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探究两步烧结工艺下微米级粉料的氧化锌电阻片的微观结构及电性能

Dianci bileiqi, 2021
笔者以微米级粉体为原料,采用两步烧结法制备氧化锌电阻片,系统地研究了各烧结条件下氧化锌电阻片的微观结构,致密化程度,基本电性能和介电性能,包括阻抗谱和介电损耗谱。结果表明,两步烧结能有效地减小晶粒尺寸,使晶粒分布均匀,增强致密化。在合适的两步烧结曲线下,其样品的电压梯度为402.26 V/mm,漏电流为0.98μA/cm2,非线性系数为60.88。两步烧结样品在低温下介电损耗的两个驰豫峰对应的活化能为0.22～0.24 eV和0.34～0.37 eV,传统烧结样品对应的活化能为0.24 eV和0.32 ...
方针, 胡建平, 付志瑶, 王博闻, 谢鹏康, 彭永晶   +5 more
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氧化焰烧成铝质高强度电瓷显微结构分析

Dianci bileiqi, 2004
通过实验,证明了氧化焰烧成铝质高强电瓷是可行的,并通过XRD、SEM等手段对电瓷的显微结构进行了分析。结果表明,晶相组成与分布、晶粒形状与尺寸、气孔及玻璃相是影响铝质电瓷材料强度的主要因素。
朱振峰, 孙海礁, 杨俊, 陈平
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烧结温度对SnO₂压敏电阻电气性能的影响

Dianci bileiqi, 2023
文章研究了烧结温度对SnO2压敏电阻微观结构和电学性能的影响。通过XRD和SEM观察到烧结温度对样品致密化和晶粒尺寸具有很大影响。通过C-V曲线、E-J曲线及复阻抗图谱计算各电学参数。当烧结温度为1 250℃时，样品的电压梯度为762.27 V/mm,非线性系数为36.59,泄漏电流为3.27μA/cm2。在烧结过程中，形成的氧空位和深层缺陷提高了界面态密度，进一步提高了势垒高度。晶界势垒的提高会提高非线性系数，减小泄漏电流。
孙冠岳, 赵洪峰, 周远翔, 谢清云   +3 more
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几种电瓷材料的力学性能与其显微结构关系的初探

Dianci bileiqi, 1987
在显微结构分析的基础上,结合几种电瓷材料的弯曲强度和断裂韧性,提出了电瓷材料的表面缺陷可以等效地看作一半圆形表面裂纹,裂纹的半径近似于最大气孔尺寸与最大晶粒尺寸之和;并在几种电瓷材料断口分析的基础上,讨论影响电瓷材料断裂韧性的主要因素,提出在现有工艺条件下,提高瓷中晶相总量和加强玻璃基质（使玻璃基质中生成二次莫来石等）将是提高电瓷材料断裂韧性的重要途径。
谢清云
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掺杂氧化锑对氧化锌电阻片性能的影响

Dianci bileiqi, 2020
通过改变氧化锑的含量,分析不同含量对氧化锌电阻片电位梯度、泄漏电流等性能的影响。氧化锑在烧结过程中与氧化锌可以形成尖晶石相,可以抑制氧化锌晶粒尺寸的大小,进而调整电阻片电位梯度。在传统五元配方体系中,通过改变氧化锑的增加,电阻片收缩率逐渐增大,致密度逐渐增加;掺杂适量的氧化锑可以提高电位梯度,降低泄漏电流;掺杂过量的氧化锑会降低电位梯度。
刘亚芸, 厍海波, 杨军, 刘明新
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新型二维旋转磁特性测量用励磁装置优化设计

Gaoya dianqi, 2023
为提高二维旋转磁特性测量装置的励磁性能，文中首先通过二维电磁场有限元分析对比了4种基于圆形样片的励磁结构，提出了新型两相绕组式新型二维旋转磁特性励磁结构，得出两相绕组励磁结构在相同磁动势下，样片磁通密度均匀性最高；其次，为减小励磁结构空间杂散磁场对样片磁化均匀性的影响，提出纳米晶合金屏蔽层结构，并通过三维有限元分析计算了不同磁化角度下的屏蔽性能，验证了屏蔽结构提升样片磁化均匀性的有效性。最后，为确定文中所提出励磁装置的最终尺寸，提出了耦合支持向量机与自适应粒子群算法的装置尺寸设计参数寻优方法 ...
熊晗, 陈龙, 易琼洋
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CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷巨介电常数来源的研究

Dianci bileiqi, 2017
采用固相反应法在10551095℃制备了CaCu3Ti4O12电介质陶瓷材料（以下简称CCTO）,并研究了不同烧结温度下CCTO陶瓷介电性能的变化,优化出了最佳制备CCTO陶瓷的工艺参数。利用XRD技术研究了不同烧结温度下CCTO陶瓷立方钙钛矿结构的晶格常数的演变过程,通过观察SEM证明了CCTO陶瓷的巨介电常数和晶粒尺寸大小成正比例,最后结合阻抗谱分析技术证明了CCTO陶瓷的低频介电损耗主要由晶界电阻决定,而晶粒电阻的大小直接影响着CCTO陶瓷的巨介电常数 ...
张家祥, 索娜, 罗发
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MgO对（Sr·K）·TiO₃-Bi₂O₃·TiO₂系介质陶瓷微观结构与介电性能的影响

Dianci bileiqi, 1991
研究了在Sr—Bi—K—Ti系统中,添加MgO对微观结构与介电性能的影响。结果表明,添加少量MgO就能使晶粒尺寸明显减小,由此而获得了介电常数高、介质损耗小、抗电强度高、温度特性好的,适合制作高压陶瓷电容器的瓷料。
金放鸣, 郑家范, 游恩溥
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氧化铝陶瓷典型缺陷结构对电场分布的影响研究

Gaoya dianqi
在高电压环境下，显微缺陷结构的存在会导致绝缘材料内产生电场畸变，是影响氧化铝陶瓷绝缘强度的重要因素之一。为了研究高电压环境下氧化铝陶瓷典型缺陷结构对材料内电场分布的影响，建立了包含缺陷结构的细观陶瓷结构模型，并采用有限元软件分析了晶粒尺寸、玻璃相以及气孔的存在对电场分布的影响规律。结果表明：晶粒尺寸对电场畸变程度的影响较小，而玻璃相的存在对电场畸变程度的影响较大。玻璃相对电场畸变的影响与晶界方向有关，晶界与电场方向夹角越大，玻璃相处的电场畸变程度越大。与晶粒尺寸和玻璃相的影响相比 ...
李平安, 张朋, 李秀峰, 王文成, 王小强   +4 more
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真空触头材料显微组织对饱和蒸气压及截流值的影响

Gaoya dianqi, 1995
通过建立CuCr合金中晶粒尺寸影响饱和蒸气压进而影响截流值的热力学模型,从理论上初步探讨了CuCr合金中组织细化降低截流值的规律。指出触头材料显微组织细化和超细化,是降低CuCr合金截流的一种重要手段。
严群, 杨志懋, 丁秉钧, 王笑天
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