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Studies on Tuning of the Energy Band Level of TiO2 and Related Interfacial Properties [PDF]
, 2017 利用半导体吸收太阳能分解水产生氢气是同时解决环境污染和能源短缺两大危机的最有效方法。然而，限制这一技术应用于实际的核心问题在于缺乏高效、稳定的半导体光催化剂。经过几十年的研究，人们对半导体光催化分解水的原理已经有了深入的认识，但依然面临着不少的难题。例如，人们已知金属-半导体异质结的形成可提高光生载流子的分离效率，但对于金属在不同晶面上所形成的界面势垒对分离效率的影响研究较少；人们已知通过掺杂可以拓展半导体吸收光谱、提高光生载流子分离效率，但对于掺杂是否会影响光生载流子在催化剂表面的反应效率则了解不多 ...
曾建新
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Simulation and Fabrication of 4H-SiC Separated Absorption Charge and Multiplication Ultraviolet Avalanche Photodiodes [PDF]
, 2016 4H-碳化硅（SiC）紫外雪崩光电探测器（APD）已具备取代紫外光电倍增管和Si基紫外光电探测器的可能性，它在光纤通信、高保密的非视距紫外通信及微弱紫外信号检测等特殊领域有重要的应用，已日益成为国际上光电探测领域的研究热点。 近年来已报道的高性能4H-SiCAPDs大多是采用吸收层和倍增层分离结构（SAM）进行制备。虽然SAM结构具有较高的量子效率，但是为了实现有效的吸收层和倍增层分离结构，要求倍增层厚度较薄且掺杂浓度较高，这将会使得器件的暗电流较大且倍增层电场分布梯度过大，不利于雪崩机制 ...
张明昆
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Dianci bileiqi, 2014 残压比是衡量压敏电阻性能的一项重要指标,针对压敏电阻在冲击老化过程中残压比的变化问题,通过对压敏电阻样品进行8/20μs雷电流冲击老化试验,发现残压比在标称电流（In）冲击老化试验过程中呈现缓慢降低--缓慢增加--快速上升的变化趋势;根据双肖特基势垒理论及热老化理论分析,得出冲击过程中残压比的大小主要由晶界层状态所决定,残压比快速上升阶段是由于晶界层大量破坏的结论;提出了利用残压比变化率来衡量压敏电阻老化程度的方法,在实际应用中具有参考价值。
陈璞阳 +4 more
doaj
Dianci bileiqi, 2018 针对ZnO压敏电阻在直流电压作用下老化劣化的问题,通过对ZnO压敏电阻内部离子迁移和晶界肖特基势垒的理论分析。采用ZnO压敏电阻正极性直流作用和负极性直流交替作用的试验方法。利用理论与试验相结合,得出以下结论:1)老化前压敏电阻正、负极性伏安特性曲线几乎一致,没有产生极性效应;2)在单一正极性直流作用下,压敏电阻发生老化,且随时间和电流的增加,正极性老化程度大于负极性;3)在正、负极性直流交替作用下,压敏电阻老化时间推迟,程度减小,压敏电压和漏电流变化趋势较单一正极性趋势减弱,且极性效应趋于消失;4 ...
李祥超, 马骁骐
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Establishment of Low Temperature Gas Sensor and its Characteristic Studies [PDF]
, 2017 环境中的气体对人类的生产、生活等活动产生很大的影响，利用气体传感器对环境气体进行检测并及时报警，可有效的保障人类的活动安全。在众多气体传感器中，基于低维半导体纳米材料电阻式气体传感器具有成本低、灵敏度高、使用寿命长等优点。随着科技的发展，低功耗、便携式、微型化气体传感器成为趋势，高的工作温度会带来能量的消耗增加、器件的构造复杂，同时，气敏器件在检测可燃性的气体时，高温点有可能成为爆炸源，十分危险。因此，开展可在低温工作的气体传感器研究是十分重要的。 由于在低温状态下气敏材料表面活性较低 ...
王妍蓉
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Dianci bileiqi, 2013 传统MOV（氧化锌压敏电阻）主要用于后级保护,不进行10/350μs波形冲击测试。随着MOV通流量等性能的提升,已有部分MOV产品应用于首级高暴露区线路,此时有必要开展MOV在10/350μs波形冲击下的性能研究。根据双肖特基势垒模型,结合离子迁移理论,首次对MOV在10/350μs与8/20μs冲击波形下的动态伏安特性曲线进行对比分析得出:在两种脉冲电流冲击下,动态伏安曲线都可以用一个峰值△U来校准测量值;两者的动态伏安曲线中后期都有一个先上升后缓慢回环下降的趋势,前期10 ...
徐乐 +4 more
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Mechanism and Surface Damage in Inductively Coupled Plasma Etching of SiC [PDF]
, 2008 刻蚀是SiC器件制备过程中的一项关键工艺。由于SiC材料的高硬度及稳定的化学性质，普通的湿法刻蚀无法获得可行的刻蚀速率。目前，常采用的SiC刻蚀方法多为等离子体干法刻蚀，其中，ICP刻蚀由于具有可同时提供较高的等离子体密度及独立的衬底偏压源控制的特点，在较低的衬底偏压下即可获得合适的刻蚀速率，从而可以获得较低的刻蚀损伤，因此ICP刻蚀在SiC器件制备中得到广泛的应用。 本文采用CF4/O2作为刻蚀气体，研究了不同刻蚀参数（包括：工作压强、ICP源功率、偏压源功率及O2流量 ...
吕英
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Dianci bileiqi, 1990 成分为PbO-B2O3-Al2O3-BaO-CaO-SiO2系统的几种玻璃添加物已被应用于成分为97mol％ZnO—1mol％Sb2O3—0.5mol％(Bi2O3、CoO、MnO2、Cr2O3的ZnO非线性电阻（以下简译为NLR）,研究了添加与不添加玻璃的NLR的电气特性和老化性能。添加Gl玻璃1wt%（63wt％PbO+25wt％B2O3+12wt％SiO2）,改善了Ⅴ-Ⅰ特性,泄漏电流变小,非线性不变。添加G2（88wt％G1-12wt％Al2O3）和G3（15.4wt％CaO—18.1wt ...
王振林
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Fabrication of Black TiO2 Nanotube and Its Infrared Radiation Properties [PDF]
, 2016 随着纳米科技的兴起，科学技术研究进入一个崭新的阶段。在纳米尺度下，由于纳米材料展现出许多奇特的物理和化学性质，使得纳米材料及其应用成为当前科学研究最为丰富和活跃的领域。基于电化学阳极氧化的二氧化钛(TiO2)纳米管阵列属于宽禁带N型半导体，具有稳定的化学性质，由于其无毒、自洁、催化活性高等特点，在光催化、太阳能电池、以及能源、生物和环保等领域被广泛应用。目前纳米结构TiO2材料的应用研究主要集中于可见光到紫外光范围，尚未见到其在红外光范围的应用研究报道。定向有序排列的TiO2纳米管阵列 ...
陈然斌
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Dianci bileiqi, 2014 氧化锌压敏电阻的压敏电压U1 m A和漏电流Ileak作为判断压敏电阻老化的检测参数,在及时性和有效性方面存在一定的不足,故需一种新的方法来保证检测的及时有效。通过对双肖特基势垒畸变理论和热破坏理论的分析,以及氧化锌压敏电阻的冲击试验,提出压敏电阻老化过程中存在电容量的变化,该变化可以作为判断老化的依据。试验证明在标称电流（In）冲击下,电容量呈现先小幅下降,后不断上升趋势,电容量和压敏电压的乘积在老化初期基本不变,老化到一定程度后急剧下降,在最大电流（Imax）冲击下 ...
陈璞阳 +4 more
doaj