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Epitaxial Growth, In Situ Doping and Optical and Electrical Properties of Ge on Si Substrates [PDF]
, 2012 硅基锗材料因其优异的光电性能，广泛应用于硅基光电集成和微电子等领域。硅基锗材料的生长及其相关器件的研制引起人们浓厚的兴趣。由于锗与硅的晶格失配度较大，在硅衬底上生长高质量锗材料仍然是一个挑战性的课题，需要引入缓冲层技术。而保持较好晶体质量下，提高原位掺杂锗材料中的掺杂浓度也是器件应用中亟待解决的课题。本论文采用低温缓冲层技术在UHV/CVD系统中生长出高质量硅基锗材料，较系统地研究了Ge的原位掺杂技术，并在此基础上研制出硅基GePN结和PIN结构。主要工作和研究成果如下： 1 ...
陈城钊
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Epitaxial growth of high quality Si-based Ge materials and interface properties of Ge MOS structures [PDF]
, 2011 Si基Ge材料具有较高的载流子迁移率，并且与传统硅工艺相兼容，是未来制备先进CMOS器件和Si基光电子器件的理想材料之一。然而，由于Si与Ge之间晶格失配度大，在Si衬底上外延生长高质量的Ge材料仍然是一个重大的挑战。在GeMOS器件的制备过程中，栅介质/Ge界面处极易形成锗氧化物(GeOx)，引入较高的界面态，使器件性能退化。因此，研究高质量Si基Ge材料外延生长和控制栅介质/Ge界面态技术对制备高性能Si基GeMOS器件具有重要的意义。 本论文首先采用UHV/CVD系统 ...
郑元宇
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Zhongshan Daxue xuebao. Yixue kexue ban, 2004 【目的】 制备稳定性好?包封率高?缓释性能优的哌仑西平脂质体?【方法】采用均匀设计等方法筛选制备哌仑西平脂质体的处方和工艺,并对其形态?粒径?包封率?加速实验结果及体外释放规律进行考察?【结果】 制得的哌仑西平脂质体为单层脂质体,平均粒径为480 nm,包封率为77.24%±9.83%,其稳定性好,缓释效果优于哌仑西平磷酸缓冲液?【结论】 哌仑西平脂质体达到设计要求?
戴淑真
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Shuitu Baochi Xuebao, 2020 为了解喀斯特山区生态恢复模式对土壤盐基离子的交换及分布特征的影响，以喀斯特山区典型黄色石灰土为对象，研究了耕地、草地、林草间作地、退耕还草地生态恢复模式下土壤阳离子交换量（CEC）和盐基离子的分布规律。结果表明：该区土壤CEC为26.52~44.90 cmol/kg，且基本随土层深度的增加逐渐减小；各土壤层次阳离子交换量均表现为退耕还草地显著低于其他生态恢复模式（P Mg2+ > K+ > Na+的规律，且以Ca2+、Mg2+为主（占TEB的比例平均为91.92%，6.04%），K+、Na ...
陈忠柳, 舒英格, 周鹏鹏
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Study on key fabrication process of micro F-P cavity tunable filter [PDF]
, 2016 采用表面加工工艺,AZ5214E光刻胶进行光刻并反转,磁控溅射Ni Cr合金,剥离出高度为2.3μm的金属桥墩,填充聚酰亚胺作为牺牲层,再在牺牲层上光刻、沉积金属形成金属桥面,在金属桥面的中心嵌入第二布拉格反射镜。采用O2等离子体刻蚀去除聚酰亚胺膜,制作成微法布里—珀罗(F-P)腔,不需要硅片键合,克服了传统F-P腔高度不够高、调谐范围有限、腔平整度不好以及对设备要求高的缺点,并且可以做出大阵列结构,易于探测器集成。着重对腔体关键工艺,即金属桥墩的Ni Cr剥离工艺进行研究,针对现有技术缺陷 ...
曾毅波 +4 more
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裸露砒砂岩区坡面侵蚀过程中地表粗糙度与水力侵蚀特征参数的关系
Shuitu Baochi Xuebao, 2022 坡面地形起伏状况是影响土壤侵蚀状况的重要因素,深入了解地表粗糙度和产流产沙以及水动力参数之间的关系是研究坡面土壤侵蚀过程的基础。采用野外原位模拟冲刷试验,使用三维激光扫描仪结合ArcGIS提取地形因子参数,研究了裸露砒砂岩区坡面侵蚀过程中地表粗糙度与侵蚀特征参数的关系。结果表明:(1)冲刷强度的增大使得阻力特征参数逐渐降低,且随着冲刷时间的增加,弗劳德数也呈现降低趋势,其他水力学参数呈增大趋势 ...
董晓宇 +5 more
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Investigation and Development of the High-Efficiency Vertical Chip [PDF]
, 2015 GaN基LED一般生长在蓝宝石衬底上，由于蓝宝石是绝缘体和不良的导热物质，使得传统的正装芯片在大功率下工作时，容易因散热不佳导致失效。本论文利用外延转移技术把蓝宝石衬底更换成更好的导热导电衬底，制备成薄膜垂直芯片，以利于大电流，大功率下应用。 本论文所述芯片，使用ICPdamage作为电流阻挡层，使用基板键合技术将导电导热衬底和GaN结合，然后用激光剥离方式将蓝宝石衬底去除，为了增加出光效率，对GaN表面进行粗化。 我们发现PCB-ICP条件会导致垂直结构LED在老化过程发生漏电 ...
梁兴华
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Gaoya dianqi波纹铝护套由于具有良好的弯曲性能而被广泛用于高压交联聚乙烯（XLPE）绝缘电缆。然而，近年来发生了多起由缓冲层开始电缆烧蚀故障，严重的会发展到绝缘屏蔽层乃至于绝缘层。文中就径向电场引起的绝缘屏蔽的烧蚀机理展开研究，通过对不同间隙下绝缘屏蔽进行放电实验模拟，推导绝缘屏蔽烧蚀机理。实验结果表明，缓冲层发生烧蚀后会向内发展导致绝缘屏蔽烧蚀。有间距的情况下发生的击穿是缓冲层和绝缘屏蔽样品与电极之间的空气击穿，无间距的情况下，发生击穿是电极直接击穿缓冲层进而导致的绝缘屏蔽烧蚀 ...
叶宽 +8 more
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Study of ICP-induced In doping and the properties of GaN-based LED wafers and devices [PDF]
, 2015 GaN材料属于第三代半导体材料，具有宽的直接带隙以及优异的物理和化学性质，是制作发光器件和光伏器件的理想材料。在信息显示领域，GaN基高亮度蓝、绿发光二极管可以用于户外大屏幕全色显示以及交通信号灯等方面；在照明领域，GaN基白光LED可以用于背光源、路灯和景观照明以及通用照明等。GaN基器件的研究已经取得巨大进展，但是在器件的制备过程中仍存在一些问题，如GaN材料的p型欧姆接触问题则是限制GaN器件发展的主要因素之一。有两方面的原因阻碍低阻p-GaN欧姆接触的实现：一方面是难以生长高空穴浓度的p ...
曾勇平
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Polarity Control and Transition of GaN in MOCVD [PDF]
, 2001 Polarity of GaN epilayer grown on nitridated sapphire substrate and the possibility of polarity manipulation are investigated.GaN films grown on nitridated sapphire substrate show N polarity,and the N polarity films can be successfully converted to Ga ...
刘宝林
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