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Dianci bileiqi, 2009 综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展。掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm。显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流。其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm,
巫欣欣 +4 more
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Dianci bileiqi, 1999 实验研究了厚度ｄ 对ＺｎＯ压敏电阻片残压比Ｋｒ 的影响规律， 表明残压比同样存在几何效应；实验还表明残压比Ｋｒ 随电位梯度Ｅ１ｍ Ａ成反比例下降，随平均晶粒尺寸μ的增大而增大； 找到了一个综合微观结构参数 平均晶粒尺寸μ和晶粒尺寸方差σ２ 的乘积（σ２μ）， 能较好地反映电性能与微观结构参数的关系。提出了计算机模拟微观结构模型，并用计算机模拟了残压比Ｋｒ 和厚度ｄ、Ｋｒ 和平均晶粒尺寸μ以及Ｋｒ 和乘积σ２μ的关系 ...
李盛涛 +5 more
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Dianci bileiqi, 2020 为了提高ZnO压敏电阻综合电气性能,采用单一变量法研究了Bi2O3、Co2O3和Ni2O3不同比例掺杂对ZnO压敏电阻微观结构、电气性能及冲击老化特性的影响。研究结果表明:随着Bi2O3掺杂含量的增加,ZnO压敏电阻晶粒尺寸增大,直流1 mA参考电压减小,非线性系数先增大后减小,泄漏电流先减小后增大;随着Co2O3掺杂含量的增加,ZnO压敏电阻晶粒尺寸几乎没有变化,但晶粒间尖晶石数量增加,使得直流1 mA参考电压增大,非线性系数增大,泄漏电流先减小后增大;随着Ni2O3掺杂含量的增加 ...
曹伟 +5 more
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Dianci bileiqi, 2019 使用固相反应法制备了不同浓度K+掺杂的CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷试样,采用XRD、SEM、EDS、XPS、宽频介电谱仪对掺杂后的CCTO陶瓷的相结构、显微结构、晶粒与晶界内阳离子分布、阳离子氧化态、介电性能进行了表征,结果表明:K+优先替代了Ca2+形成受主掺杂。根据电荷守恒,晶粒内以生成氧空位为主,金属离子析出被抑制,此时晶粒尺寸趋于减小。当掺杂浓度超过6 mol%时,晶胞膨胀形成了Cu空位。介电性能的变化与点缺陷和显微结构的变化有关,K+掺杂后,晶粒尺寸先减小,然后随掺杂浓度的增加而增大。
曹壮, 成鹏飞, 宋江
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Dianci bileiqi, 2015 以球磨法制备Zr O2掺杂Zn O压敏瓷,通过扫描电镜对其显微组织进行了分析,探讨了Zr O2掺杂对Zn O压敏瓷电性能的影响并且研究了晶粒的生长。研究结果表明,随着保温时间的延长,致密度和非线性系数均呈现先增加后减小的趋势;而对Zn O压敏瓷的漏电流和电位梯度的影响则呈现先减小后增加的波浪型变化。Zr O2掺杂Zn O压敏瓷的晶粒尺寸要比基础配方Zn O压敏瓷的晶粒尺寸要小,可能是因为Zr原子半径与Zn原子半径接近,Zr O2固溶在氧化锌晶粒中,抑制了氧化锌晶粒尺寸的增长。由计算可得Zr ...
何恺 +6 more
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Dianci bileiqi, 2010 掺杂稀土氧化物可改变ZnO晶粒的尺寸,从而改变了等效偏析层的厚度,并分析了偏析层在导电过程中的作用。发现未掺杂试样的导电过程由晶界偏析层控制,而稀土氧化物Ce2O3、Y2O3掺杂后,由于晶粒尺寸的下降,试样的导电过程转变为界面态能级控制。因此对于多掺杂体系或小晶粒体系,应考虑偏析层对压敏陶瓷宏观的电气性能的影响。
成鹏飞, 王玉平
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Dianci bileiqi, 2017 采用传统的电子陶瓷工艺制备了CaCu3Ti4O12（以下简称CCTO）陶瓷,主要研究了1 100℃空气气氛下淬火对CCTO介电性能的影响。SEM和XRD研究表明,淬火并未改变CCTO陶瓷的晶粒尺寸大小,但会增加陶瓷表面CuO的析出。介电谱测试发现,经过淬火的CCTO陶瓷在低频下的介电常数和介电损耗均明显增大,而高频介电常数和介电损耗几乎不变。阻抗谱分析进一步表明,淬火后试样的晶界电阻显著降低,可能是晶界氧化相对不足,晶界界面态密度下降,导致耗尽层厚度减小,于是低频介电常数和介电损耗同时增大 ...
宋江, 成鹏飞, 武康宁, 贾然
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Dianci bileiqi, 2006 针对镨系ZnO电阻片磨片前后非线性性能的变化,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及X射线能谱仪对电阻片表面和本体进行分析。结果表明:镨系ZnO电阻片表面层与本体从组分、物相以及微观结构方面均有较大差异,表面层ZnO晶粒尺寸较小,为（2.0～3.1）μm,大小比较均匀,并且在晶界存在约0.7μm的富Pr相,有利于非线性的形成;而本体内的晶粒尺寸较大,为（3.0～4.8）μm,晶界几乎无杂相。磨片后ZnO电阻片表面成分的磨损是导致其非线性性能变差的主要原因。
贺西民, 刘炜
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Dianci bileiqi, 2023 研究了不同含量Ga3+掺杂对ZnO基压敏电阻微观结构，电学性能的影响。微观结构上，掺杂Ga3+没有对压敏电阻的相组成产生改变但抑制了氧化锌晶粒的生长，并使得尖晶石数量增多，尺寸减小；电学性能上，因为势垒下降和晶界电导率提高少量增加的Ga3+掺杂就显著增大了漏电流，降低了非线性，提高了压敏电阻的梯度。当Ga3+掺杂量增加到0.014 mol%时，压敏电阻在5 kA冲击下达到了最小残压比为1.72,此时电位梯度309.05 V/mm,非线性系数为18.0,漏电流为20μA。
江海波 +6 more
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