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The Simulation and Analysis on Spectrum Response for Diamond MSM Ultraviolet Detector [PDF]
, 2002 【中文摘要】 应用 MSM结构光电探测器相对光谱响应的理论公式 ,得到金刚石膜 MSM紫外光电探测器相对光谱响应理论曲线 ,与实验曲线进行比较 ,发现两者吻合得很好。探测器光谱响应的截止波长都在 2 2 0～ 2 3 0 nm范围 ,紫外光与可见光的相对响应度相差一个数量级。根据 MSM结构光电探测器光谱响应曲线拟合出金刚石薄膜厚度、少子扩散长度等表征参数 ,探讨金刚石膜吸收层反射率、吸收系数、金刚石的晶粒大小及金属电极叉指指宽、指距等参数对金刚石膜 MSM光电探测器光谱响应和量子效率的影响 ...
周海文, 程翔
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, 2003 铁电薄膜在交变电场下发生电疲劳现象是影响其商业应用的主要障碍,也是目前国内外研究的热点。本文从铁电薄膜电疲劳的影响因素 ...
张颖, 程璇, 陈志武
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Study of Contact Properties of Metal Nitrides on n-Ge [PDF]
, 2014 锗（Ge）材料因其较高的载流子迁移率以及与硅工艺兼容的性质成为下一代高性能集成电路半导体MOSFE器件沟道的首选替代材料。然而金属/Ge接触界面存在强烈的费米能级钉扎效应，形成较高的接触势垒和较大的接触电阻，影响了器件性能提升。因此，研究Ge费米能级钉扎效应本质，调制金属/n-Ge的接触势垒高度，以及寻找获得欧姆接触的途径具有重要的研究意义和应用价值。 本论文利用反应磁控溅射的方法得到不同组分的WNx/n-Ge与TiNx/n-Ge接触材料，研究了金属氮化物与n-Ge接触势垒高度调制方法与机理 ...
吴焕达
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Si( 100) 表面Se 薄膜生长及其在Ti /Si 欧姆接触中的应用 [PDF]
, 2011 National Basic Research Program of China [2007CB613404]; National Natural Science Foundation of China [61036003, 60837001]; Natural Science Foundation of Fujian Province of China [2008J0221]We have investigated the growth of thin selenium layer on Si ...
Chen Song-Yan +11 more
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Dianci bileiqi, 2017 为研究多脉冲电流冲击特性,设计一台十脉冲电流冲击设备,其主要由8/20μs波形发生器,高压开关以及由D触发器组成延时电路等组成,利用其对压敏电阻进行冲击试验,试验表明十脉冲冲击下,ZnO压敏电阻U1 mA变化呈现初期快速减小,中期平缓,后期快速减小趋势。泄漏电流变化呈初期缓慢上升,中期进入平缓区,后期快速增大直至损坏。与单脉冲冲击下,泄漏电流变化规律相同,但泄漏电流变化的平缓区域远远小于单脉冲冲击下的平缓区域。通过对压敏电阻热行为分析发现,在十脉冲冲击下,ZnO压敏电阻内部晶粒热导率开始下降 ...
卢慧慧 +4 more
doaj
The Fabrication of Au/4H-SiC Semitransparent Schottky UV Photodiode [PDF]
, 2006 碳化硅（SiC）由于其较宽的带隙,较大的击穿电场,较高的电子饱和漂移速率和较大热传导率，在制作高温、高频、大功率和抗辐射器件方面具有巨大优势，被认为是最有前景的宽带隙半导体材料之一。基于4H-SiC材料制备的紫外光电探测器，因其禁带宽度大(3.26eV),对可见及红外线辐射无响应，因而可以在很强的可见及红外线背景下检测紫外光。近年，有一些关于金属/4H-SiC的报道，但对Au/4H-SiC肖特基光电二极管的报道并不多，而对于半透明肖特基接触的报道就更少。目前在有关的报道中用作肖特基接触的金属厚度相对较大，
王良均
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Carbonitride Heterojunctions for Photocatalytic Reduction of Uranium(Ⅵ) [PDF]
The development and application of nuclear energy is often considered as a potential solution to meet the increasing energy demand. However, it is important to acknowledge that the utilization of nuclear energy resources and the treatment of nuclear ...
Lin-zhen WU +5 more
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Research and Fabrication of Isotope Microbattery based on Polysilicon and Gallium Nitride [PDF]
, 2013 基于半导体P-N结的直接能量转换式同位素电池的研究最早始于上个世纪50年代。近10年来随着MEMS技术的快速发展，硅(Si)基、碳化硅(SiC)基、氮化镓(GaN)基直接转换式微型同位素电池成为MEMS微能源领域的研究热点，并已经取得了初步成果。本文详细介绍了基于大尺寸晶粒多晶硅基P-N结微型同位素电池及GaN基P-N结和肖特基势垒的微型同位素电池的研制，内容包括辐射粒子在半导体材料中输运轨迹和能量沉积的蒙特卡罗模拟、电池参数设计及电输出的理论计算及优化、GaN材料生长、GaN基P ...
姚淑琳
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[Mechanical and light-activated antibacterial properties of resin filled with Ag-TiO2 nanoparticles]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2022 Pan S, Lu S, Li R, Zhang X, Chen W.
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Schottky Barrier S /D Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors with Ge /SiGe Heterostructure [PDF]
, 2014 制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅SI基gE/SIgE异质结构肖特基源漏场效应晶体管(Sb-MOSfET)器件,研究了n型掺杂SI0.16gE0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SIgE层降低器件关态电流的机理。使用uHV CVd沉积系统,采用低温gE缓冲层技术进行了材料生长,首先在SI衬底上外延gE缓冲层,随后生长32 nM SI0.16gE0.84和12 nM gE,并生长1 nM SI作为钝化层。使用原子力显微镜和X射线衍射对材料形貌和晶体质量进行表征,在源漏区沉积nI薄膜并退火形成nIgE/
刘冠洲 +6 more
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