Fabrication and characteristics of Si-based Ge waveguide photodetectors [PDF]
, 2009 以外延gE薄膜为吸收区,在SI基上制备了gE波导光电探测器。利用超高真空化学汽相淀积(uHV/CVd)设备,采取低温高温两步法,在SI(100)衬底上外延出厚度约为500nM的高质量纯gE层。探测器采用脊型波导结构,Al电极分别制作在波导的台面上下形成背对背肖特基结。I-V特性测试表明,在-1V偏压下,暗电流密度为0.2MA/CM2。由于SI与gE热失配引起外延的gE薄膜受到0.2%张应变,减小了gE带隙,光响应波长范围扩展到1.60μM以上。在70MW、1.55μM入射光照射下 ...
周志文 +4 more
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Preparation and Properties of CaCu3Ti4O12 Ceramics with Giant Permittivity and Low Dielectric Loss via Tape Casting [PDF]
, 2014 本论文在固相反应法的基础上结合流延成型制备CaCu3Ti4O12（简称CCTO）陶瓷薄片，研究两步法烧结和Cu不同化学计量比对流延成型CCTO陶瓷致密度、微观结构和电学性能等方面影响；同时对CCTO陶瓷介电机理的表面效应进行初步探讨；成功制备多层CCTO陶瓷基双功能元件，并与铝电解电容器和超级电容器进行性能和充放电特性对比试验。 首先，采用两步法烧结流延成型CCTO陶瓷薄片。第二步保温时间和第二步烧结温度对流延成型CCTO陶瓷的性能都有较大的影响。随着第二步保温时间的延长和第二步烧结温度的升高 ...
李伟
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, 2018 介绍了一种采用宽禁带半导体二氧化钛纳米管阵列薄膜材料制备β伏特效应同位素电池的方法.通过对金属钛片的电化学阳极氧化制备了垂直定向、有序排列的二氧化钛纳米管阵列薄膜,研究了退火条件对二氧化钛纳米管阵列薄膜半导体光电性能的影响.通过与镍-63辐射源的集成封装,形成三明治结构镍-63/二氧化钛纳米管阵列薄膜/钛片的β伏特同位素电池.实验结果表明,基于氩气氛围下450?C退火的黑色二氧化钛纳米管阵列薄膜具有高的氧空位缺陷浓度和宽的可见-紫外吸收光谱.在使用β辐射总能量为10 m Ci的镍-63辐射源时 ...
伞海生 +6 more
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Thermal stability of NiGe(Si) films and eletrical characteristics of NiGe(Si)/Ge(Si) contacts [PDF]
, 2013 SiGe和Ge材料拥有比硅材料更高的载流子迁移率且与硅工艺相兼容等优点，是制备高速器件的理想材料。Ni(Si1-xGex)和NiGe合金具有低的薄膜电阻率和低的形成温度等优点，是实现SiGe或GeMOSFET器件源漏区的重要接触电极材料。本文围绕Ni(Si1-xGex)和NiGe薄膜的热稳定性以及Ni(Si1-xGex)/SiGe和NiGe/Ge的接触电学特性，较系统地研究了Ni(Si1-xGex)形成过程中Ge的偏析、相变和表面形貌等特性，分析了Ge组份及其偏析对Ni(Si1-xGex ...
汤梦饶
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Fabrication and Characterization of 4H-SiC p-i-n Photodetectors [PDF]
, 2014 4H-SiC材料具有优越的电学性能，用于低电平的紫外线检测时，还具有可见光盲、在太阳盲光谱区域量子效率较高、低漏电流、抗辐射和耐高温等优点，本文制备并详细研究了4H-SiCp-i-n紫外光电探测器的光电性能，取得了以下重要的结果： 1.制备出高性能4H-SiCp-i-n紫外光电探测器，探测器的光敏面积为200×200μm2，封装在TO-2外壳上，用熔融石英玻璃作为光学窗口； 2.研究了4H-SiCp-i-n紫外光电探测器电容-电压（C-V）特性。结果表明探测器在0偏压时的高频（1MHz）结电容约为3 ...
蔡加法
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Research of SiC Neutron Detectors Based on Boron Carbide Conversion Materials [PDF]
In order to ensure the long-term, stable and safe operation of compact all-solid-state reactors, real-time monitoring of neutron fluxes within the reactor is essential.
SUN Yiwen1, TIAN Lichao1, ZHANG Xiang2, YANG Xiaohu1, XU Weili2, HU Jiali2
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Fabrication and Applications of Metal/Semiconductor Nanostructure Based on Manipulation of Surface Plasmon Resonance [PDF]
, 2015 近年来，随着纳米技术的飞速发展，材料在纳米尺度上的特殊性质引起了人们的重视。其中，金属纳米材料由于其独特的表面等离激元共振（Surfaceplasmonresonance，SPR）特性，成为了一个重要的研究方向。表面等离激元共振特性主要表现为散射增强和局域电磁场增强。其中，前者可以应用于太阳能电池中，通过散射提高光在器件中的传播长度，进而提高电池的效率。后者则通过金属纳米颗粒与光的相互作用，可增强其周围特定区域的电磁场（hotspots），提高吸附分子的拉曼信号，在表面增强拉曼散射 ...
何绪
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[Research progress in thin flap and flap thinning technique]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za Zhi, 2019 Jiang C, Yang Y, Zeng F, Wang X, Fang B.
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The Research of ZnO Doping and Its Thermal Properties [PDF]
, 2017 氧化锌（ZnO）具有高激子束缚能、无毒、价格低廉、较强抗辐射能力、优良的抗电压击穿能力等优点，从而在液晶显示器、传感器、卫星移动通信等器件中有广泛的应用。ZnO具有良好的导热性，较高的载流子饱和漂移速度，禁带宽度大，存在良好的热学研究价值，且作为半导体材料，内部的杂质和缺陷也将决定它的热学性能。因此，ZnO薄膜的热学性能研究对相关纳米器件的热管理和热设计有重要意义。 本论文采用磁控溅射薄膜制备工艺技术，以相同的生长参数在衬底石墨薄片上分别进行氧化锌(ZnO)、掺铝氧化锌（AZO）、钴铝共掺氧化锌（ZnO:
蔡云萍
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Investigation of the ohmic contact for high Al content AlGaN [PDF]
, 2011 随着氮化物半导体材料和器件科学的发展，AlGaN基器件因其具有良好的应用潜力近年来逐渐成为研究的热点。由于高性能的光电子器件的制造需要高质量的电学驱动和电注入，因此，实现电极欧姆接触并提高其接触性能对于提高器件的性能起到了至关重要的作用。本文围绕金属-半导体接触界面的性质，采用MOVPE生长技术、界面结构的表征和性能测试手段、结合第一性原理计算方法，从实验技术到微观机理阐释，对AlGaN器件金属接触进行了系统的研究，得到以下重要结果： 采用MOVPE生长技术外延生长了质量良好的高Al组分AlGaN材料 ...
张彬彬
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