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Optimization Design of Top Contact Metallization of Concentrator Solar Cells [PDF]
, 2009 【中文摘要】 对聚光型太阳电池表面栅极图形进行优化设计。对组成太阳电池表面栅电极的图形最小单元的各种功率损失进行了详细分析,得到了最佳栅电极间距的递推公式。优化计算了各种宽度的次栅之间的间距,并得到了相对应的功率损失比例。电极和半导体接触良好时,当次栅间距小于最佳值,电极的遮挡对于功率损失影响最大;而当次栅间距大于最佳值时,太阳电池体材料输运功率损失和次栅电极电流输运功率损失开始成为主要原因。对于高倍聚光型太阳电池来说,次栅电极的厚度相对要求厚一些。计算及分析结果可应用于聚光型太阳电池电极的设计中。
吴志强 +3 more
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Dianci bileiqi, 2013 为确保风电场电气设备和工作人员人身安全,接地设计需要有合格的接地电阻值、接触电压和跨步电压值。在接地电阻满足安全值的情况下,如果接地设计不合理,地面上还是可能产生超过允许值的接触电压和跨步电压。降低接触和跨步电压的一般方法是增设水平接地网和在地表铺设高阻率土壤层,但风电机组所处自然环境特殊,受地形限制,不易过多扩大接地网面积。在不增加接地网总长度的情况下采用不等间距法布置地网导体,或者改变地基与接地网的相对位置可显著降低地表最大接触电压,提高地网安全水平 ...
宋景博 +4 more
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基于两步退火法提升Al/n~+Ge欧姆接触及Ge n~+/p结二极管性能 [PDF]
, 2019 锗（Ge）中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管的性能,测试结果表明:低温预退火可初步修复注入损伤,并降低激光退火时杂质的扩散深度;结合离子注入工艺和两步退火工艺,Al/n+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61×10-6Ω·cm2,Ge n+/p结二极管在 ...
李成 +4 more
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Gaoya dianqi, 2015 高压断路器触头部位因电接触现象而产生的热量是热分析中的关键问题。然而,作为一种传统并常用的接触电阻模型,导电桥结构在模拟电接触时参数的准确获取存在一定困难,且不易使用在高压断路器复杂的多触指结构中,因此笔者提出了一种新的接触电阻建模处理方法。新方法不再建立类似于导电桥的宏观几何结构,而是将两侧接触面上的部分面积耦合在一起,使得电流仅可以从耦合面内流过,通过控制耦合面积值即可实现电流收缩效果,模拟出适当的接触电阻值。在此基础上,笔者通过仿真结果与实际值的对比及进一步研究,证明了接触面积耦合法的有效性 ...
纽春萍 +4 more
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Alloy Conditions Impact on Al/n~+-Ge Ohmic Contact [PDF]
, 2013 gE比SI具有更高的电子和空穴迁移率,且gE材料可以应用于1.3~1.5μM近红外波段,因此gE成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而由于gE的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(P)原位掺杂,使得n-gE的欧姆接触成为一个难题。采用P+离子注入获得高掺杂浓度的n-gE材料,掺杂浓度为1.5x1019CM-3;依据圆形传输线模型(CTlM)制备了一系列Al/n+-gE样品,研究了不同退火温度和退火方式对其接触特性的影响。实验结果表明,Al/n+-gE样品通过400℃快速热退火(rTA)30 ...
李成 +5 more
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, 2012 以继电器触点动态电阻作为研究对象,提出了一种动态电阻在线定性检测的方案,其创新点在于利用微分回路与比例回路将继电器触点动态电阻的峰值与稳定值检测分开 ...
廖乐平, 张志, 胡博文, 陈文芗
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Dianci bileiqi, 2017 针对高土壤电阻率地区变电站设备场区跨步电压和接触电压偏高的问题,基于接地分析软件CDEGS数值计算,对某110kV半户内式GIS变电站接地网进行了优化设计。通过仿真计算,提出在高土壤电阻率地区,GIS变电站水平接地网采用双层设计,并利用长垂直接地极降低变电站接地电阻,在GIS变电站接触电压偏高的区域加设帽沿式均压带以降低接触电压。通过对比加设帽沿式均压带前后接地网的接触电压和跨步电压,分析了帽沿式均压带的导体埋深、间距、长度及均压带形状等因素与均压效果的关系。通过分析计算 ...
律方成, 贾立莉, 王平
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Research of GaN-based LED Wafer Properties Radiated by Laser and Fabrication of High Luminescence Efficiency Chips with Low Forward Voltage [PDF]
, 2007 GaN及相关多元化合物材料（Al,Ga,In）N在短波长蓝光、紫光光发射器件及接收器件，微波和大功率半导体器件方面有诱人的应用前景和巨大的市场潜力，是近年来光电子材料领域研究的热门课题。目前GaN及GaN基器件的研究已经取得了巨大的进展，但是GaN的生长和器件制备方面还存在一些困难，GaN的p型掺杂和p型GaN的欧姆接触是其中困扰研制高性能器件的两个难题。本文首次对具有LED结构的GaN样品的表面p型层进行激光诱导再掺杂，在此基础上对其p－GaN欧姆接触进行研究 ...
黄生荣
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Gaoya dianqi, 2019 文中介绍了动态电阻测量法在空气负荷开关机械性能评测中的应用研究。首先介绍了动态电阻测量法的发展历程及其在SF6断路器机械性能及电性能评估中的应用,然后介绍了动态电阻测量法的测量回路设计及开断试验流程,最后介绍了动态电阻3个阶段开断试验前后的试验数据及其分析,并成功诊断出了两类典型的负荷开关机械性能劣化情况。分析结果表明:当主触头表面磨损加剧时,其静接触电阻会上升;当弧触头存在虚接触时,其弧接触时间会明显区别于正常情况。
崔建 +5 more
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, 2019 为制备柔性纱线拉伸应变传感器,将蚕丝加捻得到的蚕丝纱编织为闭口编链组织结构;通过多元醇还原硝酸银的方法制备银纳米线,在银纳米线的乙醇分散液中通过浸渍方法对基底纱线进行导电修饰,最终得到银纳米线涂层的编链组织拉伸应变传感器,研究了该组织结构拉伸应变传感器的应变-电阻传感性能。结果表明:编链组织结构的传感器具有显著的拉伸应变传感性能,该纱线传感器的电阻随着应变量的增加而减小;在拉伸应变小于5%的范围内,拉伸应变系数高达20. 14;传感器在0. 01～1.
于伟东 +4 more
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