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Dianci bileiqi, 2003 ZnO电阻片的电位梯度以单位厚度的压敏电压U1mA/mm来评价,目前传统生产的ZnO电阻片的电位梯度约为200V/mm左右,介绍了采用新配方、新工艺来提高ZnO电阻片的电位梯度,使电阻片的电位梯度提高到290V/mm以上,并使电阻片的其它电气性能有所提高或保持原有的较好水平,通过大量的配方试验和制作工艺的优化选择,已获得比较理想的实验结果。
姚政, 翟维琴
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Dianci bileiqi, 2021 为改善ZnO电阻片综合电气性能,尝试一种马来酸酐及聚氧丙烯烷基醚作为结构单元的共聚物做分散剂,考察了其对料浆分散性、压敏电阻显微结构与综合电气性能的影响。结果表明:分散剂用量为0.4 wt%时,总浆料的粘度较小,Zeta电位绝对值最高,得到的氧化锌瓷体的针孔率最小,ZnO高梯度氧化锌电阻片综合性能最佳,其电位梯度为336 V/mm,漏电流1μA,非线性系数达到55.9,压比为1.667,2 ms方波电流测试中能够承受18次300 A脉冲电流的冲击。
阮雪君 +7 more
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Dianci bileiqi, 2006 为了进一步提高ZnO压敏电阻片的电位梯度和能量耐受能力,研究了添加剂复合粉体的颗粒度、烧结温度和保温时间对电阻片电位梯度和能量耐受能力的影响。采用细度为（0.4～0.6）μm的添加剂,在1 120℃保温5h,φ56mm的电阻片电位梯度可达（3.2～3.5）kV/cm;在传统添加剂细度的基础上,烧结温度为1 200℃,保温5h可获得梯度为（1.7～1.8）kV/cm,方波为800A的大容量电阻片。从传统电位梯度和高梯度电阻片显微结构分析中得出,晶粒细小化是提高电位梯度的重要途径。尖晶石是晶粒生长的钉扎中心,
王玉平
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高通量固相萃取-超高效液相色谱-串联质谱法测定血清中17种全氟/多氟烷基化合物
Se pu = Chinese journal of chromatography全氟烷基和多氟烷基化合物(PFASs)因其持久性、毒性和容易富集等特点,成为国内外广泛关注的一类新污染物。开展人体内PFASs的生物监测和暴露评估对于评估这些化学物质对人体健康的风险具有重要意义。因此亟需开发准确灵敏、方便快捷的检测方法。本研究采用自制的不需要活化、平衡的直通式HMR固相萃取柱净化样本,结合超高效液相色谱-串联质谱(UHPLC-MS/MS),建立了血清中17种PFASs的检测方法。50 μL血清样本在HMR固相萃取柱中用400 μL乙腈提取(每次200 μL)并净化2次后 ...
Qiang Lin +7 more
semanticscholar +1 more source
Dianci bileiqi, 2012 分析了影响氧化锌电阻片电位梯度的配方和工艺因素。氧化锌电阻片的性能是以配方为基础,靠工艺来保证和实现的。对电阻片的配方和工艺进行优化。配方中添加了抑制晶粒长大的氧化钇,提高了电阻片的电位梯度,满足了GIS避雷器对高电位梯度电阻片的需求。同时电阻片电位梯度的提高可降低产品制造成本。
李可菼 +3 more
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Gaoya dianqi, 1993 以微分探针为工具,测量了压气式灭弧室模型中电弧的弧柱电位梯度。测得了不同气体介质、压力及开断电流下弧柱定点的电位梯度随时间变化及定时刻电位梯度沿轴向分布情况。并对实验结果进行了分析。
金黎, 马志瀛
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热处理对稀土氧化物掺杂ZanO-Bi2O3系压敏陶瓷电气性能的影响
Dianci bileiqi, 2008 掺杂稀土氧化物的大尺寸ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷具有明显的"软心"特征,即电位梯度随试样尺寸的增大而下降,表层电位梯度高于内部。经高温热处理后,"软心"现象得到明显的改善,平均电位梯度提高到360V/mm。结合XRD、XPS和EDS的分析结果,发现热处理后Bi2O3相和CeO2相明显析出,试样内部的O浓度提高,添加剂沿轴向的分布趋于均匀。
李盛涛, 成鹏飞, 王玉平, 朱斌
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Dianci bileiqi, 2009 通过Y2O3掺杂等工艺手段制备出具有高电位梯度值的ZnO压敏电阻,并进行大电流冲击条件下的电学性能测试。实验结果表明,在掺杂0.08%（摩尔浓度）Y2O3后,试样的电位梯度值达到2 460.5 V/mm,残压比为1.48,最大通流容量达到1 263 A,能量耐受密度达到404.7 J/cm3,具有良好的抵抗大电流冲击的性能。掺杂后的试样晶粒尺寸减小到1.5μm,并且分布比较均匀,细致均匀的微观结构有利于试样电位梯度和大电流冲击下电学性能的提高。
柯磊, 蒋冬梅, 马学鸣
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Dianci bileiqi, 2021 避雷器的高梯度电阻片在生产过程中受多种因素影响,使其相对介电常数呈现一定分散性。本研究通过实验和仿真研究了某型号220 kV GIS避雷器高梯度电阻片相对介电常数的分散性及其在不同荷电率下的变化规律,分析了其对GIS避雷器内部电位分布的影响。研究发现,电阻片相对介电常数随荷电率变化存在很大的分散性,同时提出一种基于电阻片排布的避雷器设计优化方案。
张宗扬 +6 more
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高电位梯度ZnO元件在22kV～765kV SF6绝缘避雷器中的应用
Dianci bileiqi, 2000 Zn O元件以基准电压 Unm A/mm来评价 ,新研制的高电位梯度 Zn O元件的基准电压约为普通 Zn O的二倍 ;介绍了高电位梯度 Zn O元件在 2 2 k V～ 76 5 k ...
李惠芬
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