Results 21 to 30 of about 2,219 (146)
Design and Fabrication of MEMS Pressure Sensor used in Automotive Tire Pressure Monitoring System [PDF]
, 2011 从1954年贝尔实验室的smith发现硅、锗等材料具有压阻效应开始，硅材料就开始被作为压敏原件用于压力测试。到目前为止，人们在压力传感器的设计上做了很多改进与创新来提高器件性能，例如从金属贴片式应变计转化为体硅结构压阻式压力传感器、SOI(silicononinsulator)片代替湿法腐蚀减薄工艺制作敏感薄膜厚度、结构优化设计、电路补偿、以及探索开发出新型压阻材料或者新的工作原理用于制作压力传感器等。 随着工业技术的发展，越来越多的MEMS传感器应用于高温、高压、潮湿、酸碱腐蚀溶液 ...
郑小杉
core
Dianci bileiqi, 2005 采用氨浸法制备ZnO纳米复合压敏瓷料的工艺手段,研制出压敏场强大于330V/m m,漏电流小于1μA,非线性系数大于58的压敏电阻器,电性能的一致性要优于普通压敏电阻器的5～10倍。用扫描电镜和能谱对瓷体显微结构及面扫成分进行了分析,讨论了ZnO压敏电阻材料结构和电性能的关系。研究表明,加入纳米复合粉制备压敏电阻是降低大规模生产中的成本,提高ZnO压敏电阻电性能及其一致性的有效途径。
李红耘 +5 more
doaj
The Research and Realization of Low Stand-by Power Technology in Colour Television [PDF]
, 2008 当前世界各国，特别是发达国家，都非常注重环保和节能问题，低待机功耗电子设备有望节约非常可观的电力能源。我国是世界上彩色电视机的生产大国，但大部分产品都无法达到低待机功耗的要求，待机功耗在3W以上。本文是基于外销CRT高清晰彩色电视机设计和开发项目的实践基础上，研究和探讨在一定的成本范围内降低CRT彩色电视机待机功耗的设计与实现方法。本文的创新点在于通过正确选用电源技术方案和对MCU供电电路进行优化设计来达到目标，对生产指导有很强的现实意义。 彩色电视机在待机状态 ...
胥进舟
core
Dianci bileiqi, 2017 为了有效利用压敏电阻对真实雷电过电压进行防护,需要对标准衰减振荡波下压敏电阻能量配合进行研究。利用EMTP软件搭建0.5μs-100 k Hz标准振荡波发生电路,采用IEEE压敏电阻模型进行仿真冲击。分析前后级压敏电阻采用高低配合与低高配合方式的防护效果。最后讨论不同前后级压敏电阻连接导线长度对分流和能量吸收的影响。分析结果表明:压敏电阻残压随着充电电压的增加而增大,低高配合方式下,前级压敏电阻承受了绝大部分雷电流和能量,配合效果不如高低配合方式。前后级连接导线长度增加时,流过前级和后级的电流峰值均降低,
苏奎, 马媛媛
doaj
Preparation and Characterization of ZnO Thin Films [PDF]
, 2009 ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，具有可见光透过率高、紫外光吸收强的特点，因此，被认为是有望取代GaN的新一代短波长光电子材料，在平面显示器、太阳能电池透明电极、表面声波材料、发光元件以及压敏电阻器等光电器件领域有着广阔的应用前景。近年来受到越来越多研究者的注意，成为半导体领域里的一个研究热点。 ZnO薄膜的制备方法很多，比如磁控溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、MOCVD和分子束外延等。然而溶胶-凝胶方法设备简单、易于实现原子级掺杂 ...
李福龙
core
Dianci bileiqi, 2009 压敏电阻在实际配合使用中会受到安装环境或者电流冲击而逐渐出现老化现象,因此对配合使用的压敏电阻性能的研究是非常必要的。在利用HAEFELY PSURGE30.2电流发生器对放电管和压敏电阻的配合电路进行相应大规模测试的基础上,研究压敏电阻的失效模式理论和分析实验现象,验证了压敏电阻和放电管在配合使用时有大大延长使用寿命、输出残压低等优点;并提出了在理想测试条件下压敏电阻失效的原因可能是由于平均功率过大失效和受潮失效导致的。这对压敏电阻在工程应用中有一定的指导参考意义。
杜志航, 孙涌, 汪计昌, 杨仲江
doaj
Dianci bileiqi, 2021 微观结构的研究是ZnO非线性压敏电阻制造行业的最基本的研究内容之一。笔者梳理了该领域的最新研究进展。共分2个方面:1) ZnO压敏电阻晶界微观精细物理结构的研究; 2) ZnO压敏电阻晶界电子结构的研究。随着电子显微技术与其他现代发展起来的测试方法相结合,必将有力的推动ZnO非线性压敏电阻微观结构的研究发展,实现该领域的重大突破,有力地促进ZnO非线性压敏电阻制造技术的快速提升。
汤霖
doaj
Synthesis and Properties of ZnO Micro- and Nanomaterials [PDF]
, 2010 ZnO是一种新型的直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，同时具有较大的激子束缚（60meV），因而可以实现室温或更高温度下的激子诱发的受激紫外辐射发光。作为新一代的宽禁带半导体材料，ZnO具有优异的光学、电学及压电性能，在透明导电薄膜、表面声波器件、发光二极管、压敏电阻器等诸多领域有着广泛的应用。另一方面，ZnO还具有丰富的纳米结构，包括纳米线、纳米管、纳米带、纳米环等，各种ZnO纳米结构在纳米光电子、气敏传感器、场发射等领域有望得到广泛的应用。因此 ...
王韦强
core
Dianci bileiqi, 2014 为了分析直流氧化锌压敏电阻的老化性能及其试验方法,根据氧化锌压敏电阻的老化机理,结合双肖特基势垒和电子迁移理论,提出了直流氧化锌压敏电阻的老化劣化与其直流电压及冲击电流极性有关。通过针对同一型号多个压敏电阻进行的大量实验证明:长期承受直流工作电压及同极性的冲击电流冲击会使压敏电阻老化加速,反之其老化程度明显降低。
刘琦, 赵军, 张利华, 冯凯
doaj
Dianci bileiqi, 2007 从SPD的应用环境、主要组成器件特性等方面,对SPD的失效模式、失效原因进行了分析。认为:氧化锌压敏电阻的失效模式可分为压敏电压降低,压敏电阻短路,压敏电阻限制电压升高,在大冲击电流下压敏电阻炸裂、开路等。以氧化锌压敏电阻压敏电压相对于初始值下降10%作为劣化失效的判据,其长期荷电寿命符合阿仑尼斯（Arrhenius）反应速率模型,即Lm=exp（R/T-C）,与温度,荷电率成反比。低压系统中产生的暂时过电压、操作过电压 ...
杨大晟, 张小青, 许杨
doaj