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2DEG transport properties over temperature for AlGaN/GaN HEMT and AlGaN/InGaN/GaN pHEMT

Microelectronic Engineering, 2021
Md. Abdul Kaium Khan, Prof Mohammad Abdul Alim, Christophe Gaquiere   +2 more
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III–V HEMT

2021
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Thermal management of GaN HEMT devices using subcooled flow boiling in an embedded manifold microchannel heat sink

Applied Thermal Engineering, 2023
Weiyu Tang, Junye Li
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Metamorphic HEMT Technology Exemplified by InAlAs/InGaAs/GaAs HEMTs

2012
William Hoke, Colin Whelan
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Evaluation and Application of 600 V GaN HEMT in Cascode Structure

IEEE Transactions on Power Electronics, 2014
Xiucheng Huang, Zhengyang Liu, Qiang Li
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Differential-mode HEMT-based biosensor for real-time and label-free detection of C-reactive protein

Sensors and Actuators B: Chemical, 2016
Jang-Kyoo Shin
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Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT), Transistoranordnung, Verfahren zum Steuern eines HEMTs und Verfahren zum Herstellen eines HEMTs

Es wird ein Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (engl. High-Electron-Mobility-Transistor, HEMT) mit einer ersten Schicht und einer zweiten Schicht beschrieben. Die erste Schicht weist ein erstes Material aus einer ersten Nitrid-Verbindung auf. Die erste Nitrid-Verbindung weist ein Gruppe-III-Elemente auf.
Kapels, Holger, Fichtner, Simon, Lofink, Fabian   +2 more
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A survey of Gallium Nitride HEMT for RF and high power applications

Superlattices and Microstructures, 2017
D Nirmal
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High sensitivity cardiac troponin I detection in physiological environment using AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) Biosensors

Biosensors and Bioelectronics, 2018
Indu Sarangadharan, Abiral Regmi, Jen-Inn Chyi   +2 more
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GaN HEMTs

Yogesh Singh Chauhan, Ahtisham Ul Haq Pampori, Sheikh Aamir Ahsan   +2 more
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