Research Progress of Silicon-Based Spin Injection [PDF]
, 2015 自旋注入、自旋探测和自旋操控是构建半导体自旋电子器件的基础。在硅基材料上采用电的方式进行自旋注入,有利于自旋器件与微电子芯片的集成化,是当前该领域的研究热点课题之一。简要概述了硅基自旋注入的研究进展,首先介绍了半导体自旋注入的原理和方法,着重评述了以磁隧道结(MTJ)结构为核心的硅基自旋注入的研究进程,然后详细论述了硅基自旋注入的测试原理、器件结构和实验方法,最后给出了硅基自旋注入的主要研究目标和发展方向,并展望了硅基自旋电子器件的前景。The spin injection,spin detection
卢启海 +6 more
core
Advances in Photocatalysis and Electrocatalysis of Uranium Extraction in Complex Environments [PDF]
Uranium, as the most important fuel for nuclear power operation, is crucial to ensure the sustainable development of nuclear power. However, the supply-demand contradiction of uranium resources in China has become increasingly prominent, and the gap ...
Hao-yu ZHANG +5 more
core +1 more source
Research on GaN-Based solar cell and SnO-based thin film transistor devices [PDF]
, 2016 InGaN太阳能电池凭借其带宽可调且与太阳光谱完美匹配的特点，已成为国 际上氮化物材料和新型高效太阳能电池领域的研究热点。然而，随着In组分和 材料厚度的增加，InGaN材料出现相分离和产生大量缺陷，不仅降低了器件的内 量子效率，也对光生载流子的传输过程产生了重要影响。此外，目前普遍采用 的同侧电极结构也给电池的载流子输运、光入射以及尺寸增大带来了不利影响。 为突破传统InGaN太阳能电池的限制，本研究通过研制垂直结构InGaN太阳能 电池，采用垂直电极结构解决电流传输和电极吸光问题，利用电池表面粗化提
郑志威
core
Theoretical Study on Spin Injection in Silicon-based Semiconductor [PDF]
, 2017 自旋电子学器件由于其有较小的单元尺寸，更低的功耗和新兴的电荷—自旋集成功能，因此可能成为超越摩尔定律物理极限的下一代电子器件。在众多半导体中，在硅上实现自旋电子学具有特殊的意义，因为硅是半导体行业中最普遍应用的材料，而且成熟的硅技术可以大大促进自旋电子器件的生产和大规模应用。由于硅缺乏晶格反演对称性，因此具有较长的自旋寿命和扩散长度，以及弱的自旋轨道耦合和原子核超精细相互作用，故硅已经被认为是一种自旋电子学的理想载体。在过去的十年里，硅基自旋电子学已经取得了里程碑式的进展 ...
杨阳
core
Study on Optoelectronic Properties and MSM Devices of Diamond-Like Carbon Thin Films [PDF]
, 2004 本文对金刚石和类金刚石（DLC）薄膜的半导体特性参数和光电性质进行评述。采用射频等离子体增强型化学气相沉积方法生长各种DLC薄膜，在对所生长的DLC薄膜结构表征的基础上，详细研究了其光电性质。研制了以DLC薄膜为有源层的MSM光电探测器，并对其I-V特性、光谱响应、C-V特性进行详细测量和分析。最后总结本文的工作，并对将来的工作提出建议，同时展望了DLC薄膜在光电方面的应用前景。在深圳纳诺材料技术研究所的大力帮助下，成功生长了不同光学带隙的各种DLC薄膜。采用AES、Raman谱、XPS和FT ...
程翔
core
Electrical transport properties of individual TiO2 nanowire in one dimension [PDF]
, 2007 The anatase TiO2 nanowire arrays with 60 ran diameter and 20 nm diameter were prepared within the nanochannels of anodic aluminum oxide (AAO) template by an electrochemically induced sol-gel method.
Lai Yue-Kun +9 more
core
Micro gas sensor array and application of artifical neural network [PDF]
, 2002 简要分析由MEMS工艺制成的新型微气体传感器阵列的原理及其优点 ,在此基础上 ,应用人工神经网络对气体传感器阵列的输出进行模式分类、识别 ,实现对单一或混合气体的有选择性探测 ,识别率可高达 95 %。The principle and advantage of micro gas sensor array made by MEMS technology is analyzed summarily, and based on it, arithmetic of BP neural network is ...
冯勇建, 吴青海, 邓俊泳
core
Electrical Transport Properties of Individual TiO_2 Nanowire in One Dimension [PDF]
, 2007 采用电化学诱导溶胶-凝胶法,在多孔氧化铝模板(AAO)的纳米孔道内制备了直径分别为60和20nm的锐钛矿型TiO2纳米线阵列.利用原子力显微镜(AFM)技术,在半接触模式下得到了TiO2纳米线的形貌像,在接触模式下测量了单根TiO2纳米线的I-V曲线.TiO2纳米线的电子输运性能表现为半导体的性质.TiO2纳米线的导通电压值明显小于TiO2块体,并且随着TiO2纳米线直径的减小,导通电压值增大.The anatase TiO2 nanowire arrays with 60 nm diameter ...
孙岚 +4 more
core
Fabrication and Characterization of Germanium Channel Schottky Barrier MOSFET [PDF]
, 2014 随着半导体技术的不断发展，SiMOSFET器件的小型化日益接近其物理极限，而具有高迁移率的Ge材料和HfO2等高κ介质由于其在未来MOSFET技术中的应用前景得到研究者的广泛关注。各种新结构GeMOSFET器件中，肖特基源漏场效应晶体管（SB-MOSFET）因为在源漏浅结的制造、源漏接触电阻的降低、制备温度的降低和制备工艺的简化等方面具有优势而成为了研究的热点。 本文首先通过仿真模拟分析了SB-MOSFET的特性和工作原理，并分别设计了传统pn结源漏MOSFET和SB-MOSFET两种器件的结构 ...
张茂添
core
Deposition of TiO2 films by magnetron sputtering and fabrication of MSM ultraviolet photodetectors [PDF]
, 2011 紫外辐射探测技术可以应用在太阳紫外线监测、火焰探测、生物学研究、紫外天文学以及无线通信等许多领域，现在已经开始受到广泛的重视。SiC、GaN和ZnO等宽禁带半导体材料紫外光电探测器具有“可见光盲”和室温工作等特点，因此得到较为充分地研究和应用，但是它们同时存在价格昂贵和制作工艺复杂等问题。TiO2同样是宽禁带半导体材料，锐钛矿结构的TiO2禁带宽度为3.2eV，有可能实现探测器的“可见光盲”特性，同时这种材料还具有优秀的物理、化学和光学性质。射频磁控溅射技术可以溅射化学配比理想的TiO2靶材 ...
黄火林
core