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Dianci bileiqi, 2003 通过对样品压敏性能、介电性能的测定和晶体结构、表面形貌分析,研究了CeO2对TiO2电容-压敏电阻器的影响。研究发现CeO2对TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响。在1350℃烧结条件下,0.4%摩尔分数CeO2的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为15.84V/mm,非线性系数α为4.62,并具有很高的表观介电常数（εr=158600）,较低的介电损耗（tgδ=0.32）,是一种较有潜力的新型电容-压敏电阻器。
孟黎清 +3 more
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Dianci bileiqi, 2017 氧化锌压敏电阻器广泛使用在普通环境中,-4085℃的压敏电阻使用范围的一般能满足要求。但是随着压敏应用领域的扩展,如LED灯、节能灯的发展,对压敏电阻的上限温度提出了更高的要求,要求达到125℃。压敏电阻器的使用温度上限主要受包封材料温度上限的限制,压敏电阻器常规使用的环氧粉末的温度上限是105℃。主要通过包封材料的改进,提高产品耐高温性能,并辅以配方、烧结温度、产品结构等方面的改进,做了大量的实验,终于将压敏的上限温度由原来的85℃提高到125℃。
赵日进, 姚旭婧, 陶颖
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Dianci bileiqi针对纳秒级的强电磁脉冲对电力系统的损害问题，基于压敏电阻的特性和瞬变场传输理论，通过改变脉冲注入电压分析不同参数的压敏电阻在20/500-550 ns波形下的响应特征，结合滤波器理论，利用ADS（Advanced Design System）仿真软件进行设计，仿真结果为在频率50 Hz以内插入损耗小于0.3 dB的巴特沃斯低通滤波器，将滤波器串联在两片伏安特性相同的压敏电阻中间进行脉冲注入测试。实验结果表明：随着注入电压的增大，单片压敏电阻的过冲峰值电压逐渐增大，钳位电压基本不变，且与压敏电压呈正相关 ...
李祥超, 郭稳, 王兵
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Dianci bileiqi, 2018 针对ZnO压敏电阻在直流电压作用下老化劣化的问题,通过对ZnO压敏电阻内部离子迁移和晶界肖特基势垒的理论分析。采用ZnO压敏电阻正极性直流作用和负极性直流交替作用的试验方法。利用理论与试验相结合,得出以下结论:1)老化前压敏电阻正、负极性伏安特性曲线几乎一致,没有产生极性效应;2)在单一正极性直流作用下,压敏电阻发生老化,且随时间和电流的增加,正极性老化程度大于负极性;3)在正、负极性直流交替作用下,压敏电阻老化时间推迟,程度减小,压敏电压和漏电流变化趋势较单一正极性趋势减弱,且极性效应趋于消失;4 ...
李祥超, 马骁骐
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Dianci bileiqi, 2018 利用多脉冲雷电高压冲击平台模拟自然雷电环境,对ZnO压敏电阻进行雷电冲击试验,以探究多脉冲雷电流冲击下的ZnO压敏电阻在不同环境条件下的耐受冲击特性。结果表明:1)ZnO压敏电阻在多脉冲下极易失效,平均耐受冲击水平为10次,损坏形式主要以边缘破裂为主,甚至发生不可逆转的损毁和炸裂,多脉冲冲击的前期是一个老化加速的热老化过程,最后一次炸裂是连续多脉冲热应力导致的热崩溃损毁。2)在施加工频动作负载时,冲击后发生起火燃烧,经过特殊环境处理之后进行冲击,压敏电阻的破坏形式并未发生改变 ...
张春龙 +4 more
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, 1998 采用Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｌ等元素液相掺杂，制得了高能和高压ＺｎＯ压敏电阻器，通过与氧化物掺杂制得的电阻进行比较，结果表明，掺同样含量Ｃｏ时，液相掺杂的高能压敏电阻器大电流区的Ｉ－Ｖ曲线上翘，将Ｃｏ的含量减半，得到了性能全面优于氧化物掺杂的高能压敏电阻器。在高压ＺｎＯ压敏电阻器配方中，采用Ａｌ液相掺杂 ...
季幼章 +3 more
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Gaoya dianqi, 2004 为了维护低压电源系统及信息系统的可靠运行,需要对用于电涌防护的压敏电阻进行及时有效的状态检测。笔者对不同故障状态的压敏电阻的复合波响应进行了试验研究,结果表明,不同故障状态的压敏电阻由于伏安特性的差异将呈现不同的复合波响应特征,利用其响应特征可以判别压敏电阻是否存在故障及具体故障类型。
寇晓■ +4 more
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, 1997 做 对压敏电阻主原料ZnO粉的特性、添加剂粉料的掺杂方法和化学共沉淀制备ZnO压敏电阻粉体进行了研究。 利用SEM、TEM、红外吸收谱、比表面积和粒度分布测定表征了所制备的球状、棒状和不同颗粒大小的ZnO粉。压敏电阻研究表明,颗粒细的球状ZnO粉有利于获得微结构均匀的压敏电阻。 对添加剂采用溶液形式进行了有选择的定量掺杂研究,结果表明,对晶粒固溶添加剂采用溶液形式掺杂,可以使它们更有效地固溶入ZnO晶粒中,获得的压敏电阻小电流区的电气性能优异,且电压温度系数表现为正值。所有添加剂采用溶液形式掺杂 ...
袁方利
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Dianci bileiqi, 2001 以往用于提高 Zn O压敏电阻器 8/2 0通流容量的方法对其静态性能有不良影响 ,笔者介绍了一种能同时提高 Zn O压敏电阻器的静态性能及 8/2 0冲击性能的方法。该方法通过调整 Bi2 O3、 Mn CO3含量 ,降低 Zn O压敏电阻器陶瓷晶界易迁移离子 ,改善晶界结构 ,可以在提高 Zn O压敏电阻器通流容量的同时降低电位梯度 ,改善静态漏电流及压比。
霍建华 +10 more
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