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Dianci bileiqi, 2003 高电位梯度氧化锌非线性电阻片上流过冲击电流时,吸收的冲击能量成比例增加,要求电阻片的通流容量也成比例提高,研制高电位梯度电阻片首先要提高氧化锌电阻片的通流容量。将传统的氧化锌电阻片生产工艺中的搅拌罐混合浆料方式改用搅拌球磨机混合,可提高浆料的流动性和各成分分散的均匀性,电阻片通流容量即得到很大程度的提高,电阻片的单位体积冲击能量吸收能力从100J/cm3提高到250J/cm3。
陈青恒, 何金良, 谈克雄, 曾嵘
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Dianci bileiqi, 2006 采用上下结构的盒状烧钵作为氧化锌压敏电阻片的装钵方式,装钵量从16片、32片、48片、64片、80片提高至96片,对其电位梯度、泄漏电流、压比等进行了分析,试验电阻片为!60mm×21mm。结果表明,80片的装钵量最合理,不仅提高了电阻片的电位梯度,降低了压比,而且单片能耗比以前节省了近1/4,年节省电费20余万元。
黄海 +5 more
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Dianci bileiqi为探究电位梯度与ZnO 压敏电阻脉冲电流稳定性的关系。采用传统固相反应法制备ZnO 压敏电阻样品，在同一配方下通过调控烧结温度得到不同电位梯度的样品，结合XRD、SEM、EDS 等对样品微观结构进行表征，利用相关仪器测试样品电学性能。结果表明，随着电位梯度由148.2 V/mm增至255.6 V/mm，脉冲电流稳定性明显变好，此外，伴随烧结温度降低，非线性系数增大，漏电流降低，残压比降低，表明保护性能优化。通过调控工艺提升ZnO压敏电阻的电位梯度，可显著增强其脉冲电流稳定性，使其在高电压和大电流的冲击下，
高丽 +6 more
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Dianci bileiqi氧化锌（ZnO）压敏陶瓷是金属氧化物避雷器的核心元件。ZnO电阻片的残压比、电位梯度、漏电流等性能参数与避雷器的保护性、可靠性、轻便性有着直接关联。通过调控ZnO电阻片在烧结降温过程中900 ℃ — 400 ℃温度区间内的降温速率，实现了残压比、电位梯度和漏电流的协同优化。通过宽带介电温谱，发现本征点缺陷浓度随降温速率增加而增大，锌填隙缺陷浓度的增加相较于氧空位缺陷浓度的增加更为显著。通过解耦残压比和电位梯度的影响因素，发现ZnO电阻片残压比的变化主要受降温速率影响 ...
厍海波 +9 more
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Gaoya dianqi, 2019 动车组车顶受电弓支柱绝缘子高压侧金具结构会影响绝缘子表面电场强度的分布均匀度,电场不均匀会造成绝缘子闪络频次增加。为此,基于静电场理论,联合Solidworks软件和有限元软件静电场模块仿真分析了金具结构对绝缘子附近空气域及绝缘子表面电位、电场分布变化的影响,优化设计金具结构并试验验证其效果。研究结果表明,现有连接方式下高压侧金具连接处附近场强分布不均匀,优化后的连接金具可有效降低局部区域电位梯度,电位梯度的降低有助于减小闪络故障的发生频次 ...
任丽苗 +4 more
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Dianci bileiqi, 2023 研究了不同含量Ga3+掺杂对ZnO基压敏电阻微观结构，电学性能的影响。微观结构上，掺杂Ga3+没有对压敏电阻的相组成产生改变但抑制了氧化锌晶粒的生长，并使得尖晶石数量增多，尺寸减小；电学性能上，因为势垒下降和晶界电导率提高少量增加的Ga3+掺杂就显著增大了漏电流，降低了非线性，提高了压敏电阻的梯度。当Ga3+掺杂量增加到0.014 mol%时，压敏电阻在5 kA冲击下达到了最小残压比为1.72,此时电位梯度309.05 V/mm,非线性系数为18.0,漏电流为20μA。
江海波 +6 more
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Gaoya dianqi, 2023 绝缘器件内电场分布不均是影响高压绝缘设备绝缘性能的重要问题。文中研究了介电泳自组装构筑自适应介电功能梯度材料，提出了一种“以电治电”的梯度绝缘件的制备方法。通过有限元仿真研究了一维填料自组装的5个阶段以及不同状态下的等效介电常数。结果表明，一维填料颗粒越趋向电场方向，其内部的电位移模量越大，宏观上表现为等效介电常数增大。同时，建立了液态预聚物复合绝缘部件介电常数在非均匀电场中的时空演变模型，并对针板电极的仿真结果进行了分析。研究发现，原位辅助电场能有效缓解局部电场，提升整体电场均匀性。相容系数越高 ...
周濛 +4 more
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Dianci bileiqi, 2010 为了满足特高压直流避雷器保护特性的要求,对ZnO压敏电阻片的电位梯度、非线性性、老化等电气特性进行深入研究。试验表明:当X（Bi2O3）/X（Sb2O3）的掺杂比例为一定值时,获得较低的残压比和较高的电位梯度;改变侧面无机绝缘层的成分使侧面绝缘层与电阻体在烧结时能紧密结合,同时增加有机绝缘保护层,提高电阻片侧面的表面电阻和侧面的防污能力及抗闪络能力,并可改善电阻片的老化特性;在较低的烧成温度下1 070～1 150℃和较长的保温时间4～7 h可获得高性能的特高压直流避雷器用直流电阻片。
王玉平, 成鹏飞
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Gaoya dianqi, 1959 在研究交流开断电器的灭弧过程中,所遇見得最多的为长弧。在弧中,弧柱的热游离过程占有重要地位。通常弧柱的电位梯度很小,且为一游离度极高的区域,在每一瞬間和每一單位体积内,可以認为电弧中正离子与电子处于平衡狀态。电弧电流的形成主要是依靠电子流动的結果(其中电流約有的99％是由电子形成的,由正离子形成的不到1 ...
娄彦博
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Dianci bileiqi, 2021 研究了不同掺杂含量的Gd2O3对氧化锌（ZnO）压敏电阻片的电气性能、微观特性、物相特性和介电特性的影响。研究表明,掺杂Gd2O3对ZnO敏电阻片的电气性能具有重要影响,掺杂过量的Gd2O3对ZnO敏电阻片的晶粒生长具有抑制作用,锌填隙浓度提升,具体表现在电位梯度、泄漏电流提升而非线性系数大大减小。而掺杂少量的Gd2O3提升氧空位浓度,减小锌填隙浓度,进而抑制泄漏电流。此时掺杂量在0.5%（摩尔分数）Gd2O3电气参数分别为526 V/mm、15μA/cm2、非线性系数28 ...
赵霞 +6 more
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