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Physical Connotation of Average-Bond-Energy and St [PDF]
, 2001 金属-半导体接触在技术上十分重要，在半导体器件和集成电路中广泛地利用着各种不同性质的金属-半导体接触，因而器件与集成电路的质量和可靠性在很大程度上依赖于电路中金属-半导体接触的性质；半导体-半导体接触界面处的价带带阶和导带带阶决定着量子阱和超晶格的势阱深度及其基本特性，预言、调节或控制带阶的“能带剪裁”新技术是当今“能带工程”的重要组成部分。金属-半导体接触Schottky势垒和异质结带阶的实验和理论研究与“表面与界面”新兴学科的研究进展紧密相关，基于不同实验结果的不断发现 ...
李书平
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Dianci bileiqi, 2018 针对氧化锌压敏电阻直流作用下的老化问题。利用氧化锌压敏电阻肖特基势垒理论,对氧化锌压敏电阻在正极性和正、负极性直流交替作用下,氧化锌压敏电阻老化规律进行研究,得出以下结论:1)氧化锌压敏电阻在单一极性直流作用下,产生明显的极性效应。此外,极性效应和老化程度均随电流的增加而增大,当达到最高点时,出现减慢的现象。2)正、负极性电流交替作用时,ZnO压敏电阻出现极性补偿现象,使得肖特基势垒高度下降变慢,导致压敏电阻老化程度较单一极性电流作用下缓慢。
苑吉河 +4 more
doaj
The Research and Fabrication of the Si and InP/InG [PDF]
, 2001 金属-半导体-金属(MSM)光电二极管在光电子集成(OEIC)中具有很广泛的前景。这一结构的器件有两个重要的特性。第一：制作工艺简单；第二：属平面结构，所以易于与FET和HEMT集成。同时，它还具有响应速度快的特点,可以用于超高速、大容量的光纤通信中。 本文先从MSM-PD光电二极管的发展状况入手，探讨了该器件的结构特点，基本的光学和电学性质。为了能在厦门大学物理系现有的实验条件下制备出用于光纤通信的MSM-PD光电探测器，探索了以下几个方面的工作： 1.根据光通信的要求和本实验室的现有条件 ...
黄屏
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Dianci bileiqi, 2012 在低压电力系统中由于工频暂时过电压导致电源型电涌保护器Surge Protective De-vices（SPD）损坏事件时有发生。根据氧化锌压敏电阻的伏安特性,结合双肖特基势垒理论,利用热稳定仪和CJ1001型压敏电阻直流参数仪进行多次实验,通过对实验数据进行对比分析,提出了电源型SPD的工频暂时过电压耐受性不仅与MOV的电压梯度有关,还与低温焊锡连接点位置、通流容量、能量耐受密度等有关;MOV的工频热击穿为瞬态过程。
应达 +4 more
doaj
Research and progress of ohmic contact to p-type GaN [PDF]
, 2004 【中文文摘】宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几个问题,回顾了近年来p型GaN欧姆接触的研究进展。 【英文文摘】The wide-bandgap GaN has been extensively investigated and developed rapidly in recent years.
刘宝林, 潘群峰
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Preparation of Copper Nanoparticle-Loaded Graphitic Carbon Nitride and Photocatalytic Reduction of Uranium [PDF]
In this work, molten salt method was used to prepare highly dispersed graphitic carbon nitride(WSGCN), and chemical reduction method was used to load Cu nanoparticles on WSGCN to prepare Cu-WSGCN composites. FTIR, XRD, XPS, TEM, SEM, ICP-AES, UV-vis DRS,
Hong-sen ZHANG +3 more
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Dianci bileiqi, 2014 为了分析直流氧化锌压敏电阻的老化性能及其试验方法,根据氧化锌压敏电阻的老化机理,结合双肖特基势垒和电子迁移理论,提出了直流氧化锌压敏电阻的老化劣化与其直流电压及冲击电流极性有关。通过针对同一型号多个压敏电阻进行的大量实验证明:长期承受直流工作电压及同极性的冲击电流冲击会使压敏电阻老化加速,反之其老化程度明显降低。
刘琦, 赵军, 张利华, 冯凯
doaj
Research on germanium-on-insulator (GOI) material fabricated by an intermediate ultra-thin silicon layer [PDF]
, 2017 与Si材料相比，Ge材料具有更高的的电子和空穴迁移率，在1.3-1.5μm通信通信波段具有更高的吸收系数。此外，Ge工艺与现如今成熟的Si工艺相互兼容，Ge与GaAs晶格失配极小（~0.07%），可用作于制备III–V族器件的外延平台，这使得Ge材料成为了下一代高性能微电子和光电子器件的理想候选材料。然而，Ge器件容易产生更大的漏电流，其尺寸进一步减小容易导致小尺寸效应。绝缘体上锗（Germanium-on-Insulator，GOI）材料具有Ge材料的优势和绝缘体上硅（Silicon-on ...
毛丹枫
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Research of Ge Junction Technology and Ge Lateral PIN Photodetector [PDF]
, 2015 锗材料因其具有比硅材料更高的载流子迁移率，在通信波段具有高的吸收系数，以及与主流硅工艺相兼容等优点，成为下一代高性能集成电路半导体MOSFET器件沟道的首选替代材料。经过十余年研发，当前Gep-MOSFET的性能已经取得实质性的进展，但相应Gen-MOSFET性能仍未取得突破，除了高k介质与Ge接触产生大量界面态外，还有以下两个原因：首先金属/n-Ge结界面强烈的费米能级钉扎效应和较高的接触势垒引入较大的器件串联电阻；其次Ge中n型杂质扩散严重，激活浓度低，不利于形成n+p浅结。因此，调制金属 ...
魏江镔
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Dianci bileiqi, 2014 用MOV（氧化锌压敏电阻）的静态参数（压敏电压U1mA和漏电流IL）判定其劣化程度,只能直观反映压敏电阻的整体性能,而不能及时有效地的表征出压敏电阻的老化劣化趋势。根据MOV的U-I特性,结合肖特基势垒模型及离子迁移理论,提出MOV劣化过程中必然伴随着动态电阻Rd的变化。通过针对同一型号的MOV在不同脉冲电流下的大量实验分析得出:劣化前,8/20下Rd都呈"U"型分布,10/350下Rd呈缓慢递增后急速上升的趋势;劣化后,8/20下Rd没有明显变化,只有局部降低趋势而10/350下的Rd则出现不规则震荡。
徐乐 +4 more
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