,还在于实际应用方面。搞清CCTO巨介电常数的产生机理就显得尤为重要,本文从湿化学合成方法的角度出发,研究了CCTO的介电性能方面的问题。与同类研究相比,本文旨在突出研讨CCTO中的主要缺陷结构及其分布对其介电性能的影响的重要性。 首先采用Sol ...
喻荣
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8/20μs冲击电流发生器源阻抗对压敏电阻器性能表征的影响研究
文中研究了不同源阻抗8/20μs冲击电流对压敏电阻冲击能量的影响规律。建立了8/20μs冲击电流发生器电路模型,进行了电路仿真研究;搭建了8/20μs冲击电流实验平台,对不同规格的压敏电阻进行冲击电流实验。研究结果表明:随着8/20μs冲击电流源阻抗减小,相同冲击电流幅值下通过压敏电阻的冲击能量增加;随着压敏电阻直流参考电压增加,冲击电流源阻抗对压敏电阻冲击能量的影响作用增强,但随着冲击电流幅值的提高,冲击电流源阻抗对通过压敏电阻冲击能量的影响作用减弱。因此,在一定冲击电流幅值以下的8 ...
孙伟, 李元晶, 孙晋茹
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Design of internal power supply circuit for mining intrinsic safety broadcasting system equipment [PDF]
The mining intrinsic safety broadcasting system equipment has the characteristics of unbalanced load current and high power consumption. In response to the problems of high start-up impulse current, short power supply distance, unreliable voltage ...
Chengdong LI, Dedong ZOU
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为了提高电涌保护器中压敏电阻的耐电流冲击性能,可采用压敏电阻的并联组合。通过对并联组合后的压敏电阻电性能的分析,认为电流偏差是由于限制电压不相等(Ua1≠Ua2)和动态电阻不相等(Rz1≠Rz2)两个因素造成的,且动态电阻越大,电流偏差越小。压敏电阻并联时,可取限制电压Ua相等,而动态电阻Rz相差不超过规定值;也可取动态电阻Rz相等,限制电压Ua相差不超过规定值,使电流偏差在10%范围内。
王茂华, 胡克鳌, 张南法
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