Results 61 to 70 of about 137 (111)
The Applications of Localized Surface Plasmon in Optoelectronic Devices [PDF]
, 2015 随着微加工技术和纳米技术的迅速发展,表面等离子体技术在光电子器件的微型化和集成化上得到了广泛应用,受到了物理、化学、生物、以及医学等多个领域人士的极大关注。局域表面等离子体(lSPS)由于具有独特的传播、激发、以及表面电磁场的局域增强特性,使得其在各个领域的应用有着显著的优势。文章叙述了lSP的相关特性及影响其共振频率的几个因素。分析了lSP在光伏电池、光电探测器和发光二极管(lEd)等领域的应用,包括最近几年所取得的一些重要进步,并着重介绍了我们小组近期在这些方面研究所取得的成果。With the ...
王纯子, 黄凯
core
Alloy Conditions Impact on Al/n~+-Ge Ohmic Contact [PDF]
, 2013 gE比SI具有更高的电子和空穴迁移率,且gE材料可以应用于1.3~1.5μM近红外波段,因此gE成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而由于gE的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(P)原位掺杂,使得n-gE的欧姆接触成为一个难题。采用P+离子注入获得高掺杂浓度的n-gE材料,掺杂浓度为1.5x1019CM-3;依据圆形传输线模型(CTlM)制备了一系列Al/n+-gE样品,研究了不同退火温度和退火方式对其接触特性的影响。实验结果表明,Al/n+-gE样品通过400℃快速热退火(rTA)30 ...
李成 +5 more
core
Fabrication and Photovoltaic Properties of InGaN Solar Cells [PDF]
, 2010 III族氮化物（InN、GaN、AlN及其合金）由于其良好的光、电学特性已被广泛应用于制作短波长光电器件。近几年来，由于InGaN材料表现出来的优越的光伏特性，如禁带宽度大小可调（对应的光波长几乎覆盖整个太阳光谱）、电子迁移率高、吸收系数大、抗辐射能力强等，吸引人们探索其在高效率太阳能电池方面的应用。在本论文中，我们制作具有不同p-接触方案的InGaN同质结太阳能电池，并研究电池在不同In组分、照射光强度、环境温度下的光电响应特性。具体的研究内容如下： 1、制作具有Ni/Au半透明电流扩展层（SCSL ...
曾绳卫
core
Modification of polarization field in III-nitride semiconductors [PDF]
, 2008 III族氮化物半导体在短波长高亮度发光二极管、高功率激光器、高灵敏度光探测器、以及高温大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。不同于传统的III-V族化合物半导体，纤锌矿结构的III族氮化物半导体具有极强的自发极化和压电极化效应。极化效应在III族氮化物的应用中起着双刃的作用，既有其危害处也有其得利处。对III族氮化物半导体中的极化场加以调控，避其短扬其长，是人们渴望深入了解的课题。本论文围绕III族氮化物半导体的极化效应和极化场调控，结合第一性原理计算方法、MOVPE生长技术、材料的结构和性能测试 ...
李金钗
core