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Dianci bileiqi某典型GIS复合套管进行局部放电试验时，上均压环表面与接地屏蔽端口处伞裙表面伴有明显的电晕现象，局部放电量超标。为了研究套管尺寸参数对局部放电的影响并且提出套管尺寸的改进方案，本研究首先对套管进行建模，通过Ansys仿真得到了均压环表面和伞裙表面的电场分布，分析了均压环环径、管径对均压环表面电场强度的影响；接地屏蔽端部直径和套管内径对伞裙表面电场强度的影响。结果表明，均压环环径对均压环表面电场强度影响较小，管径对均压环表面电场强度影响较大；接地屏蔽端部直径减小、套管内径增加，伞裙表面电场强度呈减小趋势 ...
刁晓禹, 周腊吾, 杨伟
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Light Trapping Structures Based On UV Soft Nanoimprint Lithography [PDF]
, 2016 摘要 随着科技的进步，很多器件在微纳尺寸下展现出很多与大块材料不同的性质，而这些性质中有很多具有很强的应用前景，这推动了微纳器件的加工方法的提高与性质的研究。 本文的第一章与第二章简单介绍了常见的纳米加工方法，包括电子束光刻（EBL）、微纳自组装法及纳米压印技术。通过分析各种加工方法的优劣，介绍了纳米压印技术的优势：它可以在保证加工精度较高同时又能降低其生产成本，而这两个优点为纳米压印的工业化做了很好的铺垫。在第二章中，通过对常见的三种纳米压印技术做出分析，并结合现有的设备 ...
白彦强
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Gaoya dianqi, 2012 超、特高压输电迅速发展,并逐渐成为跨区域、跨省的骨架电网,走廊的电磁辐射问题成为关注的热点之一。针对某500 kV单回路输电线路,首先采用模拟电荷法分析走廊沿线电场强度的空间分布特性,并基于多元敏感度分析给出线路参数对走廊附近电场分布特性的影响程度。其次,针对电场强度分布不均和部分区域场强明显超标的问题,同样基于敏感度分析了接地屏蔽导线线径、架设位置对其屏蔽效能的影响,并给出了接地屏蔽线的最佳线径和架设位置。
王礼 +5 more
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Poly-Ge film with high quality fabricated by metal induced crystallization [PDF]
, 2015 Ge材料在光电子以及微电子领域有重要的应用。a-Ge晶化的方法可以将廉价的a-Ge转化为高质量的多晶Ge甚至单晶Ge，因而受到人们重视。然而传统a-Ge晶化的制备方法面临一些挑战，如晶化温度过高，形成的晶向不能高度单一化，形成的晶粒尺寸大小不能满足应用需求等，而金属诱导晶化的方法可以在低温下制得高质量的Ge薄膜，是人们近几十年中研究的一个热点。 本文采用金属诱导晶化的方法在石英衬底上制备出了高质量的多晶Ge薄膜，并围绕两个方面展开研究：一是a-Ge的有序度对a-Ge金属诱导晶化的影响 ...
王鹏
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Gaoya dianqi, 2015 文中设计两套换流变压器直流出线装置,这两套出线装置的绝缘结构所用绝缘纸筒厚度相同,油隙大小不同。为验证两种结构的绝缘强度,文中利用Elec Net电场计算软件,对这两种设计方案进行电场强度及耐受电压计算。通过计算结果分析,小油隙结构的电场强度低于大油隙结构,因此出线装置绝缘结构采用小油隙结构较好。
肖淦
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Gaoya dianqi, 2006 应用ANSYS软件分析计算了支柱式12kV户外真空断路器真空灭弧室外表面的电场强度,得出在不同填充材料、气泡和不同外绝缘材料时的电场强度及分布曲线;分析得出不同条件对真空灭弧室外表面电场强度的影响,用以提高户外真空断路器灭弧室外表面的绝缘性能。
徐建源, 任春为, 王博
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Electro-driving Separation Performance and Integration With Microfluidic Chip of Nanofiltration Membrane [PDF]
, 2009 膜技术是实验室及工业普遍使用的分离技术之一，在芯片中集成膜分离的单元操作是芯片实验室领域的重要问题。本论文考察了芯片外纳滤膜的电驱动透过性能，并在玻璃微流控芯片中集成纳滤膜。主要研究内容及结果如下： 1. 界面聚合制备了聚哌嗪酰胺纳滤膜和尼龙6，6膜。考察了均苯三甲酰氯单体浓度对纳滤膜形貌、厚度的影响。结果表明，随着均苯三甲酰氯单体浓度增加，纳滤膜油相膜面的粗糙度和多孔性增加，而水相膜面则呈现相反的变化。纳滤膜的厚度随均苯三甲酰氯单体浓度的增加而增加，属均质膜。 2.
潘城
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, 2004 通过对铁电陶瓷疲劳失效研究现状的文献综述,概述了国内外在电疲劳和电致疲劳的机理、影响因素和实验手段等方面的研究进展。通过分别对各类电疲劳机理和各种电致疲劳模型进行讨论,比较了各种理论和模型之间的不同之处 ...
张颖, 程璇, 陈志武
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Sythesis and Surface-Enhanced Raman Spectroscopy (SERS) of deuterated p-Aminothiophenol [PDF]
, 2012 表面增强拉曼光谱具有极高的检测灵敏度，在一定情况下可以进行单分子检测,通过研究分子的表面增强拉曼光谱（SERS）可以对表面吸附分子的结构和反应进行一系列的研究。对巯基苯胺（PATP）是表面增强拉曼光谱研究中非常重要的一个探针分子，在银、金和铜纳米结构表面，其SERS光谱有一些异常谱峰（1142cm-1、1391cm-1、1440cm-1）。SERS的相关研究者对于这些异常峰的来源有很大的争议，主要有三种解释，分别是光诱导的电荷转移增强机理、苯环发生苯醌式的结构互变异构化和电荷隧道增强机理 ...
罗文丽
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Dianci bileiqi, 2013 ZnO压敏陶瓷击穿场强E1mA由晶粒尺寸和单个晶界击穿电压两个因素共同决定,沿用之前提出的微观结构模型,在晶粒尺寸一定,晶界电压服从正态分布;晶界电压一定,晶粒尺寸服从正态分布;和晶粒尺寸、晶界电压都服从正态分布三种条件下,用Matlab分别模拟击穿场强随厚度的变化关系,结果表明ZnO压敏陶瓷击穿场强的几何效应主要来自晶粒尺寸和分布的影响。在此基础上,对初始厚度不同的试样进行击穿场强与厚度的关系模拟,从结果可以看到,无论是高击穿场强还是低击穿场强的试样,都存在几何效应。
鲍婕, 王政留, 李盛涛
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